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公开(公告)号：CN102598158B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201080048041.8
申请日：2010-10-26
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/724 , B32B2307/726 , B32B2457/00 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/503 , C23C16/545 , H01L51/0097 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种可制造即使弯曲阻隔性及导电性也难以降低的层叠膜的方法。在该方法中，通过在树脂膜上形成阻隔膜及透明导电膜来制造层叠膜。阻隔膜的形成通过辊间放电等离子体CVD法来进行。透明导电膜的形成优选通过物理气相沉积法来形成。作为树脂膜，优选使用聚酯树脂膜或聚烯烃树脂膜。
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公开(公告)号：CN105579227A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052236.8
申请日：2014-09-16
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 长谷川彰
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/401 , C23C16/42 , C23C16/503 , C23C16/545 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H01L51/0097 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种层叠膜，其是具有基材和形成于上述基材的至少一侧的表面上的至少1层的薄膜层的层叠膜，上述薄膜层中的至少1层满足下述所有条件(i)～(iv)：(i)含有硅、氧及碳；(ii)碳的原子数相对于硅的原子数、氧的原子数及碳的原子数的总原子数的含有率X(at％)为3～25at％；(iii)平均密度d(g/cm3)为2.12g/cm3以上且低于2.25g/cm3；(iv)上述碳的原子数的含有率X(at％)和平均密度d(g/cm3)满足下述式(1)：d＞(2.22-0.008X)…(1)所表示的条件。
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公开(公告)号：CN102057489A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121674.4
申请日：2009-08-11
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种使活性层中使用金属氧化物的晶体管的阈值电压稳定的半导体装置，其包括第一金属氧化物层、薄膜电阻的值比所述第一金属氧化物大的第二金属氧化物层、与所述第一金属氧化物层电耦合的一对输入输出电极、和控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极，并按照所述控制电极、所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层的顺序被配置。
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公开(公告)号：CN103154313B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180048181.X
申请日：2011-10-05
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/314 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/50 , C23C16/52 , C23C16/545
Abstract: 一种形成具有充分的阻气性且具有耐屈曲性的阻气性层叠膜的成膜装置。该成膜装置具有如下：真空室，其在内部收容基材；气体供给装置，其向该真空室内供给成膜气体，该成膜气体包含作为薄膜的原料的有机金属化合物和与该有机金属化合物发生反应的反应气体；一对电极，其配置在上述真空室内；等离子体发生用电源，其向这一对电极外加交流电力，使成膜气体的等离子体发生；控制部，其控制上述气体供给装置或上述等离子体发生用电源的任意一方或两方，切换第一反应条件和第二反应条件，所述第一反应条件是，通过所述有机金属化合物和反应气体反应，使含形成有机金属化合物的金属元素或半金属元素且不含碳的化合物生成，所述第二反应条件是，通过所述有机金属化合物和所述反应气体发生反应，使含形成有机金属化合物的碳和金属元素或半金属元素的含碳化合物生成。
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公开(公告)号：CN102099848B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN200980128531.6
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/12 , H05B33/26
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136227 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。有源矩阵基板(101A)具备：透明基板(10)；形成于透明基板上的布线(LG、LD、LP、L1、L2等)；覆盖该布线的至少一部分的透明半导体层(44)；及覆盖布线及透明半导体层的至少一部分的透明绝缘膜。布线包括：作为主布线的第一金属布线(41M)；及从主布线分支而作为副布线的透明布线(41、42、43等)。作为主布线的第一金属布线，至少一部分使用比作为副布线的布线具备更高导电性的材料而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102067247B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200980123679.0
申请日：2009-06-22
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 长谷川彰
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/086
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜和其制造方法。透明导电膜的制造方法包含使用烧结体作为靶，利用物理成膜法在支撑体上形成透明导电膜的工序，在此，烧结体含有Zn、Sn及O，Sn的摩尔数相对Sn的摩尔数和Zn的摩尔数之和的比(Sn/(Sn+Zn))为0.7以上且0.9以下的范围。
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公开(公告)号：CN102099848A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128531.6
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/12 , H05B33/26
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136227 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3276 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板。有源矩阵基板(101A)具备：透明基板(10)；形成于透明基板上的布线(LG、LD、LP、L1、L2等)；覆盖该布线的至少一部分的透明半导体层(44)；及覆盖布线及透明半导体层的至少一部分的透明绝缘膜。布线包括：作为主布线的第一金属布线(41M)；及从主布线分支而作为副布线的透明布线(41、42、43等)。作为主布线的第一金属布线，至少一部分使用比作为副布线的布线具备更高导电性的材料而形成。
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公开(公告)号：CN101401169A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008594.9
申请日：2007-03-15
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: C23C14/086 , C01G9/02 , C01G19/00 , C01G19/02 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种导电性及蚀刻特性优异的透明导电膜及其制造方法。透明导电膜含有Zn、Sn和O，Zn相对于Zn与Sn合计量的摩尔比Zn/(Zn+Sn)为0.41～0.55，且为非晶态。透明导电膜的制造方法包括使用含有Zn、Sn和O，Zn相对于Zn与Sn合计量的摩尔比Zn/(Zn+Sn)为0.53～0.65的烧结体作为靶，在惰性气体气氛下进行溅射的工序。
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公开(公告)号：CN105579227B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201480052236.8
申请日：2014-09-16
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 长谷川彰
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/401 , C23C16/42 , C23C16/503 , C23C16/545 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H01L51/0097 , H01L51/448 , H01L51/5253 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种层叠膜，其是具有基材和形成于上述基材的至少一侧的表面上的至少1层的薄膜层的层叠膜，上述薄膜层中的至少1层满足下述所有条件(i)～(iv)：(i)含有硅、氧及碳；(ii)碳的原子数相对于硅的原子数、氧的原子数及碳的原子数的总原子数的含有率X(at％)为3～25at％；(iii)平均密度d(g/cm3)为2.12g/cm3以上且低于2.25g/cm3；(iv)上述碳的原子数的含有率X(at％)和平均密度d(g/cm3)满足下述式(1)：d＞(2.22‑0.008X)…(1)所表示的条件。
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公开(公告)号：CN104220249A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201380016250.8
申请日：2013-03-21
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor： 长谷川彰
IPC: B32B9/00 , C23C16/42 , G02F1/1333 , H01L31/048 , H05B33/04
CPC classification number: G02F1/1339 , B32B15/08 , B32B27/281 , B32B27/302 , B32B27/306 , B32B27/32 , B32B27/325 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2307/306 , B32B2307/31 , B32B2307/412 , B32B2307/7242 , B32B2439/40 , B32B2439/60 , C04B35/565 , C23C16/18 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/45523 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/545 , C23C28/04 , C23C28/42 , C23C28/44 , G02F2201/501 , H01L31/0203 , H01L31/02322 , H01L31/049 , H01L31/055 , H01L51/448 , H01L51/5237 , H01L51/5253 , Y02E10/52 , Y10T428/265 , Y10T428/31667
Abstract: 本发明的层叠膜气体阻隔性具备基材及形成于基材的至少1个面的薄膜层，薄膜层含有硅原子、氧原子及碳原子，在分别表示薄膜层的膜厚方向上的自薄膜层表面起的距离与距离的位置的薄膜层中所含的硅原子比、氧原子比及碳原子比之间的关系的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中，满足所有以下条件(i)～(iii)：(i)硅原子比、氧原子比及碳原子比在薄膜层膜厚方向上的90％以上的区域中，满足下式(1)表示的条件(氧原子比)＞(硅原子比)＞(碳原子比)……(1)；(ii)碳分布曲线具有至少1个极值；(iii)碳分布曲线中的碳原子比的最大值与最小值之差的绝对值在5at％以上，并且，根据碳分布曲线求出的碳原子比的平均值为11at％以上21at％以下，薄膜层的平均密度在2.0g/cm3以上。
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