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公开(公告)号：CN1197282A
公开(公告)日：1998-10-28
申请号：CN97129751.7
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01J29/82 , H01J9/185 , H01J9/242 , H01J29/028 , H01J29/864 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2237/004 , H01J2329/864 , H01J2329/8645 , H01J2329/8655
Abstract: 使用减少电荷的薄膜涂敷含有电子发射器件的真空容器内的表面,防止因表面的电荷引起的电子束偏离。减少电荷的薄膜包括含有一种或一种以上过渡金属和选自铝、硅或硼的至少一种元素的氮化合物膜。可在减少电荷的层上设置氧化层。
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公开(公告)号：CN1146623A
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN96107769.7
申请日：1996-05-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J29/898
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对彼此相对设置的器件电极，和一对器件电极中的两个电极相连的导电薄膜，以及在导电薄膜的一部分中形成的电子发射区。导电薄膜由包括第一金属元素作为主要成分元素以及至少一种第二金属元素的细微粒构成。所述第二金属元素沉淀在导电薄膜的表面上，从而形成低功函数层。当在一对器件电极之间加上电压时，第二金属元素从导电薄膜的内部向导电薄膜的表面的至少一部分移动。
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公开(公告)号：CN1090379C
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN96107769.7
申请日：1996-05-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J1/316 , H01J29/898
Abstract: 一种电子发射器件，包括一对彼此相对设置的器件电极，和一对器件电极中的两个电极相连的导电薄膜，以及在导电薄膜的一部分中形成的电子发射区。导电薄膜由包括第一金属元素作为主要成分元素以及至少一种第二金属元素的细微粒构成。所述第二金属元素沉淀在导电薄膜的表面上，从而形成低功函数层。当在一对器件电极之间加上电压时，第二金属元素从导电薄膜的内部向导电薄膜的表面的至少一部分移动。
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公开(公告)号：CN1127750C
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN97129751.7
申请日：1997-12-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J29/82 , H01J9/185 , H01J9/242 , H01J29/028 , H01J29/864 , H01J31/127 , H01J2201/3165 , H01J2237/004 , H01J2329/864 , H01J2329/8645 , H01J2329/8655
Abstract: 使用减少电荷的薄膜涂敷含有电子发射器件的真空容器内的表面，防止因表面的电荷引起的电子束偏离。减少电荷的薄膜包括含有一种或一种以上过渡金属和选自铝、硅或硼的至少一种元素的氮化合物膜。可在减少电荷的层上设置氧化层。
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