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公开(公告)号：CN1670887A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510054565.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 西村三千代
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 一种制造具有发射电子所需的较低阈电场，而不存在无意电子发射的电子发射器件的方法，所述方法包括制备第一导电膜，第二导电膜和构成与第一导电膜连接的电子发射部分的材料的第一步骤，和把在对第一导电膜施加比对第二导电膜施加的电势更高的电势的情形下，启动电子发射所需的阈电场强度设置成高于在对第二导电膜施加比对第一导电膜施加的电势更高的电势的情形下，启动电子发射所需的阈电场强度的值的第二步骤。
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公开(公告)号：CN1363944A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01145682.5
申请日：2001-09-21
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J3/022 , G09G3/22 , G09G2320/02 , G09G2320/0238 , H04N5/70
Abstract: 本发明公开的是:一种驱动电子发射装置、电子源和成像装置的方法,电子源和成像装置的驱动电路以及一种电子源和成像装置,每个装置都能有效地终止电子发射。将电压(Vg－Vc)>0施加给应当发射电子的处于驱动状态的电子发射装置,由此使电子发射装置发射出电子。将电压(Vg－Vc)
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公开(公告)号：CN101246663B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710196049.9
申请日：2001-09-21
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J3/022 , G09G3/22 , G09G2320/02 , G09G2320/0238 , H04N5/70
Abstract: 本发明公开的是：一种驱动电子发射装置、电子源和成像装置的方法，电子源和成像装置的驱动电路以及一种电子源和成像装置，每个装置都能有效地终止电子发射。将电压(Vg-Vc)＞0施加给应当发射电子的处于驱动状态的电子发射装置，由此使电子发射装置发射出电子。将电压(Vg-Vc)＜0施加给不应当发射电子的处于终止状态的电子发射装置，由此使电子发射装置终止电子发射。通过这种方式，在终止状态的阴极电极与栅电极之间形成的电场变得与驱动状态中二者之间形成的电场相反，由此容易地削弱了指向阳极电极的电场，并有效地抑制了终止状态中的电子发射。
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公开(公告)号：CN1599002A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410058618.X
申请日：2004-07-23
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 西村三千代
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/316 , H01J9/027 , H01J2201/3165 , Y10S257/918
Abstract: 本发明的课题是提供电特性稳定的、在元件间没有离散性的电子发射元件的制造方法。在基板(1)上形成阴极电极(2)、在该阴极电极(2)上配置的碳层(5)和栅电极(3)，配置阳极电极(4)，对碳层(5)施加比驱动电压低的电压。
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公开(公告)号：CN1123033C
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN97120856.5
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C03C21/002 , C03C17/06 , H01J1/316
Abstract: 含钠玻璃基片，具有改性表面，其上将要形成导电薄膜。改性表面由一层钠浓度小于玻璃基片本体的钠浓度的层构成，该层的钠含量与所有金属元素的比例不大于2%原子百分比。与玻璃基片的主体相比，改性表面上硫含量更低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1670887B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200510054565.9
申请日：2005-03-11
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 西村三千代
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127
Abstract: 一种制造具有发射电子所需的较低阈电场，而不存在无意电子发射的电子发射器件的方法，所述方法包括制备第一导电膜，第二导电膜和构成与第一导电膜连接的电子发射部分的材料的第一步骤，和把在对第一导电膜施加比对第二导电膜施加的电势更高的电势的情形下，启动电子发射所需的阈电场强度设置成高于在对第二导电膜施加比对第一导电膜施加的电势更高的电势的情形下，启动电子发射所需的阈电场强度的值的第二步骤。
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公开(公告)号：CN1187781C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN00135597.X
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C03C21/002 , C03C17/06 , H01J1/316
Abstract: 一种制备包括基片、设置于基片表面的电子发射器件和用电子发射器件所发射的电子辐照形成图象的成像部件的成像装置的方法，其特征在于，包括在基片上形成电子发射器件的步骤，其中电子发射器件包括导电薄膜，该薄膜设置于一对器件电极之间并具有电子发射区，基片含钠，承载电子发射器件的基片表面的钠浓度不大于2at%，且与基片本体相比，在用来承载电子发射器件的表面附近，基片的钠浓度降低，并且其中基片还包含硫，并且，从承载电子发射器件的表面计算，硫浓度小于基片本体的硫浓度的区域形成的深度大于0.1μm，该层的硫浓度不大于0.1at%。
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公开(公告)号：CN1313624A
公开(公告)日：2001-09-19
申请号：CN00135597.X
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01J9/02
CPC classification number: C03C21/002 , C03C17/06 , H01J1/316
Abstract: 一种制备包括基片、设置于基片表面的电子发射器件和用电子发射器件所发射的电子辐照形成图象的成像部件的成像装置的方法,其特征在于,包括在基片上形成电子发射器件的步骤,其中基片含钠,且与基片本体相比,在承载电子发射器件的表面附近,基片的钠浓度降低。
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公开(公告)号：CN1131756A
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：CN95121796.8
申请日：1995-11-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G03G15/00
CPC classification number: H01J9/027 , H01J2201/3165
Abstract: 一种制造由一对电极和包括设置在电极之间的电子发射区的导电薄膜构成的电子发射器件的方法，其特征在于用如下步骤制造电子发射区：改变导电薄膜区域的组分和使电流流过所说的导电薄膜。
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公开(公告)号：CN101419889A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810175012.2
申请日：2008-10-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30453 , H01J2329/0444
Abstract: 本发明涉及电子发射器件及其制造方法、电子源、图像显示装置。电子发射器件的制造方法包括如下步骤：预先制备配有绝缘或半导电层的基底；和使该层暴露在包含含氢中性原子团的气氛中。优选地，绝缘或半导电层包含金属粒子；绝缘或半导电层是包含碳作为主要成分的膜；含氢中性原子团包含H·、CH3·、C2H5·和C2H·的任何一种或它们的混合气体；与气氛中带电粒子的密度相比，气氛中含氢中性原子团的密度为1,000倍以上；以及使绝缘或半导电层暴露在气氛中的步骤是利用配有偏置栅格的等离子体装置进行氢终止的步骤。
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