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公开(公告)号：CN1516224A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN03128498.1
申请日：1998-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/92 , H01J29/88 , H01J2201/3165
Abstract: 一种成像装置，包括：壳体；设在所述壳体内的电子源；设在所述壳体内的加速电极，用于加速电子源射出的电子；由所述壳体引出的所述加速电极的施加电压端；以及围绕所述加速电极的所述施加电压端的引出部位设置的导电构件。所述导电构件接地。所述部位是位于设置了所述电子源的一侧基板上。
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公开(公告)号：CN1126884A
公开(公告)日：1996-07-17
申请号：CN95116828.2
申请日：1995-08-29
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H01J2329/0489
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对电极以及位于电极之间的含有电子发射区的导电膜，电子发射区内包括石墨膜。使用波长为514.5nm光点直径为1μm的激光源对石墨膜进行拉曼光谱分析表明，石墨膜呈现有几个散射光的峰值，其中1)位于1.580cm-1附近的峰值(P2)大于位于1.335cm-1附近的峰值(P1)或2)位于1.335cm-1附近的峰值(P1)不大于150cm-1。
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公开(公告)号：CN1056013C
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN95116828.2
申请日：1995-08-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H01J2329/0489
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对电极以及位于电极之间的含有电子发射区的导电薄膜，电子发射区内包括石墨膜。使用波长为514.5mm，光直径为1μm的激光源对石墨膜进行拉曼光谱分析表明，石墨膜呈现有几个散射光的峰值，其中1)位于1580cm-1附近的峰值(P2)大于位于1335cm-1附近的峰值(P1)或2)位于1335cm-1附近的峰值(P1)不大于150cm-1。
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公开(公告)号：CN1202722A
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN98108869.4
申请日：1998-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/92 , H01J29/88 , H01J2201/3165
Abstract: 一种成像装置,它包括壳体、电子源、装在壳体内的成像构件和电子源驱动电路。在电子源与成像构件之间壳体的内壁表面上设置一个导电构件。形成一个在导电构件与地之间连接的电流路径A,该电流路径A不经过电子源和驱动电路中的任何一个。电流路径A具有比另外一个电流路径B的电阻低的电阻,电流路径B通过电子源或驱动电路连接在导电构件与地之间。
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公开(公告)号：CN1252784C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03128498.1
申请日：1998-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/92 , H01J29/88 , H01J2201/3165
Abstract: 一种成像装置，包括：壳体；设在所述壳体内的电子源；设在所述壳体内的加速电极，用于加速电子源射出的电子；由所述壳体引出的所述加速电极的施加电压端；以及围绕所述加速电极的所述施加电压端的引出部位设置的导电构件。所述导电构件接地。所述部位是位于设置了所述电子源的一侧基板上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1230865C
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN98108869.4
申请日：1998-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/92 , H01J29/88 , H01J2201/3165
Abstract: 一种成像装置，它包括壳体、电子源、装在壳体内的成像构件和电子源驱动电路。在电子源与成像构件之间壳体的内壁表面上设置一个低电阻导电构件。形成一个在低电阻导电构件与地之间连接的电流路径A，该电流路径A不经过电子源和驱动电路中的任何一个。电流路径A具有比另外一个电流路径B的电阻低的电阻，电流路径B通过电子源或驱动电路连接在导电构件与地之间，所述低电阻导电构件位于电子源的周围。
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公开(公告)号：CN1165937C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN99106923.4
申请日：1995-08-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/481 , H01J1/316 , H01J9/027 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2329/00 , H01J2329/0489
Abstract: 本发明提供一种制造电子发射器件的方法，电子发射器件包括一对电极和位于电极之间并含有电子发射区的导电薄膜，其特征在于包括对含有间隙的导电薄膜在含有一种或一种以上有机物以及具有由通式XY(其中X和Y分别表示氢原子和卤素原子)表示的成分的气体的环境中施加电压的步骤。
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公开(公告)号：CN1146623A
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN96107769.7
申请日：1996-05-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J29/898
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对彼此相对设置的器件电极，和一对器件电极中的两个电极相连的导电薄膜，以及在导电薄膜的一部分中形成的电子发射区。导电薄膜由包括第一金属元素作为主要成分元素以及至少一种第二金属元素的细微粒构成。所述第二金属元素沉淀在导电薄膜的表面上，从而形成低功函数层。当在一对器件电极之间加上电压时，第二金属元素从导电薄膜的内部向导电薄膜的表面的至少一部分移动。
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公开(公告)号：CN1161814C
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN98120619.0
申请日：1998-09-16
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J9/027
Abstract: 本发明提供了一种电子源与图象形成装置的制造方法，以及电子源制造装置，所述电子源具有电子发射单元。其中，所述电子源的制造方法包括以下步骤：在至少包括电子发射单元发射电子的区域的区域中淀积碳或碳化合物或它们的组合，其中，所述淀积步骤是在包含碳或碳化合物或它们的组合的至少一种源材料的气体气氛中进行的，该气体气氛具有从100Pa到2个大气压范围内的压力。所述图象形成装置的制造方法包括将图象形成单元和所述电子源组装成一体。
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公开(公告)号：CN1090379C
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN96107769.7
申请日：1996-05-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J29/898
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对彼此相对设置的器件电极，和一对器件电极中的两个电极相连的导电薄膜，以及在导电薄膜的一部分中形成的电子发射区。导电薄膜由包括第一金属元素作为主要成分元素以及至少一种第二金属元素的细微粒构成。所述第二金属元素沉淀在导电薄膜的表面上，从而形成低功函数层。当在一对器件电极之间加上电压时，第二金属元素从导电薄膜的内部向导电薄膜的表面的至少一部分移动。
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