公开(公告)号：CN115398042A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202180028335.2

申请日：2021-03-23

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  筱宫胜 ,  曲伟峰

IPC: C30B29/06 ,  C23C16/34 ,  C30B13/00 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  C30B33/02 ,  C30B33/10

Abstract: 本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。

公开(公告)号：CN112753092A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201980062141.7

申请日：2019-09-06

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 土屋庆太郎 ,  萩本和德 ,  篠宫胜

IPC: H01L21/20 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明提供一种外延片的制造方法，该制造方法具有：准备在外周部具有倒角部的硅系基板的工序；在所述硅系基板的所述倒角部，形成沿着所述倒角部的内周缘的圆环状的沟槽的工序；以及在形成有所述沟槽的所述硅系基板上进行外延生长的工序。由此，提供一种可抑制产生在外周倒角部的裂缝向中心部方向伸长的外延片的制造方法。