公开(公告)号：CN100435268C

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN02145712.3

申请日：2002-10-09

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  弘田龙 ,  冈久拓司 ,  中畑成二

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B23/002 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403

Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。

公开(公告)号：CN1318661C

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200480000646.4

申请日：2004-04-01

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 中畑成二 ,  上松康二 ,  弘田龙

IPC: C30B29/40 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L21/02378 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02642 ,  H01S5/323 ,  Y10T428/12674 ,  Y10T428/12681

Abstract: 一种可以采用各种各样的基质生产出没有裂纹的高质量III-V族晶体的方法，该方法成本低而且容易简单。一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在基质上(1)沉积金属膜(2)的步骤；在含有形成图案的化合物的气氛下热处理金属膜(2)的步骤；以及在热处理后的金属膜上生长III-V族晶体(4)的步骤。另外一种生产III-V族晶体的方法，其特征在于包括：在热处理后的金属膜上生长III-V族化合物缓冲膜的步骤；在III-V族化合物缓冲膜上生长III-V族晶体的步骤。

公开(公告)号：CN1723548A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200480001850.8

申请日：2004-06-03

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 中畑成二 ,  弘田龙 ,  石桥惠二 ,  佐佐木孝友 ,  森勇介

IPC: H01L21/306 ,  C30B33/10

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/30612

Abstract: 一种加工氮化物半导体晶体表面的方法的特征在于，使至少包含Na、Li或Ca的加工溶液(15)与氮化物半导体晶体(11)的表面接触。加工溶液(15)可以是至少包含Na的液体，其Na含量为5－95摩尔％。加工溶液(15)可以是至少包含Li的液体，其中Li含量为5至100摩尔％。还公开了通过该方法得到的氮化物半导体晶体，其最大表面刮擦深度为0.01μm或以下，且破坏层的平均厚度为2μm或以下。即，加工氮化物半导体晶体表面的方法可以提供减小表面刮擦深度和破坏层厚度，和由该方法得到的氮化物半导体晶体具有浅的表面刮擦深度和薄的破坏层厚度。

公开(公告)号：CN1405903A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02142450.0

申请日：2002-09-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 元木健作 ,  冈久拓司 ,  中畑成二 ,  弘田龙 ,  上松康二

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种单晶氮化镓基板的生长方法，在衬底基板上有规律地设种子图案，在其长形成凹凸面构成的坑并加以维持，同时让GaN凹凸生长而接着坑底部形成封闭缺陷集合区H，将变位集结于此，实现封闭缺陷集合区H周围的单晶低变位伴随区Z与单晶低变位剩余区Y的低变位化。由于封闭缺陷集合区H是封闭的，所以变位被封闭不会再释放。

公开(公告)号：CN106574398B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201580040883.1

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN106574398A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580040883.1

申请日：2015-04-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  弘田龙 ,  中畑成二

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/406 ,  C30B29/38 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/04 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/872

Abstract: 提供了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面，所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域，在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中，所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值，所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II)：Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。

公开(公告)号：CN101421443B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200780013655.0

申请日：2007-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  上松康二 ,  川濑智博

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/208 ,  C30B19/12 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B19/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了体III族氮化物晶体的制造方法，由此至少表面的位错密度普遍较低。当前的III族氮化物晶体制造方法包括：制备包含III族氮化物籽晶的下衬底(1)的步骤，III族氮化物籽晶具有基体(1s)和反转域(1t)，在反转域中， 方向的极性相对于基体(1s)而被反转；通过液相法而在衬底(1)的基体(1s)和反转域(1t)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤；其特征在于，第一区域(10s)覆盖第二区域(10t)，其中，在第一区域(10s)中，生长到基体(1s)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较大，在第二区域(10t)中，生长到反转域(1t)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较小。

公开(公告)号：CN1965112B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200580018887.6

申请日：2005-04-15

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  中畑成二 ,  弘田龙

IPC: C30B29/38 ,  C30B9/10 ,  C30B11/06 ,  H01L33/00

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 一种制造III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：制备籽晶晶体(10)，通过液相方法在该籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)；其中在籽晶晶体(10)上生长第一III族氮化物晶体(21)的步骤中，平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VH高于垂直于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的方向上的晶体生长速度VV。通过该制造方法，获得III族氮化物晶体，其中平行于籽晶晶体(10)的主表面(10h)的表面的位错密度低至最多为5×106/cm2。

公开(公告)号：CN101421443A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780013655.0

申请日：2007-11-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 弘田龙 ,  上松康二 ,  川濑智博

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/208 ,  C30B19/12 ,  H01L33/00 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B19/00 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02625 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了体III族氮化物晶体的制造方法，由此至少表面的位错密度普遍较低。当前的III族氮化物晶体制造方法包括：制备包含III族氮化物籽晶的下衬底(1)的步骤，III族氮化物籽晶具有基体(1s)和反转域(1t)，在反转域中， 方向的极性相对于基体(1s)而被反转；通过液相法而在衬底(1)的基体(1s)和反转域(1t)上生长III族氮化物晶体(10)的步骤；其特征在于，第一区域(10s)覆盖第二区域(10t)，其中，在第一区域(10s)中，生长到基体(1s)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较大，在第二区域(10t)中，生长到反转域(1t)上的III族氮化物晶体(10)的生长速率较小。

公开(公告)号：CN100413102C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200510066894.5

申请日：2005-04-30

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 上松康二 ,  上野昌纪 ,  弘田龙 ,  中幡英章 ,  奥井学

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供半导体发光装置，其中在活性层中自发电场的产生减小，从而能够提高亮度。半导体发光装置(1)装备有n-类型包层(3)；安置在n-类型包层(3)上的p-类型包层(7)；以及由氮化物构成并安置在n-类型包层(3)与p-类型包层(7)之间的活性层(5)，其中其特征在于通过正交于n-类型包层(3)和活性层(5)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成角度，以及通过正交于活性层(5)和p-类型包层(7)之间的界面的轴与活性层(5)的c-轴形成的角度，每个所述角度都大于零。