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公开(公告)号：CN1210771C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN01819060.X
申请日：2001-10-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76819 , H01L21/31051
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，对形成了具有台阶差的层的基板的表面供给具有流动性的物质，在形成了流动性膜后，利用具有平坦的按压面的按压构件将流动性膜按压到基板上，使流动性膜的表面平坦化。在该状态下，通过加热流动性膜使该流动性膜固化，形成具有平坦的表面的被固化了的膜。
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公开(公告)号：CN1203533C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01104348.2
申请日：2001-02-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中川秀夫
IPC: H01L21/311 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/7681 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/76804
Abstract: 一种有机膜的腐蚀方法，使用以含碳、氢以及氮的化合物为主要成分的腐蚀气体所生成的等离子对有机膜进行腐蚀。通过该腐蚀方法使有机膜上的凹部截面成为垂直形状或正锥形形状。
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公开(公告)号：CN101021011A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200610100054.0
申请日：2006-06-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23F4/00 , C23F1/12 , H01L21/3065
CPC classification number: C23F4/00 , G02B2006/12166 , G02B2006/12197
Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、含氮原子的气体和含碳化氢分子的气体构成。
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公开(公告)号：CN1275297C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN03128623.2
申请日：2003-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/31
CPC classification number: H01L21/7682 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/31695 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/48 , H01L2221/1047 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05556 , H01L2224/05599 , H01L2224/27416 , H01L2224/451 , H01L2224/48463 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/12044 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。
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公开(公告)号：CN1698181A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000583.2
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/76801 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/76802 , H01L21/76813 , H01L21/76817
Abstract: 图案形成方法，包括：形成由具有流动性的物质构成的流动性膜的工序；将推压面具有凹部及凸部中至少一个的推压构件的所述推压面推压到流动性膜，将所述凹部及凸部中至少一个转印到流动性膜的工序；在将推压面推压到流动性膜的状态下，通过将流动性膜加热到第1温度，使转印了凹部及凸部中至少一个的流动性膜固化，形成固化膜的工序；以及通过将固化膜加热到比第1温度高的第2温度焙烧所述固化膜，形成由已焙烧的固化膜构成的图案的工序。
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公开(公告)号：CN100447979C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200580021240.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。
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公开(公告)号：CN1973367A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580021240.9
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/285 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/76843 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6)、在绝缘膜(6)中形成的埋入金属布线(10)、以及在绝缘膜(6)与金属布线(10)之间形成的金属阻挡膜(A1)。金属阻挡膜(A1)包括自绝缘膜(6)所在的那一侧朝着金属布线(10)所在的那一侧依次叠层形成的金属氧化物膜(7)、金属化合物膜(8)及金属膜(9)。金属化合物膜(8)的弹性率大于金属氧化物膜(7)的弹性率。
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公开(公告)号：CN1842904A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000997.X
申请日：2005-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205 , C23C16/40 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76873
Abstract: 半导体装置，包括：在衬底(1)上形成的绝缘膜(6，8)、在绝缘膜(6，8)中形成的埋入布线(14)、以及在绝缘膜(6，8)和埋入布线(14)之间形成的金属阻挡膜(Al)。金属阻挡膜(Al)由绝缘膜(6，8)所在的一侧向埋入布线(14)所在的一侧依序叠层形成的金属氧化物膜(11)、迁移层(12a)以及金属膜(13)构成；迁移层(12a)由具有金属氧化物膜(11)的组成及金属膜(13)的组成的大体中间组成的单一原子层所构成。
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公开(公告)号：CN1698182A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000668.0
申请日：2004-06-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/768 , H01L21/312 , H01L21/316
CPC classification number: G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/76807 , H01L21/76808 , H01L21/76817 , H01L21/76828
Abstract: 半导体器件的制造方法，包括：使推压面具有凸部的推压构件的推压面推压到流动性膜，在流动性膜形成转印了凸部的第1凹部。其次，在将推压构件推压到流动性膜的状态下，将流动性膜加热到第1温度而使流动性膜固化，形成具有第1凹部的固化膜。其次，将固化膜加热到比第1温度高的第2温度而焙烧固化膜，形成具有第1凹部的焙烧膜。其次，形成具有第二凹部形成用开口部的掩模后，使用掩模对焙烧膜进行蚀刻，在焙烧膜上形成至少与第1凹部连通的第2凹部。在焙烧膜的第1凹部及第2凹部埋入金属材料而形成插塞及金属布线。
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