-
公开(公告)号：CN101263605B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200680033996.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/26 , H01L29/78 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种包括由包括In和Zn的氧化物半导体材料构成的沟道的场效应晶体管。通过In/(In+Zn)表达的原子组成比率不少于35原子％并且不多于55原子％。Ga不包括在氧化物半导体材料中，或者当Ga包括在其中时，将通过Ga/(In+Zn+Ga)表达的原子组成比率设置为30原子％或更低。所述晶体管具有改进的S值和场效应迁移率。
-
公开(公告)号：CN101375405B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200780003782.2
申请日：2007-01-11
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 岩崎达哉
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/4908 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，设置有基底上形成的栅电极（15）、源电极（13）和漏电极（14），所述场效应晶体管包括：由氧化物构成的沟道层（11），所述氧化物包含In、Zn或Sn作为主要成分；以及栅绝缘层（12），设置在沟道层（11）与栅电极（15）之间，其中，所述栅绝缘层（12）由包含Ga作为主要成分的无定形氧化物形成。
-
公开(公告)号：CN101911304A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880123969.0
申请日：2008-12-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种非晶氧化物至少包含：选自由In、Zn和Sn构成的组的至少一种元素；和Mo。该非晶氧化物中的Mo对比所有金属原子的数量的原子组成比大于等于0.1原子％且小于等于5原子％。
-
公开(公告)号：CN101548388B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200780043183.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包含具有氧化铟的沟道层(11)，该方法包括形成氧化铟膜作为沟道层，并在氧化气氛中使形成的氧化铟膜进行退火。
-
公开(公告)号：CN101752428A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910258502.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/34 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置，该场效应晶体管至少具有：半导体层；和栅电极，该栅电极被设置在上述的半导体层之上使得其间具有栅绝缘膜，其中，上述的半导体层包含具有选自Zn和In的组的至少一种元素的第一非晶氧化物半导体层、和具有选自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自Zn和In的组的至少一种元素的第二非晶氧化物半导体层。上述的第一非晶氧化物半导体层的成分与上述的第二非晶氧化物半导体层的成分不同。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101548388A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780043183.3
申请日：2007-11-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种薄膜晶体管的制造方法，该薄膜晶体管包含具有氧化铟的沟道层(11)，该方法包括形成氧化铟膜作为沟道层，并在氧化气氛中使形成的氧化铟膜进行退火。
-
公开(公告)号：CN1691247A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200410097866.5
申请日：1994-04-04
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 鲈英俊 , 长田芳幸 , 野村一郎 , 小野武夫 , 河出一佐哲 , 山口英司 , 武田俊彦 , 户岛博彰 , 浜元康弘 , 岩崎达哉 , 矶野青儿 , 铃木朝岳 , 外处泰之 , 奥田昌弘 , 新庄克彦
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种制造电子源的方法，该电子源具有多个表面传导电子发射器件，它们与一个基片上的多条接线相连，该方法的特征在于包括以下步骤：从设置为在每条接线(352；362；393)的多个位置与每条接线(352；362；393)接触的电连接部分(354；377，378，395，397)向与多条接线(65，66；272，273)中的每条接线(352；362；393)连接的多个导电膜(64；271)提供电功率。
-
公开(公告)号：CN1066568C
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN94109158.9
申请日：1994-06-24
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N3/125 , G06F3/147 , G09G3/2011 , G09G3/2014 , G09G3/22 , G09G2340/12 , H01J1/316 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H04N3/122
Abstract: 在一种电子束装置中包括一个外壳，在该外壳中设置了一个具有在相反极性电极之间的电子发射区的电子发射器件，该电子发射器件呈现这样的特性，即发射电流是相对器件电压单值地被确定的。其外壳的内部维持在一种有效阻止所述电子发射器件结构改变的气氛中。一种图象形成装置包括一个外壳，在该外壳中设置了电子源及图象形成部分，该电子源包括上述电子发射器件。发射电流稳定并且发射的电子量的变化很小，产生出清晰的图象并具有高对经度，及易于进行色调控制。
-
公开(公告)号：CN1927995B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200610128978.1
申请日：2006-09-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , H01J29/20 , H01J29/24 , H01J31/127 , Y10T428/24628
Abstract: 本发明目的为提供新型氧化物荧光材料。该荧光材料以下述元素为构成元素，所述元素为选自Mg、Ca、Sr、Ba中的元素，选自Si、Ge中的元素，选自稀土类的元素，以及氧；其结晶结构为假硅灰石结构。在基板51上层叠配置由荧光材料形成的膜54及含有选自Si、Ge中的至少一种或一种以上的元素作为构成元素的膜52。具有连接由荧光材料构成的部位、含有选自Si、Ge中的至少一种或一种以上的元素作为构成元素的邻接膜。
-
公开(公告)号：CN102569414A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110418044.2
申请日：2011-12-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L29/26
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78618
Abstract: 本发明涉及沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制造方法。通过使用氧化物半导体在衬底上形成沟道层，并且随后在沟道层上形成包含In、Zn和Ga并且表现出比该氧化物半导体的刻蚀速率大的刻蚀速率的氧化物的牺牲层。其后，在牺牲层上形成源极电极和漏极电极，并且利用湿法刻蚀去除在源极电极和漏极电极之间露出的牺牲层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
62
records
(took 0.029 seconds)
