公开(公告)号：CN101202297A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200710160869.2

申请日：2004-03-25

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  大见忠弘

Inventor： 加藤祥文 ,  大见忠弘 ,  须川成利 ,  森本明大

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/38 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  G02F1/133 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02F1/133385 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/38 ,  H01L27/14658 ,  H01L51/529 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种液晶显示器，包含液晶板和起背光作用的有机EL器件。有机EL器件包含起衬底作用的珀耳帖元件，及形成于珀耳帖元件上的有机EL元件。有机EL元件包含有机EL层及将有机EL层夹在中间的第一和第二电极。第一电极与作为珀耳帖元件的热吸收电极的金属层共享。第二电极由传播可见光的ITO形成。有机EL元件发射出的光从第二电极射出。结果，有机EL器件很薄且具有优越的冷却效果。

公开(公告)号：CN100352016C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN01821537.8

申请日：2001-12-27

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  须川成利 ,  平山昌树 ,  白井泰雪

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78645

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，该半导体器件包含以硅为衬底的多个晶体管和电容，其中，氢至少存在于所述硅衬底表面的一部分上，通过将所述表面暴露于由第一惰性气体产生的等离子体来去除所述氢，然后，由第二惰性气体和一种或多种气体分子的混合气体产生等离子体，从而在硅衬底表面上形成一种硅化合物层，该硅化合物层至少包含构成所述气体分子的一部分的元素。

公开(公告)号：CN1945800A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610087184.5

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/517 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339

Abstract: 在微波等离子体处理装置(10)中设置促进利用微波进行等离子体点火的等离子体点火促进部件。等离子体点火促进部件具有产生真空紫外线的重氢灯(30)，以及，使真空紫外线透过并将之导入等离子体激发用空间(26)内的透过窗(32)。透过窗(32)构成为凸透镜结构，通过聚焦真空紫外线来促进等离子体激发气体的电离。通过所述结构，可以容易且快速地进行等离子体点火。

公开(公告)号：CN1306566C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02807490.4

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿所述微波透过窗的径向向外呈多阶梯形地减小，由此来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN1806331A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200480016261.7

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03H19/00 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66787 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L27/092

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜，以形成MOS晶体管。上述准备的P沟道和n沟道MOS晶体管并联，以配置开关电容电路的开关。以这种方式，开关电容电路可表现出更小的漏泄电流和更小的DC偏置。

公开(公告)号：CN1246887C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN02800922.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/511 ,  C30B25/105 ,  H01J37/32192

Abstract: 本发明涉及使用放射线槽天线的微波等离子体处理装置，使放射线槽天线辐射面与构成处理室外壁的一部分，贴紧在与浇淋板贴紧的盖板上，在放射线槽天线上还通过设置冷却器，以便吸收于厚度方向在处理室外壁中流过的热流，从而使浇淋板的冷却效率最佳化，同时使微波激励效率最佳化。

公开(公告)号：CN1242480C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN02807542.0

申请日：2002-12-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  小谷光司 ,  须川成利

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。

公开(公告)号：CN1229855C

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN02800919.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32238 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理装置，由：通过外壁围成、并具备保持被处理基板的保持台的处理容器；与上述处理容器连接的排气系统；向上述处理容器中供给等离子体气体的等离子体气体供给部；对应于上述被处理基板而设置于上述处理容器上的微波天线；以及面对上述被处理基板设置在上述保持台上的被处理基板与上述等离子体气体供给部之间的处理气体供给部；构成。上述处理气体供给部由：形成于上述处理容器中内、使等离子体通过的多个第1开口部；可连接于处理气体源的处理气体通路；与上述处理气体通路连通的多个第2开口部；以及相对上述第2开口部设置、使由上述第2开口部排放出的处理气体扩散的扩散部；构成。

公开(公告)号：CN1509496A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02807490.4

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: 在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

公开(公告)号：CN1500370A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN02807326.6

申请日：2002-03-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H05H1/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32954 ,  H01J37/3299

Abstract: 通过等离子体处理装置中的导波管(26)向处理室中导入微波，产生等离子体。通过反射监测器(40)和功率监测器(42)监测被在处理室内产生的等离子体反射的反射波的功率。此外，通过入射监测器(36)和频率监测器(48)监测由磁控管(24)产生的微波的频率。根据监测的反射波功率和频率控制供给到磁控管的功率。通过这种方法来控制等离子体密度使其恒定。