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公开(公告)号:CN101627145A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200880007427.7
申请日:2008-03-14
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/24 , C23C14/34 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/453 , C04B2235/3225 , C04B2235/3231 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298
Abstract: 本发明提供透明导电膜用材料以及透明导电膜。透明导电膜用材料包含复合金属氧化物,所述复合金属氧化物含有Zn、Sn、O以及作为掺杂元素的选自Sc、Bi、Cu、Y、La、Ag和Au中的至少1种。
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公开(公告)号:CN101506908A
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200780030988.4
申请日:2007-08-13
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 长谷川彰
CPC classification number: C23C14/08 , C03C17/2456 , C03C2217/212 , C03C2217/228 , C03C2217/23 , C03C2218/151 , C03C2218/154 , C04B35/01 , C04B35/462 , C04B35/64 , C04B35/6455 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3294 , C04B2235/3298 , C04B2235/404 , C04B2235/428 , C04B2235/604 , C23C14/28 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种导电性高的透明导电膜及其制造方法,进而,提供一种用于成膜透明导电膜的烧结体及其制造方法。透明导电膜包含Ga、Ti和O,优选包含Ga、Ti和O,并且相对于Ga和Ti的合计量(摩尔),Ti的量(摩尔)是0.02以上0.98以下。
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公开(公告)号:CN105848881B
公开(公告)日:2018-02-16
申请号:CN201480071096.9
申请日:2014-12-11
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 长谷川彰
CPC classification number: C23C16/50 , B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B2307/7242 , B32B2439/70 , C08J7/06 , C08J2367/02 , C23C16/401 , C23C16/42 , C23C16/45523 , C23C16/545
Abstract: 本发明的层叠膜为具有基材和薄膜层且薄膜层满足条件(i)、(ii)、(iii)的层叠膜。(i)含有硅原子、氧原子、碳原子和氢原子。(ii)表示厚度方向上的相对于各原子的合计量的硅原子、氧原子和碳原子的比率的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中,各原子的分布曲线各自为连续的,且碳分布曲线具有至少一个极值。(iii)在一层的薄膜层中,该层的内部构成密度不同的多层,各层的厚度相对于层整体的厚度具有10%以上的厚度,最靠近基材侧的层A的密度X与密度最高的层B的密度Y具有式(1)的关系,X
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公开(公告)号:CN105848881A
公开(公告)日:2016-08-10
申请号:CN201480071096.9
申请日:2014-12-11
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 长谷川彰
CPC classification number: C23C16/50 , B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/28 , B32B2307/7242 , B32B2439/70 , C08J7/06 , C08J2367/02 , C23C16/401 , C23C16/42 , C23C16/45523 , C23C16/545
Abstract: 本发明的层叠膜为具有基材和薄膜层且薄膜层满足条件(i)、(ii)、(iii)的层叠膜。(i)含有硅原子、氧原子、碳原子和氢原子。(ii)表示厚度方向上的相对于各原子的合计量的硅原子、氧原子和碳原子的比率的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中,各原子的分布曲线各自为连续的,且碳分布曲线具有至少一个极值。(iii)在一层的薄膜层中,该层的内部构成密度不同的多层,各层的厚度相对于层整体的厚度具有10%以上的厚度,最靠近基材侧的层A的密度X与密度最高的层B的密度Y具有式(1)的关系,X
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公开(公告)号:CN102598158A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080048041.8
申请日:2010-10-26
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/724 , B32B2307/726 , B32B2457/00 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/503 , C23C16/545 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可制造即使弯曲阻隔性及导电性也难以降低的层叠膜的方法。在该方法中,通过在树脂膜上形成阻隔膜及透明导电膜来制造层叠膜。阻隔膜的形成通过辊间放电等离子体CVD法来进行。透明导电膜的形成优选通过物理气相沉积法来形成。作为树脂膜,优选使用聚酯树脂膜或聚烯烃树脂膜。
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公开(公告)号:CN102387920A
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN201080015879.7
申请日:2010-04-08
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: B32B27/00 , B32B9/00 , C23C16/42 , G02F1/1333 , H01L31/042 , H01L51/50 , H05B33/04
CPC classification number: C23C16/545 , B32B15/08 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/306 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2307/306 , B32B2307/31 , B32B2307/412 , B32B2307/7242 , B32B2307/732 , B32B2439/40 , B32B2439/60 , B32B2553/00 , C23C16/401 , C23C16/505 , H01L51/448 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , Y10T428/10 , Y10T428/1064 , Y10T428/1068 , Y10T428/1317 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明涉及一种气体阻隔性层叠膜,其具备基材和在所述基材的至少单侧上所形成的至少1层薄膜层,其中,所述薄膜层中的至少1层满足下述条件中的至少1个条件,满足硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线的条件(i)~(iii),以及电子束透射率曲线具有至少1个极值。本发明的气体阻隔性层叠膜不但具有足够的气体阻隔性,而且在弯曲后可充分抑制气体阻隔性的降低。本发明的气体阻隔性层叠膜非常适用于使用有机电致发光元件(有机EL元件)的柔性照明、有机薄膜太阳能电池、液晶显示器等。
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公开(公告)号:CN102084412A
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200980126164.6
申请日:2009-07-16
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC classification number: H01L27/3276 , G02F1/136286 , G02F2201/40 , G02F2203/01
Abstract: 本发明是提供一种有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法。有源矩阵基板(101A)具有透明基板(10)、形成在透明基板上的透明布线(LG、LD、LP、L1、L2等)、覆盖透明布线的至少一部分的透明半导体层(44)、覆盖布线及透明半导体层(44)的至少一部分的透明绝缘膜(40、50)。布线包括在行列方向上以相互交叉的方式延伸的主布线(41的一部分等)、和从该主布线分支而与各像素(101a)中的元件连接的副布线(41的一部分、42、43等),这些布线利用例如ZTO或ITO等半导体材料来形成。
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公开(公告)号:CN102067246A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN200980123678.6
申请日:2009-06-22
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 长谷川彰
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/0036 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜的制造方法。透明导电膜的制造方法包含使用烧结体作为靶,在混合气体气氛中,利用物理成膜法在支撑体上形成透明导电膜的工序,在此,烧结体含有Zn、Sn及O,混合气体含有惰性气体及氧,氧浓度在0.01体积%以上且0.4体积%以下的范围。
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公开(公告)号:CN101605735A
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200880001949.6
申请日:2008-01-08
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/24 , H01B5/14 , H01B13/00
CPC classification number: C23C14/086 , C04B35/457 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜用材料。透明导电膜用材料包含复合金属氧化物,该复合金属氧化物中含有选自Zn、Sn、O、及作为掺杂元素的元素周期表第5族~第10族元素中的至少一种元素。
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公开(公告)号:CN100548889C
公开(公告)日:2009-10-14
申请号:CN200480009707.3
申请日:2004-04-08
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C01G23/053 , B82B1/00 , G01N27/12 , G01J1/02
CPC classification number: B82Y30/00 , C01G23/04 , C01G23/053 , C01P2004/13 , C01P2004/54 , C01P2004/62 , G01J1/42 , G01N27/12 , Y10S435/807 , Y10S435/808 , Y10T428/2975
Abstract: 一种二氧化钛纳米管及其制造方法,该二氧化钛纳米管,适用于光传感器及气体传感器,长度为1μm或1μm以上,优选直径为0.1μm或0.1μm以下,长宽比为100或100以上。
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