公开(公告)号：CN103329279A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065726.8

申请日：2011-12-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 桥上洋 ,  石川直挥 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池，是在至少具有pn结的结晶硅基板上形成钝化膜、经过导电性糊的印刷和热处理的工序形成电极的太阳能电池，其特征在于，具有：以将光生成的载流子从硅基板取出的取出电极与硅基板接触的方式形成的第1电极、和以将在上述第1电极收集的载流子收集的集电极与上述第1电极接触的方式形成的第2电极，上述第2电极和硅基板至少在第1电极和第2电极的接触点以外只部分地相接或完全不相接，根据本发明，通过在集电极与硅之间使钝化膜完全或部分地残留，从而能够使在电极/硅界面的电荷损失减少，改善短路电流、开路电压，提高太阳能电池特性。此外，工序能够采用以往的丝网印刷技术等实现，对于成本削减极其有效。

公开(公告)号：CN101512778B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200780032273.2

申请日：2007-08-02

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 石川直挥 ,  生岛聪之 ,  大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  斋须重德 ,  植贾豊敬

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H05K3/248 ,  H01L31/022425 ,  H05K1/092 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2203/1476 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明是一种半导体基板，是形成有电极的半导体基板，上述电极至少含有银与玻璃料，具有由第一电极层与上部电极层所构成的多层构造；该第一电极层直接接合于上述半导体基板上，该上部电极层被配置于该第一电极层上，且由一层以上所构成；上述上部电极层，是将银的总含有比例为75wt％以上95wt％以下的导电性浆料焙烧而成的，相对于上述上部电极层的银的总含量，平均粒径4μm以上8μm以下的银粒子的含有比例，高于上述第一电极层中的含有比例。藉此，可于半导体基板上，通过简便的方法形成具有高纵横比且难以引起断线等的不良情况的电极。

公开(公告)号：CN102017087A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114553.7

申请日：2009-03-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 月形信太郎 ,  松冈敏文 ,  山本谦儿 ,  植栗丰敬 ,  石川直挥 ,  大塚宽之

IPC: H01L21/225 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2254 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了扩散用磷糊料，其用于通过丝网印刷在基板上的扩散用磷糊料的连续印刷。该扩散用磷糊料不经历环境湿度对粘度的显著影响，甚至在长时间连续印刷后没有增粘的可能性。将扩散用磷糊料通过丝网印刷涂布在基板上，以在基板上形成扩散层。扩散用磷糊料包括作为用于扩散层的掺杂剂的含磷掺杂剂、含有机粘合剂和固体物质的触变剂、和有机溶剂。掺杂剂是有机磷化合物。

公开(公告)号：CN101506992B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780028838.X

申请日：2007-07-12

Applicant: 信越半导体股份有限公司 ,  信越化学工业株式会社

Inventor： 石川直挥 ,  大塚宽之 ,  渡部武纪 ,  生岛聪之 ,  植栗豊敬

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L31/022425 ,  C03C8/14 ,  C03C8/18 ,  H01L21/2225 ,  H01L31/05 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3025 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体基板和电极的形成方法以及太阳能电池的制造方法，该半导体基板是至少形成有电极的半导体基板，上述电极是具有二层以上的多层构造，上述多层构造之中，至少与上述半导体基板直接接合的第一电极层是至少含有银与玻璃料，以及含有钛、铋、锆、钒、铌、钽、铬、钼、钨、锰、铁、钴、镍、硅、铝、锗、锡、铅、锌的氧化物中的至少一种来作为添加物；形成于上述第一电极层上的电极层之中，至少与配线接合的最表层的电极层是至少含有银和玻璃料，而未含有上述添加物。借此，于半导体基板上形成一种电极，可减少接触电阻与配线电阻，且具有充分的与半导体基板接着的强度以及通过焊锡而与配线接着的强度。

公开(公告)号：CN113437163B

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202110702706.2

申请日：2015-10-14

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之

IPC: H10F77/1223 ,  H10F77/30 ,  H10F77/20 ,  H10F71/00 ,  H10F10/14

Abstract: 一种太阳能电池，其具备P型硅基板，该P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在该背面上具备部分地形成的多个背面电极，前述P型硅基板在前述受光面的至少一部分具有N型层，前述P型硅基板具有与前述背面电极接触的接触区域，前述P型硅基板是掺有镓的硅基板，前述P型硅基板的电阻率为2.5Ω·cm以下，前述多个背面电极的背面电极间距Prm与前述P型硅基板的电阻率Rsub满足由下式(1)表示的关系。一种太阳能电池及太阳能电池模组，所述太阳能电池使用光劣化得到抑制的基板，在所述太阳能电池中，抑制电阻损失，转换效率优异，log10(Rsub)≤‑log10(Prm)+1.0(1)。

公开(公告)号：CN110121787B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201680090392.2

申请日：2016-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  三田怜 ,  桥上洋 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0288

Abstract: 本发明是一种太阳能电池，其是于具有第一导电型的半导体基板的第一主表面上，拥有具有第一导电型的基极层、及邻接于基极层且具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层，至少于基极层上具有基极集电电极的太阳能电池，其中基极集电电极的一部分亦配置于射极层上，此射极层邻接于配置有基极集电电极的基极层。由此，提供廉价且光电变换效率高的太阳能电池。

公开(公告)号：CN111162134A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010009159.5

申请日：2015-10-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 大塚宽之 ,  渡部武纪

IPC: H01L31/0288 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种太阳能电池，其具备P型硅基板，所述P型硅基板以一个主表面为受光面并以另一个主表面为背面，在所述背面上具备电介质膜，并且，所述P型硅基板在所述受光面的至少一部分具有N型导电型层，所述太阳能电池的特征在于，所述P型硅基板为掺有镓的硅基板，在所述P型硅基板的所述背面含有扩散的第III族元素。由此，本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池具备掺镓基板且转换效率优异。

公开(公告)号：CN110073504A

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201680090766.0

申请日：2016-11-15

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 三田怜 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/05 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

Abstract: [问题]为了提供一种低成本、高产率、可以容易地制造的背面接触型的高光电转换效率的太阳能电池。[解决方案]在该高光电转换效率的太阳能电池中，在第一导电型半导体基板的作为非受光面的背面上设置：扩散有第一导电型杂质的第一导电型扩散层，扩散有第二导电型杂质的第二导电型扩散层，和在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间形成的高电阻层或本征半导体层。

公开(公告)号：CN103247715B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310046852.X

申请日：2013-02-06

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/0352 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供一种太阳能电池及其制造方法，该方法包括以下的步骤：在n型半导体基板的第二主表面之上形成SiNx膜；在SiNx膜形成步骤之后在n型半导体基板的第一主表面之上形成p型扩散层；和在p型扩散层之上形成SiO2膜或氧化铝膜构成。

公开(公告)号：CN105324849B

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201480032519.6

申请日：2014-05-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 森力 ,  渡部武纪 ,  大塚宽之

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种背接触型太阳能电池，其显示出小的功率损失、通过其可自由定位母线并且具有简单的生产工序。本发明提供：半导体基板；在半导体基板的背面侧上形成的第一导电型区域，所述背面侧在半导体基板受光面侧的相对侧上；在半导体基板的背面侧上形成的第二导电型区域；在第一导电型区域上直线状地形成的第一导电型集电电极；和在第二导电型区域上直线状地形成的第二导电型集电电极。第一导电型区域和第二导电型区域交替排列。第一导电型集电电极和第二导电型集电电极设置有不连续部位。在第一导电型区域和第二导电型区域交替排列的排列方向上，各导电型的不连续部位设置为呈基本上直线地排列。