-
公开(公告)号：CN101752428A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910258502.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/34 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置，该场效应晶体管至少具有：半导体层；和栅电极，该栅电极被设置在上述的半导体层之上使得其间具有栅绝缘膜，其中，上述的半导体层包含具有选自Zn和In的组的至少一种元素的第一非晶氧化物半导体层、和具有选自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自Zn和In的组的至少一种元素的第二非晶氧化物半导体层。上述的第一非晶氧化物半导体层的成分与上述的第二非晶氧化物半导体层的成分不同。
-
公开(公告)号：CN101752428B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200910258502.3
申请日：2009-12-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L21/34 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置，该场效应晶体管至少具有：半导体层；和栅电极，该栅电极被设置在上述的半导体层之上使得其间具有栅绝缘膜，其中，上述的半导体层包含具有选自Zn和In的组的至少一种元素的第一非晶氧化物半导体层、和具有选自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自Zn和In的组的至少一种元素的第二非晶氧化物半导体层。上述的第一非晶氧化物半导体层的成分与上述的第二非晶氧化物半导体层的成分不同。
-
公开(公告)号：CN101926008B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980103002.0
申请日：2009-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种场效应晶体管，至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极、以及栅极电极。所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成，所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率B/(In+B)。
-
公开(公告)号：CN101926008A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200980103002.0
申请日：2009-01-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 一种场效应晶体管，至少包括形成在基板上的沟道层、栅绝缘层、源极电极、漏极电极、以及栅极电极。所述沟道层以至少包含In和B的非晶氧化物材料制成，所述非晶氧化物材料具有等于或大于0.05并且等于或小于0.29的元素比率B/(In+B)。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
