公开(公告)号：CN1052339C

公开(公告)日：2000-05-10

申请号：CN92103908.5

申请日：1992-05-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76245 ,  H01L21/76251 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/977

Abstract: 半导体基体材料的制作方法，其特征为具有以下工序：使硅基体形成多孔性后，在该多孔性硅基体上形成非多孔性硅单晶层的工序；通过上述非多孔性硅单晶层将上述多孔性硅基体和绝缘性基体贴合起来的一次贴合式序；在上述一次贴合工序后，用化学腐蚀法将上述多孔性硅除去的腐蚀工序；以及在上述一次贴合之后进行的、使上述一次贴合更牢固的二次贴合工序。

公开(公告)号：CN1241016A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99111074.9

申请日：1999-06-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76243

Abstract: 制备其表面层在含氢气的还原气氛中已热处理的单晶硅衬底;通过注入氧离子形成离子注入层;随后,利用离子注入层通过热处理形成埋入的氧化膜(BOX)层。由此得到具有在BOX层上形成且如COP等的缺陷数量显著减少的单晶硅层(SOI层)的SOI衬底。

公开(公告)号：CN1227405A

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：CN99102433.8

申请日：1999-02-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  佐藤信彦

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  C25F3/30 ,  C25F7/00 ,  C25D17/00

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C25D11/005 ,  C25D11/32 ,  C25D17/002 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/76259

Abstract: 制作了一种具有多层结构的多孔层。待加工的硅衬底(102)在被夹持于阳极氧化浴槽(101)中的阳极(106)和阴极(104)之间的情况下，在第一电解液(141，151)中被阳极氧化。用第二电解液(142，152)更换第一电解液(141，151)。硅衬底(102)再次被阳极氧化，从而在硅衬底(102)上制作具有多层结构的多孔层。

公开(公告)号：CN1222757A

公开(公告)日：1999-07-14

申请号：CN98125515.9

申请日：1998-12-25

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  柳田一隆

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  B08B3/12 ,  C23F1/24

Abstract: 本方法可保证去除多孔层后的底层平整度。把要处理的衬底浸入腐蚀剂中,第一步,施加超声波,把腐蚀液注入到多孔硅层的孔中;第二步,停止施加超声波,通过腐蚀作用减薄孔壁;第三步,再次施加超声波,使多孔层一次断裂。

公开(公告)号：CN1042375C

公开(公告)日：1999-03-03

申请号：CN92108981.3

申请日：1992-07-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 市川武史 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/76251 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S148/012

Abstract: 一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤：使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基体上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。

公开(公告)号：CN1192580A

公开(公告)日：1998-09-09

申请号：CN98105640.7

申请日：1998-02-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳田一隆 ,  坂口清文

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  B65G49/07

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/67057 ,  Y10T29/41

Abstract: 支架驱动机构用夹持部分固定晶片支架,并在晶片处理槽内摆动它。当晶片周边部分与摆动支撑部件的顶部接触时,晶片旋转并在晶片支架里垂直运动。晶片能被有效地摆动,能做到均匀处理。通过使用超声槽里的超声波,能够提高处理速率。

公开(公告)号：CN1192055A

公开(公告)日：1998-09-02

申请号：CN97129782.7

申请日：1997-12-26

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 中川克己 ,  米原隆夫 ,  西田彰志 ,  坂口清文

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02032 ,  C30B19/12 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/76251 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0062 ,  H01L2221/68368 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10S438/977

Abstract: 为了达到晶体的高性能和半导体构件的低成本,以便低成本地制造具有高效率和柔软形状的太阳电池,利用下述步骤制造半导体构件,(a)在衬底的表面形成多孔层,(b)把多孔层在高温还原气氛下浸入溶解了用于形成待生长的半导体层的元素的溶液,以便在多孔层表面上生长晶体半导体层,(c)把另一衬底连接在其上形成多孔层和半导体层的衬底表面上,(d)在多孔层从另一衬底分离该衬底。

公开(公告)号：CN1169025A

公开(公告)日：1997-12-31

申请号：CN97109536.1

申请日：1997-02-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 坂口清文 ,  米原隆夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76259

Abstract: 制造质量好重复性好的SOI衬底的方法。同时，重复使用晶片实现节约资源降低成本。该方法包括以下步骤：粘接第1和第2衬底的主表面，第1衬底是Si衬底，其中通过多孔Si层形成至少一层无孔薄膜；露出由第1和第2衬底构成的粘接衬底侧表面中的多孔硅层；氧化粘接衬底分割多孔Si层；除去由分割多孔Si层而分开的第2衬底上的多孔Si和氧化多孔Si层。

公开(公告)号：CN1159071A

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN96121054.0

申请日：1996-10-04

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤信彦 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02032 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3223 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76259 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

Abstract: 生产平整、质量好SOI衬底的方法，同时包括多孔形成步骤，在硅衬底的至少一个表面上形成多孔硅层；及大孔隙率层形成步骤，在多孔硅层中形成大孔隙率层。把离子注入多孔硅层并伸入到给定区域，或者在多孔形成步骤中改变阳极氧化的电流密度，进行大孔隙率层形成步骤。在多孔硅层上面外延生长非多孔单晶硅层。把多孔硅层表面和支撑衬底连接在一起，在具有大孔隙率的多孔硅层处进行分离。接着进行选择刻蚀，以便除掉多孔硅层。通过重复利用衬底能节省资源和降低成本。

公开(公告)号：CN1073550A

公开(公告)日：1993-06-23

申请号：CN92108981.3

申请日：1992-07-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 市川武史 ,  米原隆夫 ,  坂口清文

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/72

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L21/0203 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/76251 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y10S148/012

Abstract: 一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤：使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基础上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。