公开(公告)号：CN102569414A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110418044.2

申请日：2011-12-15

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳沼诚一郎 ,  岩崎达哉 ,  林享 ,  云见日出也 ,  渡边昌也

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/26

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制造方法。通过使用氧化物半导体在衬底上形成沟道层，并且随后在沟道层上形成包含In、Zn和Ga并且表现出比该氧化物半导体的刻蚀速率大的刻蚀速率的氧化物的牺牲层。其后，在牺牲层上形成源极电极和漏极电极，并且利用湿法刻蚀去除在源极电极和漏极电极之间露出的牺牲层。