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公开(公告)号：CN1840748B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610071561.6
申请日：2006-03-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种制造大型金刚石衬底的方法，以及通过该方法制备的适合半导体石印加工和大型光学部件、半导体材料、放热衬底、半导体晶片加工和反馈器件等的衬底。本发明的金刚石衬底的制造方法包括：制备具有包含为凹面的第一区和围绕该第一区的第二区的主表面的衬底，并在第一区上安装板厚度大于第一区的凹面深度的单晶金刚石种衬底的安装步骤；通过化学气相沉积，从单晶金刚石种衬底形成CVD金刚石层，并通过在第二区上同时形成CVD金刚石层，从而相互连接的连接步骤；和通过机械抛光，将单晶金刚石种衬底上和第二区上的CVD金刚石层都抛光至基本上平坦的抛光步骤。
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公开(公告)号：CN101375363A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200780003705.7
申请日：2007-06-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01J1/304 , H01J37/073 , H01L21/027
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/073 , H01J37/3174 , H01J2201/30457 , H01J2237/06341 , H01J2237/26
Abstract: 本发明的目的在于提供高亮度、低能量分散且长寿命的电子发射阴极，提供采用金刚石制造的电子发射阴极。因此，本发明的目的在于提供可充分稳定地把持的，且前端尖锐化了的，提高了电场强度的金刚石电子发射阴极。本发明所涉及的金刚石电子发射阴极(110)至少分为3个区域，即在柱状前端以电子发射为目的的前端区域(203)、在长度方向以在对面上把持为目的的后端区域(201)、经过细径加工的中间区域(202)，后端区域的断面积是0.1mm2以上，前端区域的前端经过尖锐化加工，经过细径加工的中间区域的断面积最大为0.1mm2以下。
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公开(公告)号：CN1819885A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200380110412.0
申请日：2003-11-12
Applicant: 联合材料公司 , 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/27 , B23G5/06 , B23G2200/26 , B23G2225/08 , B23G2225/16 , B23G2225/28 , C23C16/0218 , Y10T428/30
Abstract: 本发明提供一种切削性能、耐磨性、耐溶敷性、加工表面粗糙度良好的金刚石膜被覆工具及其制造方法。金刚石膜被覆工具，是在基材的表面上覆盖金刚石的膜的金刚石膜被覆工具，其中，所述基材是超硬合金或金属陶瓷，构成所述金刚石膜的成长表面的金刚石结晶颗粒的平均颗粒直径在1.5μm以下，所述金刚石膜的厚度在0.1μm以上20μm以下，所述金刚石膜的平均表面粗糙度用Ra表示在0.01μm以上0.2μm以下。通过对由超硬合金或金属陶瓷构成的基材进行渗碳处理，使金刚石膜成长来得到这样的金刚石膜被覆工具。
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公开(公告)号：CN1651616A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410100663.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/365
Abstract: 一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用汽相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度，所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度，当金刚石单晶衬底并排设置时，所述一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中，而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向{100}朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向，然后通过汽相合成生长金刚石单晶体，从而使从所述一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体，来获得全面的整合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100567592C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200480000322.0
申请日：2004-01-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/279 , C23C16/274 , C30B29/04 , C30B33/00 , C30B33/06
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
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公开(公告)号：CN101253426A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200680032121.8
申请日：2006-08-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: G02B1/00 , G02B5/1857 , G02B6/1221 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明涉及一种光学装置，该光学装置包括含有硅、氧、碳和氢作为主要成分的透明薄膜，其中所述薄膜包括具有较高折射率的局部区和具有较低折射率的局部区。
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公开(公告)号：CN100336943C
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200410100663.7
申请日：2004-12-07
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B25/20 , C30B29/04 , H01L21/365
Abstract: 一种金刚石单晶合成衬底，该衬底由具有并排设置成统一平面取向的多个金刚石单晶衬底构造而成，并通过利用气相合成在其上生长金刚石单晶体来全面整合，其中除了一个金刚石单晶衬底之外，所述多个金刚石单晶衬底中每一个的主平面的平面取向与平面{100}的偏差都小于1度，所排除的一个衬底的主平面的平面取向与平面{100}的偏差为1至8度，当金刚石单晶衬底并排设置时，一个金刚石单晶衬底设置在最外侧的外周缘部分中，而且该衬底设置成使得所述一个衬底主平面中的方向 朝向所设置的衬底外侧的外周缘方向，然后通过气相合成生长金刚石单晶体，从而使从一个金刚石单晶衬底生长的金刚石单晶体覆盖其他衬底上生长的金刚石单晶体，来获得全面的整合。
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公开(公告)号：CN1331235C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN03814068.3
申请日：2003-06-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/04 , H01L21/02376 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02444 , H01L21/02494 , H01L21/02527 , H01L21/02576 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/041 , H01L29/66022 , H01L29/66037
Abstract: 加工金刚石{100}面单晶基板(10)，形成金刚石{111}面后，一边在金刚石{111}面上掺杂n型掺杂剂一边使金刚石外延生长，形成n型金刚石外延层(20)。而且通过将上述方式得到的n型半导体金刚石和p型半导体金刚石、和未掺杂金刚石加以组合，采用p型半导体金刚石{100}面单晶基板等，可以得到pn结型、pnp结型、npn结型及pin结型半导体金刚石。
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公开(公告)号：CN1883052A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033959.X
申请日：2004-11-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L29/1602
Abstract: 本发明涉及在较大的温度范围中充分降低载流子浓度的变化量的金刚石n型半导体等。该金刚石n型半导体，具备金刚石基板和在其主面上形成的被判定为n型的金刚石半导体。该金刚石半导体，在被判定为n型的温度区域内的一部分温度中，载流子浓度(电子浓度)的温度依存性显示负的相互关系的同时，霍尔系数的温度依存性显示正的相互关系。具有这种特性的金刚石n型半导体，例如可以通过一边将施主元素以外的杂质元素导入金刚石基板，一边形成大量掺入施主元素的金刚石半导体后获得。
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