透明导电膜的制造方法
    28.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102067246A

    公开(公告)日:2011-05-18

    申请号:CN200980123678.6

    申请日:2009-06-22

    Inventor: 长谷川彰

    CPC classification number: C23C14/086 C23C14/0036 C23C14/3414

    Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法。透明导电膜的制造方法包含使用烧结体作为靶,在混合气体气氛中,利用物理成膜法在支撑体上形成透明导电膜的工序,在此,烧结体含有Zn、Sn及O,混合气体含有惰性气体及氧,氧浓度在0.01体积%以上且0.4体积%以下的范围。

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