公开(公告)号：CN111591998B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201911370744.1

申请日：2019-12-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/03

Abstract: 一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。

公开(公告)号：CN107954427B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201710958219.6

申请日：2017-10-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035 ,  C30B35/00

Abstract: 本发明涉及多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法。提供适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅块、多晶硅棒。作为单晶硅的制造原料，使用在将在1400℃以上的温度范围内以60℃/分钟以下的速度升温时的熔化的开始温度设为Ts并将熔化的完成温度设为Te时ΔT＝Te‑Ts的值为50℃以下的多晶硅块。

公开(公告)号：CN111591998A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN201911370744.1

申请日：2019-12-27

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/03

Abstract: 一种多晶硅制造装置，本发明提供了一种可以提高多晶硅制造装置的反应炉内的密封性及电极与底板之间的绝缘性的技术。在用于对硅芯线供给电力的电极和底板部之间设置一体式套筒结构的绝缘部件，将密封部件分别配置于绝缘部件的凸缘部的至少一部分和绝缘部件的直主体部的至少一部分。

公开(公告)号：CN110550634A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910431751.1

申请日：2019-05-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  祢津茂义 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒。从由西门子法培育出的多晶硅棒中采集晶片(评价试样)，筛选出粒径为100nm以下的大小的晶粒以面积比例计占3％以上的多晶硅棒作为单晶硅制造用原料。使用这种多晶硅棒作为原料并通过FZ法来培育单晶硅时，可显著抑制位错的发生。

公开(公告)号：CN109694076A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201810915033.7

申请日：2018-08-13

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  石田昌彦 ,  星野成大 ,  祢津茂义

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B13/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C01B33/035 ,  C01B33/037 ,  C30B13/34 ,  C30B15/36 ,  C30B25/00 ,  C30B29/605 ,  C30B35/007 ,  C30B13/00 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明涉及多晶硅棒和单晶硅的制造方法。本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅。本发明的多晶硅棒是在0.3MPaG以上的压力下通过化学气相法培育出的多晶硅棒，其中，在使从该多晶硅棒的任意的部位选取的板状试样从低于硅的熔点的温度升温至超过硅的熔点的温度的同时进行显微镜观察时，在略低于熔点的温度下，未观察到多个结晶粒子不均质地集合的结晶区域、即不是针状结晶的结晶区域的直径超过10μm的不均质结晶区域。

公开(公告)号：CN107954427A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710958219.6

申请日：2017-10-16

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫尾秀一 ,  祢津茂义 ,  星野成大 ,  冈田哲郎

IPC: C01B33/035 ,  C30B35/00

CPC classification number: C30B13/34 ,  C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B35/007

Abstract: 本发明涉及多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法。提供适合用于稳定地制造单晶硅的多晶硅块、多晶硅棒。作为单晶硅的制造原料，使用在将在1400℃以上的温度范围内以60℃/分钟以下的速度升温时的熔化的开始温度设为Ts并将熔化的完成温度设为Te时ΔT＝Te-Ts的值为50℃以下的多晶硅块。

公开(公告)号：CN107848810A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680043217.8

申请日：2016-07-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 黑泽靖志 ,  祢津茂义 ,  星野成大

IPC: C01B33/035 ,  C01B33/02

CPC classification number: C01B33/035

Abstract: 本发明的反应炉(200)具备作为能够收容硅芯线的初始加热用的碳加热器的空间部的加热器收纳部。在该反应炉(200)中，仅在需要硅芯线(12)的初始加热时将碳加热器(13)向析出反应空间(20)载入，在硅芯线(12)的初始加热结束后将碳加热器(13)从析出反应空间向加热器收纳部(30)卸载。由此，碳加热器(13)在反应炉内不会受到必要以上的损害，能抑制劣化，而且能抑制与炉内的氢气的反应，因此抑制甲烷的产生，也抑制向多晶硅的碳污染。

公开(公告)号：CN106976884A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710051831.5

申请日：2013-02-19

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 祢津茂义 ,  黑泽靖志 ,  星野成大

IPC: C01B33/035

Abstract: 本申请发明涉及一种多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内配置的2对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换通过开关(S1～S3)来进行。该电路(16)中，从供给低频电流的一个低频电源(15L)、或供给具有2kHz以上的频率的高频电流的一个高频电源(15H)供给电流。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)而将2对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换至高频电源(15H)侧，则可以对被串联连结的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流来进行通电加热。

公开(公告)号：CN110550634B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN201910431751.1

申请日：2019-05-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 星野成大 ,  祢津茂义 ,  冈田哲郎 ,  石田昌彦

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒。从由西门子法培育出的多晶硅棒中采集晶片(评价试样)，筛选出粒径为100nm以下的大小的晶粒以面积比例计占3％以上的多晶硅棒作为单晶硅制造用原料。使用这种多晶硅棒作为原料并通过FZ法来培育单晶硅时，可显著抑制位错的发生。

公开(公告)号：CN118005019A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311388769.0

申请日：2023-10-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 吉田敦 ,  星野成大 ,  石田昌彦 ,  青山武 ,  山岸成俊 ,  金子良夫

IPC: C01B33/035 ,  C30B29/06 ,  C30B13/00

Abstract: 本发明的一种多晶硅棒的直径为120mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为100％以下。本发明的另一种多晶硅棒的直径为140mm以上，最低电阻率为3300Ωcm以上，且RRG为150％以下。