电子发射器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101377992B

    公开(公告)日:2010-09-15

    申请号:CN200810212473.2

    申请日:2008-08-29

    CPC classification number: H01J1/316 H01J9/027 H01J2201/3165

    Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件及其制造方法。根据本发明的电子发射器件的制造方法包括以下步骤:制备衬底和导电膜,所述衬底具有第一电极和第二电极,所述导电膜用于将所述第一电极与所述第二电极连接;以及通过将电压施加在所述第一电极与所述第二电极之间而在所述导电膜上形成间隙;其中,所述导电膜的平面形状具有在所述第一电极与所述第二电极之间的V形部分。

    膜形成方法及制造电子源基板的方法

    公开(公告)号:CN100588543C

    公开(公告)日:2010-02-10

    申请号:CN200610071674.6

    申请日:2006-03-28

    Inventor: 三岛诚治

    Abstract: 在采用具有多个喷嘴的喷墨头在多个位置中形成膜的情况下,提供一种对例如由基板畸变引起的液滴施加位置的误差进行有效修正的方法,从而以高的生产成品率制造电子源。通过预先获取基板(1)的表面图像,检测电子源基板(1)上的器件电极(2)和(3)的位置,然后计算导电膜(4)的位置作为液滴施加位置,且喷墨头(11)的倾斜角θ被调整成使喷嘴(12)的间距与所得到的液滴施加位置的间距d匹配。

    电子发射器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101377992A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:CN200810212473.2

    申请日:2008-08-29

    CPC classification number: H01J1/316 H01J9/027 H01J2201/3165

    Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件及其制造方法。根据本发明的电子发射器件的制造方法包括以下步骤:制备衬底和导电膜,所述衬底具有第一电极和第二电极,所述导电膜用于将所述第一电极与所述第二电极连接;以及通过将电压施加在所述第一电极与所述第二电极之间而在所述导电膜上形成间隙;其中,所述导电膜的平面形状具有在所述第一电极与所述第二电极之间的V形部分。

    电子源基板的制造方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1305094C

    公开(公告)日:2007-03-14

    申请号:CN03159462.X

    申请日:2003-09-25

    Inventor: 三岛诚治

    CPC classification number: H01J9/027 H01J2201/3165 H01J2329/00

    Abstract: 提供一种电子源基板的制造方法。其中,相应于不同区域分别使用多种喷墨装置(109、110)。例如,对配置于隔片(91)的固定位置附近的元件电极(2、3),采用着弹精度和喷射量精度等的性能优异的喷墨装置(109),而对其以外的元件电极(2、3),采用性能差的喷墨装置(110)。由此,可以以低成本、高生产率制作高品质的电子源基板。

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