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公开(公告)号：CN101548389B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780045002.0
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/66969
Abstract: 提供一种底栅型薄膜晶体管，该底栅型薄膜晶体管在衬底(1)上包括：栅电极(2)、作为栅极绝缘膜的第一绝缘膜(3)、作为沟道层的氧化物半导体层(4)、作为保护层的第二绝缘膜(5)、源电极(6)和漏电极(7)，其中，氧化物半导体层(4)包括氧化物，所述氧化物包括选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种，并且，第二绝缘膜(5)包括被形成为与氧化物半导体层(4)接触的非晶氧化物绝缘体，并且在其中含有3.8×1019分子/cm3或更多的脱附气体，该脱附气体通过温度编程脱附测量被观察为氧。
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公开(公告)号：CN101884109B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200880118780.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78606
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。
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公开(公告)号：CN101884109A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118780.2
申请日：2008-11-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/78606
Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。
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公开(公告)号：CN101669208A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880013223.4
申请日：2008-04-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 一种非晶氧化物半导体，含有按In x Ga y Zn z 的原子比从In、Ga和Zn中选择的至少一种元素，其中，所述非晶氧化物半导体的密度M由以下关系式(1)表示：M≥0.94×(7.121x+5.941y+5.675z)/(x+y+z) (1)其中：0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，且x+y+z≠0。
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公开(公告)号：CN101405870A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200780009802.7
申请日：2007-03-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种场效应晶体管包括在衬底10上形成的沟道层11、源电极13、漏电极14、栅绝缘层12和栅电极15。该沟道层由非晶氧化物制成，并且该栅绝缘层由包含Y的非晶氧化物制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114633344B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202210310657.2
申请日：2018-07-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: B28B1/30 , C04B35/50 , C04B35/106 , C04B35/488 , C04B35/195 , C04B35/14 , B33Y10/00 , B32B18/00 , B33Y70/10 , C04B35/117 , C04B35/119 , C04B35/653 , C04B35/64 , C04B35/44
Abstract: 本发明提供陶瓷制造用粉体、陶瓷制造物及其制造方法。提供用于激光制造的粉体及其使用方法，该用于激光制造的粉体可稳定地制造并且可由其可获得确保制造精度的三维制造物。陶瓷制造用粉体和其中使用了该粉体的粉体使用方法，该粉体用于通过在使用激光的照射部中重复地依次烧结或熔融并凝固粉体而获得制造物，其中该粉体包括多种组合物，所述多种组合物中至少一种组合物是与其它组合物相比相对强地吸收激光的吸收体，并且该吸收体的至少一部分通过用激光照射而改变为相对弱地吸收激光的不同组合物。
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公开(公告)号：CN110944814A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048475.4
申请日：2018-07-13
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 提供用于激光制造的粉体及其使用方法，该用于激光制造的粉体可稳定地制造并且可由其可获得确保制造精度的三维制造物。陶瓷制造用粉体和其中使用了该粉体的粉体使用方法，该粉体用于通过在使用激光的照射部中重复地依次烧结或熔融并凝固粉体而获得制造物，其中该粉体包括多种组合物，所述多种组合物中至少一种组合物是与其它组合物相比相对强地吸收激光的吸收体，并且该吸收体的至少一部分通过用激光照射而改变为相对弱地吸收激光的不同组合物。
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公开(公告)号：CN104276819B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410328412.8
申请日：2014-07-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/49 , C04B35/622
CPC classification number: H01L41/183 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , C04B35/4682 , G02B7/04 , G02B15/02 , G02B27/0006 , G03B3/10 , H01L41/083 , H01L41/0973 , H01L41/1871 , H02N2/106 , H02N2/163 , H04N5/23209
Abstract: 提供一种压电材料、压电元件和电子设备。该压电材料不含任何铅成分，具有在操作温度范围中的稳定压电特性、高机械品质因数以及令人满意的压电特性。该压电材料包括：主成分，含有可以使用以下通式(1)表示的钙钛矿类型金属氧化物；子成分，含有Mn、Li和Bi。当金属氧化物是100重量份时，以金属换算的Mn的含量不小于0.04重量份并且不大于0.36重量份，以金属换算的Li的含量α不小于0.0013重量份并且不大于0.0280重量份，以及以金属换算的Bi的含量β不小于0.042重量份并且不大于0.850重量份：(Ba1‑xCax)a(Ti1‑y‑zZrySnz)O3(1)。在式(1)中，0.09≤x≤0.30，0.074
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公开(公告)号：CN104285310B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380013087.X
申请日：2013-03-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/08
CPC classification number: H01L41/1878 , B05B17/0607 , B41J2/045 , B41J2/14233 , G02B7/102 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/1871 , H01L41/43 , H02N2/103 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 提供一种具有高居里温度、高绝缘特性和高压电性能的压电材料，该压电材料包含由通式钙钛矿型金属氧化物，这里，M代表从由Mg、Ni和Zn组成的组中选择的至少一种类型的元素，x代表满足0.25≤x≤0.75的值，y代表满足0.15≤y≤0.73的值，z代表满足0.02≤z≤0.60的值，假定满足x+y+z＝1，其中，钙钛矿型金属氧化物含有V，并且V的含量相对于1mol的钙钛矿型金属氧化物为大于或等于0.0005mol且小于或等于0.0050mol。另外，提供使用压电材料的压电元件、液体排出头、超声马达和尘埃去除设备。(1)即xBaTiO3-yBiFeO3-zBi(M0.5Ti0.5)O3代表的
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公开(公告)号：CN104285310A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201380013087.X
申请日：2013-03-08
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L41/187 , H01L41/08
CPC classification number: H01L41/1878 , B05B17/0607 , B41J2/045 , B41J2/14233 , G02B7/102 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/1871 , H01L41/43 , H02N2/103 , H02N2/106 , H02N2/163
Abstract: 提供一种具有高居里温度、高绝缘特性和高压电性能的压电材料，该压电材料包含由通式(1)即xBaTiO3-yBiFeO3-zBi(M0.5Ti0.5)O3代表的钙钛矿型金属氧化物，这里，M代表从由Mg、Ni和Zn组成的组中选择的至少一种类型的元素，x代表满足0.25≤x≤0.75的值，y代表满足0.15≤y≤0.73的值，z代表满足0.02≤z≤0.60的值，假定满足x+y+z＝1，其中，钙钛矿型金属氧化物含有V，并且V的含量相对于1mol的钙钛矿型金属氧化物为大于或等于0.0005mol且小于或等于0.0050mol。另外，提供使用压电材料的压电元件、液体排出头、超声马达和尘埃去除设备。
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