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公开(公告)号：CN1258091A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99123433.2
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/67092
Abstract: 本发明提供一种适用于制造SOI衬底的加工系统。加工系统包括:无向自动控制装置,用以传送由自动操作手保持的键合衬底叠片;以及配置在与无向自动控制装置的驱动轴大致等距离的位置的定中心设备、分离设备、翻转设备、和清洗/干燥设备。当自动操作手在水平面的绕驱动轴转动并移动靠近或离开该驱动轴时,就在各加工设备之间传递键合衬底叠片或分离后的衬底。
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公开(公告)号：CN1243327A
公开(公告)日：2000-02-02
申请号：CN99110696.2
申请日：1999-07-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01H21/00
Abstract: 本发明防止了具有分离层的键合衬底叠层被分离时产生的缺陷。在第一工序中,在旋转键合衬底叠层(101)的情况下,将射流喷射到多孔层(101b),以便局部分离键合衬底叠层(101),同时留下多孔层(101b)的中心部分作为未分离区。在第二工序中,在停止键合衬底叠层(101)旋转的情况下,将射流喷射到多孔层(101b)。从预定方向将力施加到未分离区,以便完全分离键合衬底叠层(101)。
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公开(公告)号：CN1221973A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98126335.6
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , B26F3/004 , H01L21/67092 , H01L2924/30105 , Y10S156/941 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/11 , Y10T156/1126 , Y10T156/1374 , Y10T156/19
Abstract: 提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108,109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101),从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。
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公开(公告)号：CN1175498C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN99103155.5
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76251 , H01L21/76259
Abstract: 为了分离第一和第二基底衬底而不会对其造成损坏，和使残损的基底衬底再次用作半导体衬底来提高生产率，公开了半导体衬底的制造方法，包括在形成于与键合面不同位置的分离区，将通过绝缘层相互键合第一基底衬底和第二基底衬底所形成的复合部件分离成多个部件，以将一个基底衬底的一部分转移于另一基底上。分离区的机械强度沿复合部件的键合面是非均匀的。
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公开(公告)号：CN1444252A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN03107555.X
申请日：1998-03-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , H01L21/6838 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1374 , Y10T156/1922 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939
Abstract: 为分离由多个键合元件组成的组合元件而不将其破坏或损坏，从喷嘴对着组合元件喷射流体，以便在与键合位置不同的位置将组合元件分离成多个元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1228607A
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：CN99103155.5
申请日：1999-02-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/76251 , H01L21/76259
Abstract: 为了分离第一和第二基底衬底而不会对其造成损坏,和使残损的基底衬底再次用作半导体衬底来提高生产率,公开了半导体衬底的制造方法,包括在形成于与键合面不同位置的分离区,将通过绝缘层相互键合第一基底衬底和第二基底衬底所形成的复合部件分离成多个部件,以将一个基底衬底的一部分转移于另一基底上。分离区的机械强度沿复合部件的键合面是非均匀的。
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公开(公告)号：CN1191385A
公开(公告)日：1998-08-26
申请号：CN98105320.3
申请日：1998-02-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/306 , C23F1/24
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/10 , B08B3/12 , H01L21/2007 , H01L21/30608 , Y10S134/902
Abstract: 超声槽(30)置于晶片处理槽(10)的下面。将超声波从超声槽(30)传送到晶片处理槽(10)的同时处理晶片(40)。在将晶片(40)完全浸入晶片处理槽(10)并用晶片旋转连杆(53)旋转晶片的同时处理晶片(40)。
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公开(公告)号：CN1160760C
公开(公告)日：2004-08-04
申请号：CN99123686.6
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67092 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/1137 , Y10T156/1939
Abstract: 本发明提供了以高产率分离具有多孔层的粘合的基片叠的技术。涉及的分离设备有一对基片保持部从上下侧夹住粘合的基片叠且水平地保持其转动。由喷嘴喷出射流到基片叠的多孔层中，而于此多孔层将基片叠分离。另一分离设备则具有：一对基片保持部、将流体注入基片叠的多孔层的喷嘴、以及用来防止下基片保持部突发向下运动但在分离此粘合的基片叠时允许其适度运动的意外操作防止机构。
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公开(公告)号：CN1153264C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN98126335.6
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/6835 , B26F3/004 , H01L21/67092 , H01L2924/30105 , Y10S156/941 , Y10T29/49821 , Y10T83/364 , Y10T156/11 , Y10T156/1126 , Y10T156/1374 , Y10T156/19
Abstract: 一种物体分离装置和方法以及半导体衬底制造方法。提供了一种在多孔层处分离带有多孔层的衬底的装置。带有多孔层(101b)的键合衬底叠层(101)在旋转的情况下由衬底固定部分(108，109)支持。高速高压的水(射流)从喷嘴(112)射出并注入到键合衬底叠层(101)，从而物理上将键合衬底叠层(101)分离成二个衬底。射流压力根据分离工艺的进展而恰当地改变。
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公开(公告)号：CN1127753C
公开(公告)日：2003-11-12
申请号：CN99123434.0
申请日：1999-11-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/67196 , Y10S134/902
Abstract: 本发明是为了提供适合于制造例如SOI衬底的加工系统。加工系统包括，其上按大体上等角度间隔安装有用于保持键合衬底叠片的保持机械装置的转盘、用于使转盘在枢轴上转动预定角度以使由上述的保持机械装置保持的键合衬底叠片或分离的衬底移动到操作位置的驱动机械装置以及用于处理在操作位置上的键合衬底叠片或分离的衬底的定中心装置、分离装置和清洗/干燥装置。
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