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公开(公告)号：CN108502888B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201810156765.2
申请日：2018-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107 , C01B33/03 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体，所述三氯硅烷的纯化系统能够防止伴随高沸点化合物的转化而产生的加成物的解离所引起的再污染、平衡制约所引起的杂质残留。在多段式杂质转化工序中供给含有硅晶体中成为供体或受体的杂质的三氯硅烷。该三氯硅烷中的杂质在蒸馏辅助剂的存在下转化为高沸点化合物。多个杂质转化工序部(101～10n)串联连接，杂质转化工序部均具备来自前段部的三氯硅烷的接收部(a)、蒸馏辅助剂的导入部(b)、面向后段部的三氯硅烷的输出部(c)和将残余部分(高沸点化合物、蒸馏辅助剂、三氯硅烷残液)排出至该杂质转化工序部外的排放部(d)。
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公开(公告)号：CN113880094A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110711525.6
申请日：2021-06-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的制造装置，通过西门子法制造多晶棒，其特征在于，包括：保持体100，该保持体100被可沿水平方向移动地设置在底板20上，将芯线保持器1与电极4电连接，并且相对于底板20可旋转地保持芯线保持器1。
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公开(公告)号：CN112093802A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010529313.1
申请日：2020-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 发明涉及的多晶硅棒的制造方法，采用西门子法来制造多晶硅棒，其特征在于，包括：沉积后通电工序，其在多晶硅的沉积工序结束后，以趋肤深度D比所述沉积工序结束时的趋肤深度D0更浅为条件来进行通电。例如，在所述沉积后通电工序中通电的电流的频率f高于所述沉积工序结束时通电的电流的频率f0。
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公开(公告)号：CN111825095A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010285747.1
申请日：2020-04-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的第一方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的外螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的内螺纹部相互螺合后紧固。此外，本发明涉及的第二方式的硅芯线中，形成于第一硅细棒的一端的螺纹部与形成于第二硅细棒的一端的螺纹部通过在两端部形成有螺纹部的接合器相互螺合后紧固。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107848796A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680044982.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B3/56 , B01J20/18 , B01D53/78 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01J20/20 , B01J20/34 , C01B33/035 , C01B39/44 , B01D53/68 , B01D53/72 , B01D53/75
CPC classification number: C01B3/58 , B01D53/002 , B01D53/04 , B01D53/1481 , B01D53/75 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01D2253/102 , B01D2253/108 , B01D2256/16 , B01D2257/102 , B01D2257/108 , B01D2257/502 , B01D2257/504 , B01D2257/553 , B01D2257/702 , B01D2257/7025 , B01D2258/0216 , B01J20/18 , B01J20/20 , B01J20/34 , B01J20/3408 , B01J20/3416 , C01B3/56 , C01B7/03 , C01B7/0725 , C01B33/035 , C01B39/44
Abstract: 本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。
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公开(公告)号：CN105143104B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201480020915.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107 , B01J20/26 , B01J20/34
CPC classification number: B01J49/57 , B01J41/07 , B01J41/09 , C01B33/046 , C01B33/1071 , C01B33/10778 , C01B33/10784
Abstract: 本发明提供能够在硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化工序中长期稳定地使用用于除去硼杂质的离子交换树脂的技术。本发明中，将硅烷化合物、氯硅烷化合物的纯化中使用的弱碱性离子交换树脂利用含有氯化氢的气体进行清洗处理。在将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的初始活化的情况下，能够得到更高的杂质吸附能力。另外，通过将该清洗处理用于弱碱性离子交换树脂的再生，能够长时间稳定地使用离子交换树脂。因此，能够削减长期运转中的树脂使用量，能够削减使用后的树脂废弃费用。
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公开(公告)号：CN116902985A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310422830.2
申请日：2023-04-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/03 , C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅棒，通过西门子法制造，其长度方向上的长度大于等于1米，其棒体侧面长度方向的残留应力的压缩应力与拉伸应力之差的绝对值小于等于22Mpa。
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公开(公告)号：CN113371716A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110236189.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明的底板的污染防止方法，包括：在具有底板以及覆盖所述底板的盖的反应器内制造多晶硅的工序；从所述底板除去所述盖的工序；以及通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序。
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公开(公告)号：CN111455461A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010025708.8
申请日：2020-01-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒、多晶硅杆及其制造方法。提供适合作为基于FZ法的单晶硅的制造用原料的多晶硅杆。在对通过西门子法培育出的多晶硅棒(10)进行外圆磨削的工序中，以使多晶硅杆(30)的中心轴(CR)与硅芯线(20)的中心轴(C0)间隔2mm以上的方式实施该外圆磨削工序，制成多晶硅杆(30)。
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