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公开(公告)号：CN1086056C
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN96100509.2
申请日：1996-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , G09G3/22 , H01J9/027 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射器件包含一对装在基片上的电极和连接该电极的导电薄膜并在其中具有电子发射区。该电子发射区包含具有小于50nm的均匀宽度的裂缝并最好显示出小于5nm的电压适用长度。包含多个这种电子发射器件的电子源能够实现均匀的电子束发射，并且包含这种电子源的成象装置适用于高清晰度的图象显示。
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公开(公告)号：CN1335999A
公开(公告)日：2002-02-13
申请号：CN00801304.7
申请日：2000-01-19
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J2209/0223
Abstract: 在使用电子发射元件特别是表面传导型电子发射元件的图像形成装置(电子束装置)的制造工艺中,其上形成布线和元件电极的电子源衬底上的布线与面板的电极相对,在布线与电极之间施加规定电压,从而预先产生放电现象,于是可消除突起等。以这种方式,当对电子源进行电场施加工艺时,就可消除在驱动以图像形成装置为代表的电子束装置中会引起电子源中放电现象的如突起之类的因素,从而实现即使长时间进行图像显示,其显示特性也优良且没有像素缺陷的图像形成装置。
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公开(公告)号：CN1310462A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN00135596.1
申请日：1995-08-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J1/316 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射器件包括设在电极间的具有电子发射区的导电膜,该导电膜具有在电子发射区内形成的并且主要由熔点高于导电膜材料的一种材料制成的膜。另一方案是,制成该膜的主要材料产生1.3×10－3Pa蒸汽压时的温度比导电膜的材料产生上述蒸汽压时的温度要高。一种电子发射器件的制造方法包括在导电膜的电子发射区中形成一个主要由一种金属构成的膜的步骤。一种图象形成装置包括在工作时具有高亮度和良好稳定性的电子发射器件。
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公开(公告)号：CN1172339A
公开(公告)日：1998-02-04
申请号：CN97113453.7
申请日：1997-04-03
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J17/48
CPC classification number: H01J9/027 , H01J2329/00
Abstract: 一种图像形成装置,包括衬底上的一个以上电子发射器件构成的电子源,每个电子发射器件有一对相对设置的器件电极,连到一对器件电极的导电膜,一部分导电膜中形成的电子发射区,电子发射区上及其周围有以碳或碳化合物为主要成分的碳膜;图像形成元件,当用由电子源发射的电子束辐射时用发射光形成图像;电子源和图像形成元件置于真空外壳内,真空外壳内存在有机物,有机物的局部压力大于1×10－3Pa,外壳内总压力小于1×10－3Pa。
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公开(公告)号：CN1131337A
公开(公告)日：1996-09-18
申请号：CN95117385.5
申请日：1995-09-22
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/22 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , H01J2329/00
Abstract: 一种电子发射器件，它包括一个导电膜，导电膜包括一个电子发射区，电子发射区设在基片上的一对电极之间。电子发射区靠近台阶部分形成，台阶部分由电极之一和基片形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1126884A
公开(公告)日：1996-07-17
申请号：CN95116828.2
申请日：1995-08-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H01J2329/0489
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对电极以及位于电极之间的含有电子发射区的导电膜，电子发射区内包括石墨膜。使用波长为514.5nm光点直径为1μm的激光源对石墨膜进行拉曼光谱分析表明，石墨膜呈现有几个散射光的峰值，其中1)位于1.580cm-1附近的峰值(P2)大于位于1.335cm-1附近的峰值(P1)或2)位于1.335cm-1附近的峰值(P1)不大于150cm-1。
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公开(公告)号：CN1728316A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510087822.9
申请日：2005-05-18
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 通过在第一和第二导电膜之间施加驱动电压Vf[V]，当电子被第一导电膜发射时，一条0.5Vf[V]等势线，在第一导电膜的电子发射部分附近，在向电子发射部分和第二导电膜中最靠近电子发射部分的部分延伸的截面上，倾向于第一导电膜，而不是第二导电膜。本发明改良了电子发射效率。
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公开(公告)号：CN1691242A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510067356.8
申请日：2005-04-20
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 提供电子发射元件、电子源及图像显示装置的制造方法。该电子发射元件，具有在基板上互相隔有间隔配置的一对第1导电部件，其特征在于：上述间隔在离开该基板的表面的上方比上述基板的表面处窄，且上述一对第1导电部件中的一个的顶部高于另一个的顶部，在上述一个第1导电部件表面上具有以比构成该第1导电部件的元素原子序数大的元素为主要成分的电子散射形成膜。由此，可提高电子发射效率并可长时间维持该发射特性。
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公开(公告)号：CN1165937C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN99106923.4
申请日：1995-08-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明提供一种制造电子发射器件的方法，电子发射器件包括一对电极和位于电极之间并含有电子发射区的导电薄膜，其特征在于包括对含有间隙的导电薄膜在含有一种或一种以上有机物以及具有由通式XY(其中X和Y分别表示氢原子和卤素原子)表示的成分的气体的环境中施加电压的步骤。
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