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公开(公告)号：CN1052337C
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN94114899.8
申请日：1994-07-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种电子发射器件的制作方法及包括该电子发射器件的电子源和图象形成设备，该电子发射器件包括一对相对地设置的电极和一个包含设置在所述电极之间的电子发射区的导电膜，所述方法包括步骤：在安放在一对相对地设置的电极之间的一个导电膜中形成一个电子发射区；然后，降低包括在所述形成步骤中所形成的电子发射区的所述导电膜的电阻。
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公开(公告)号：CN101582358A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910140873.1
申请日：2009-05-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明公开一种电子发射器件和图像显示装置。所述电子发射器件具有：形成在基板上的一对器件电极、和连接到器件电极的导电膜。导电膜在器件电极之间具有第一间隙、并且至少在第一间隙中具有碳膜，所述碳膜具有第二间隙。基板是通过在基体上层叠含氮的激活抑制层和含氮率小于激活抑制层的含氮率的激活促进层形成的，并且沿膜厚度方向在激活抑制层中具有含氮率分布。激活促进层侧的激活抑制层的含氮率小于基体侧的激活抑制层的含氮率。
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公开(公告)号：CN1238548A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN99106923.4
申请日：1995-08-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明提供一种制造电子发射器件的方法，电子发射器件包括一对电极和位于电极之间并含有电子发射区的导电薄膜，其特征在于包括对含有间隙的导电薄膜在含有一种或一种以上有机物以及具有由通式XY(其中X和Y分别表示氢原子和卤素原子)表示的成分的气体的环境中施加电压的步骤。
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公开(公告)号：CN102013369A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010548689.3
申请日：2009-04-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/3046 , H01J29/04 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及电子发射器件、电子源、电子束装置和图像显示装置。电子发射器件包括：绝缘构件；阴极，布置在所述绝缘构件的表面上；以及栅极，布置在所述绝缘构件的所述表面上以便与所述阴极相对，其中，所述绝缘构件在阴极所在的所述表面上具有凹部，所述阴极具有突起部分，所述突起部分从所述凹部的边缘向着所述栅极突起，以及所述突起部分与所述凹部接触。
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公开(公告)号：CN101986417A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN201010514408.2
申请日：2009-04-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J29/467 , H01J31/127
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件、电子源、电子束装置和图像显示装置。该电子发射器件包括：设置在基板上的绝缘构件，该绝缘构件在该绝缘构件的表面上具有凹陷部分，其中该绝缘构件的该表面具有侧面和上面，该侧面延续至该凹陷部分，并且该上面延续至该凹陷部分；设置在该上面上的栅极；以及设置在该侧面上的阴极，该阴极具有从该凹陷部分的该侧面一侧的边缘向该栅极突起的突起部分，在该凹陷部分的该侧面一侧的边缘处该侧面延续至该凹陷部分，该突起部分与该栅极相对。其中，该突起部分的在沿该凹陷部分的该侧面一侧的边缘的方向上的长度短于该栅极的在沿该凹陷部分的该侧面一侧的边缘的方向上的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1084040C
公开(公告)日：2002-05-01
申请号：CN95121796.8
申请日：1995-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J1/30
CPC classification number: H01J9/027 , H01J2201/3165
Abstract: 一种制造由一对电极和包括设置在电极之间的电子发射区的导电薄膜构成的电子发射器件的方法，其特征在于用如下步骤制造电子发射区：改变导电薄膜区域的组分和使电流流过所说的导电薄膜。
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公开(公告)号：CN101556893A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910133528.5
申请日：2009-04-10
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J29/467 , H01J31/127
Abstract: 本发明提供设置有电子发射器件的电子束装置以及使用电子束装置的图像显示装置。所述电子束装置具有简单的结构，表现出高的电子发射效率并且稳定地工作。该电子束装置具有：在基板上形成的绝缘构件和栅极，在绝缘构件中形成的凹陷部分，从凹陷部分的边缘向栅极突起并被提供在阴极的与栅极相对的端部上的突起部分，该阴极被布置在绝缘构件的侧面上；并且使得电场会聚于突起部分的宽度方向上的端部，以使得电子从那里被发射。
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公开(公告)号：CN1165937C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN99106923.4
申请日：1995-08-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明提供一种制造电子发射器件的方法，电子发射器件包括一对电极和位于电极之间并含有电子发射区的导电薄膜，其特征在于包括对含有间隙的导电薄膜在含有一种或一种以上有机物以及具有由通式XY(其中X和Y分别表示氢原子和卤素原子)表示的成分的气体的环境中施加电压的步骤。
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公开(公告)号：CN1148728A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：CN96112123.8
申请日：1996-08-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027 , H01J1/316 , H01J2201/3165
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对相对设置的器件电极，一与器件电极电气连接的导电膜，该导电膜的一部分构成电子发射区。用包含金属氧化物为主要成分的金属氧化物涂层部分或全部覆盖导电膜。所述金属氧化物的熔点高于导电膜的主要成分材料的熔点。导电膜还有包含碳、碳化合物或其混合物的淀积层。
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公开(公告)号：CN1118931A
公开(公告)日：1996-03-20
申请号：CN94114899.8
申请日：1994-07-30
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 一种电子发射器件的制作方法及包括该电子发射器件的电子源和图像形成设备，该电子发射器件包括一对相对地设置的电极和一个包含设置在所述电极之间的电子发射区的导电膜，其特征在于所述方法包括一个降低设置在所述电极之间的导电膜的电阻的处理步骤。
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