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公开(公告)号：CN107112722B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580068863.5
申请日：2015-10-02
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种光学半导体装置具有一种层压结构(20)，其中，n型化合物半导体层(21)、有源层(23)和p型化合物半导体层(22)依次层压，有源层(23)设置有具有隧道势垒层(33)的多量子阱结构，与p型化合物半导体层(22)相邻的阱层(312)的组分的波动大于另一个阱层(311)的组分的波动，与p型化合物半导体层(22)相邻的阱层(312)的带隙能量小于另一个阱层(311)的带隙能量，并且与p型化合物半导体层(22)相邻的阱层(312)的厚度大于另一个阱层(311)的厚度。
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公开(公告)号：CN110785901A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880041719.6
申请日：2018-04-27
Applicant: 索尼公司
Abstract: 一种制造发光元件的方法，至少包括以下步骤：(A)形成堆叠结构20，堆叠结构20包括GaN基化合物半导体，并且在堆叠结构中堆叠以下层：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22，并在第一化合物半导体层21的第一面侧形成凹面镜部43；然后(B)在第二化合物半导体层22上形成光敏材料层35；并且然后(C)使光敏材料层35暴露于通过堆叠结构20的来自凹面镜部侧的光，从而获得包括光敏材料层35的处理掩模层，并且然后使用处理掩模层对第二化合物半导体层22进行处理。
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公开(公告)号：CN109923742B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201780066313.9
申请日：2017-09-01
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有由GaN化合物半导体形成的层压结构，所述层压结构中层压有：第一化合物半导体层，其具有第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面；有源层，其面向第一化合物半导体层的第二表面；以及第二化合物半导体层，其具有面向有源层的第一表面和在第一表面的相反侧上的第二表面。所述发光元件还设置有：第一光反射层，其设置在第一化合物半导体层的第一表面侧；和第二光反射层，其设置在第二化合物半导体层的第二表面侧。所述第一光反射层具有凹面镜部分，所述第二光反射层具有平坦形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110892597A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201880046230.8
申请日：2018-05-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光装置设置有：层压结构20，其中层压有：第一化合物半导体层21、有源层23和第二化合物半导体层22；第一光反射层41，其设置在第一化合物半导体层21的第一表面侧上；第二光反射层42，其设置在第二化合物半导体层22的第二表面侧上；以及光会聚/发散改变装置50，其中，第一光反射层41形成在凹面镜部分43上，所述第二光反射层42具有平坦形状。当有源层23中生成的光发射到外部时，进入光会聚/发散改变装置50之前的光的会聚/发散状态不同于穿过光会聚/发散改变装置50之后的光的会聚/发散状态。
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公开(公告)号：CN107851967A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680042134.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01S5/183
Abstract: 该发光元件设置有：层状结构20，通过将由GaN基化合物半导体制成的第一化合物半导体层21、活性层23和第二化合物半导体层22分层来形成该层状结构；模式损耗有效点54，其设置在第二化合物半导体层22上并且形成模式损耗有效区域55，该模式损耗有效区域对振荡模式损耗的增加/减少具有作用；第二电极32；第二光反射层42；第一光反射层41；以及第一电极31。在层状结构20中，形成有电流注入区域51、围绕电流注入区域51的非电流注入内部区域52以及围绕非电流注入内部区域52的非电流注入外部区域53。所述模式损耗有效区域55的投影图像覆盖非电流注入外部区域53的投影图像。
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公开(公告)号：CN106663919A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580031161.X
申请日：2015-04-16
Applicant: 索尼公司
Abstract: 该发光元件至少具有：GaN衬底(11)；第一光反射层(41)，其形成所述GaN衬底(11)上，并且用作选择性生长掩膜层(44)；形成在所述第一光反射层上的第一化合物半导体层(21)、有源层(23)以及第二化合物半导体层(22)；以及形成在所述第二化合物半导体层(22)上的第二电极(32)和第二光反射层(42)。所述GaN衬底(11)表面的平面方向的离角等于或小于0.4°，所述第一光反射层(41)的面积等于或小于0.8S0，其中，所述GaN衬底(11)的面积由S0表示，并且作为所述第一光反射层的最低层(41A)，热膨胀缓解薄膜(44)形成在所述GaN衬底(11)上。
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公开(公告)号：CN104347774A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410390677.0
申请日：2014-08-08
Applicant: 索尼公司
Abstract: 本发明公开了一种发光元件及其制造方法，所述发光元件包括：层叠结构体，所述层叠结构体包括第一化合物半导体层、有源层和第二化合物半导体层，所述第一化合物半导体层包括第一表面和面对所述第一表面的第二表面，所述有源层与所述第一化合物半导体层的第二表面接触；其中所述第一化合物半导体层的第一表面具有第一表面区域和第二表面区域，所述第一表面区域和所述第二表面区域在高度或者粗糙度的至少之一上不同，在至少一部分所述第一表面区域上形成第一光反射层，和在至少一部分所述第二表面区域上形成第一电极。
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