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公开(公告)号：CN107130294A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
CPC classification number: C30B25/04 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/02057 , H01L21/02085 , H01L21/02376 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L29/1602 , C30B25/02
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
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公开(公告)号：CN102296362A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110177039.7
申请日：2011-06-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B25/18
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/183 , Y10T428/263 , Y10T428/266 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种能够让大面积高结晶性单结晶金刚石生长的，以及可以低成本制造高品质单结晶金刚石基板的单结晶金刚石生长用基体材料以及单结晶金刚石基板的制造方法。具体地说，本发明提供了一种单晶金刚石生长用基体材料，其特征在于所述基体材料包括：由线膨胀系数比MgO要小，且为0.5×10-6/K以上的材料构成的基本基体材料；在所述基本基体材料的使所述单晶金刚石生长侧，用贴合法形成的单晶MgO层；以及在所述单晶MgO上使其异质外延生长的铱膜、铑膜、铂膜的任意一个构成的膜。
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公开(公告)号：CN102031561A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010226112.0
申请日：2010-07-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
CPC classification number: C30B25/183 , C30B29/04 , Y10T428/2495 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，由单晶硅基板、在单晶硅基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的MgO膜、在MgO膜上异质外延生长的铱膜或铑膜组成。
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公开(公告)号：CN101892521A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010167218.8
申请日：2010-04-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C30B29/04 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02527 , C30B25/02 , C30B25/186 , C30B25/20 , C30B29/02 , C30B29/04 , C30B33/06 , H01L21/02021 , H01L21/02376 , H01L21/02491 , H01L21/02664 , H01L29/0657 , Y10T428/219 , Y10T428/24488
Abstract: 本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(r)≥50μm的倒角形。
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公开(公告)号：CN119731377A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202380062390.2
申请日：2023-08-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
Abstract: 本发明为一种衬底基板，在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中，具有：单晶Si{111}基板、单晶α‑Al2O3{0001}基板等中的任意一种的初始基板与在所述初始基板上的中间层，所述初始基板的最外侧表面相对于立方晶面取向{111}在晶轴 方向具有偏离角、或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴 或 方向具有偏离角。由此，提供一种可将高品质的单晶金刚石层制膜的衬底基板，该高品质的单晶金刚石层能够应用于电子·磁性装置、面积大(口径大)、结晶性高且凸起、栾晶等异常生长颗粒、位错缺陷等少、纯度高且应力低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118660994A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202380020747.0
申请日：2023-02-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
IPC: C30B29/04 , C23C16/27 , C30B25/18 , H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种衬底基板，其在用于单晶金刚石层叠基板的衬底基板中，具有初始基板与在所述初始基板上的中间层，所述初始基板为单晶Si{111}基板、单晶α‑Al2O3{0001}基板等中的任意一种，所述初始基板的最外层表面无偏离角，或者相对于立方晶面取向{111}在晶轴 方向具有偏离角，或者相对于六方晶面取向{0001}在晶轴 或 方向具有偏离角等。由此，提供一种可将单晶金刚石层制膜的衬底基板，所述单晶金刚石层能够适用于电气·磁力设备，面积大(口径大)，结晶性高且凸起、异常生长颗粒、位错缺陷等少，纯度高且应力低、品质高。
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公开(公告)号：CN111270307B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201911222448.7
申请日：2019-12-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 野口仁
Abstract: 本发明提供一种具有可适用于电子器件及磁器件的、大口径且高品质的单晶金刚石(111)的层叠基板、大口径单晶金刚石(111)自支撑基板、所述层叠基板的制造方法及自支撑基板的制造方法。所述层叠基板为包含单晶金刚石(111)层的层叠基板，其包括基底基板、该基底基板上的中间层、及该中间层上的所述单晶金刚石(111)层，所述基底基板的主表面相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以‑8.0°以上‑0.5°以下或+0.5°以上+8.0°以下的范围具有偏离角，所述单晶金刚石(111)层相对于晶面取向(111)，在结晶轴[＿1＿1 2]方向或其三次对称方向上，以大于‑10.5°且小于‑2.0°或大于+2.0°且小于+10.5°的范围具有偏离角。
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公开(公告)号：CN115555744A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210774721.2
申请日：2022-07-01
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 信越化学工业株式会社 , 国立大学法人埼玉大学
Abstract: 本发明提供一种金刚石基板制造方法，能够降低将单晶金刚石加工成金刚石基板时的损失量。金刚石基板制造方法包括：将使激光(B)聚光的激光聚光部(190)配置为面对单晶金刚石晶块(10)的上表面(10a)的工序；以及使用激光聚光部(190)以规定照射条件朝晶块(10)的上表面(10a)照射激光(B)，使激光(B)聚光于晶块(10)的内部，同时使激光聚光部(190)和晶块(10)以二维状相对移动，从而从晶块(10)的上表面(10a)至规定深度沿着单晶金刚石的(111)面形成包含石墨加工痕(21b)和从该加工痕(21b)开始沿着(111)面延伸的裂纹(22b)的改性层(20)的工序。
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公开(公告)号：CN108788449B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201810360957.5
申请日：2018-04-20
Applicant: 信越聚合物株式会社 , 国立大学法人埼玉大学 , 信越化学工业株式会社
IPC: B23K26/00 , B23K101/40
Abstract: 本发明的课题在于提供一种基板制造方法，该方法可容易地获得晶格缺陷少的薄的氧化镁单晶基板。该基板制造方法具备：第一工序，将对激光进行聚光的激光聚光单元非接触地配置于氧化镁单晶基板(20)的被照射面(20r)上；以及第二工序，使用激光聚光单元，以预定的照射条件对氧化镁单晶基板(20)的表面照射激光，一边在单晶构件内部对激光进行聚光一边使激光聚光单元与氧化镁单晶基板(20)以二维状相对地移动，从而在单晶构件内部依次逐渐形成加工痕迹而使其依次逐渐发生面状剥离。
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公开(公告)号：CN107130294B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710106146.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所 , 国立大学法人金沢大学
Abstract: 提供一种转位缺陷可以被充分减低的金刚石基板的制造方法，以及高品质的金刚石基板以及金刚石自立基板。所述金刚石基板的制造方法的特征在于：包括，将基底表面上图案状的金刚石设置的第一工序，从第一工序设置的图案状的金刚石使金刚石成长，第一工序设置的图案状的金刚石中的图案间隙中使金刚石形成的第二工序，上述第一工序设置的图案状的金刚石去除，第二工序形成的金刚石构成的图案状的金刚石形成的第三工序，从第三工序形成的图案状的金刚石使金刚石成长以及第三工序形成的图案状的金刚石中的图案间隙中金刚石形成的第四工序。
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