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公开(公告)号：CN114551409A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210455316.4
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/552 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种用于提高多芯粒晶圆集成可靠性的混合键合结构和方法，该结构包括：对待键合晶圆的上表面对应芯粒键合区域的介电层和n个待键合芯粒的下表面的介电层进行光刻刻蚀，分别形成晶圆凹槽和芯粒凹槽；在凹槽中沉积TiN阻挡层以及铜的籽晶层，利用电镀生长铜填满凹槽，再利用CMP平整表面，形成晶圆铜壁和芯粒铜壁；将形成铜壁的待键合芯粒与的待键合晶圆对准贴合后进行混合键合，得到预键合晶圆组；将预键合晶圆组进行退火热处理，实现晶圆与芯粒的稳定键合。本发明可以阻隔集成芯粒之间及芯粒内部的电信号干扰，并且对D2W集成的散热有很大提升，避免芯粒工作时热量的局部堆积，提升了键合结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN114551385A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210454688.5
申请日：2022-04-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/433 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种含有微流道散热结构的三维堆叠封装结构及其封装方法，该结构包括芯片封装部分和硅基板封装部分，所述芯片封装部分由含有硅通孔的多层芯片通过三维堆叠封装构成，所述硅基板封装部分由硅基板构成，硅基板上设有与外部引线互连的微凸点，所述芯片封装部分通过微凸点键合装配到硅基板上，所述多层芯片上刻蚀有相对应的供冷却液水平方向流动的微流道和上下层流动的通孔，所述微流道和通孔的周围设置有密封环。本发明不仅降低了工艺复杂度和成本，也不会造成三维堆叠结构整体厚度的增加。
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公开(公告)号：CN113285857B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110844832.1
申请日：2021-07-26
Applicant: 之江实验室
IPC: H04L12/26 , H04L12/24 , H04N21/24 , H04N21/442
Abstract: 本发明涉及一种面向物联网异构物体的微服务能力描述方法，包括对象描述、性能描述和负载描述；所述对象描述包括服务对象、服务类型、接口类型和运行环境的能力描述，登记于服务注册表，用于发现符合硬件条件的微服务；所述性能描述引入评分机制及性能评分分布图，包括六项子性能：稳定性、接入速率、延迟、接入频率、负载均衡和总负载能力；所述负载描述，包括微服务的当前负载和剩余负载能力，评估微服务的闲忙状态。本发明有利于微服务检索、调用、管理与维护，为用户快速准确调用需要的微服务，帮助开发者实时监测微服务潜在的性能下降和故障，避免微服务的重复建设及资源闲置，降低部署成本，加快调用速度，为微服务的发展建立统一的指导。
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公开(公告)号：CN116130436B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202211566235.8
申请日：2022-12-07
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/473 , H01L23/373 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了关于集成多孔微流道散热结构阵列的封装结构及其制备方法，所述封装结构包括晶圆基板，芯片阵列和PCB供电板。晶圆基板为集成了高密度的纳米多孔微流道散热结构阵列和信号传递部分的一体结构。根据不同芯片的功耗，纳米多孔微流道散热结构可设置具有不同通道宽度和孔隙尺寸的微通道，在实现对芯片阵列精准散热的同时，明显减小封装结构的厚度，提高了系统集成度。微流道盖板采用聚二甲基硅氧烷材料，做密封层和应力缓冲层；并且在封装结构制备过程中采用两次临时氮化铝载板键合，可避免大尺寸晶圆基板异质异构集成过程产生的应力积累和基板损坏。
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公开(公告)号：CN116399489B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310680812.4
申请日：2023-06-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种面向晶上系统集成的高温硅基光电压力传感芯片，其制备方法包括：法珀腔深刻蚀步骤、牺牲层填充步骤、光波导制造步骤、牺牲层释放步骤、气密封装步骤。本发明采用微电子深刻蚀方法，直接在绝缘体上硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，并利用绝缘体上硅晶圆的器件层单晶硅和埋氧层二氧化硅制造光束传输的硅基光波导，与微电子工艺完全兼容，具有更高的生产效率。同时，本发明的制造工艺直接在硅晶圆上制造硅基光电子传感芯片，有利于硅基微电子芯片在晶圆上实现光电混合的单片集成，进一步提升了系统的性能。此外，本发明在晶圆上制造硅基法珀压力传感芯片，可以在120℃以上的高温环境中工作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116153860B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310397169.4
申请日：2023-04-10
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768 , H01L23/52
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级铜铜凸点互连结构及其键合方法。所述键合方法包括如下步骤：于背景气体下，在晶圆的铜凸点表面，采用能量功率为100mJ‑300mJ的脉冲激光溅射沉积纳米铜层，得到结构晶圆；将纳米铜浆料涂覆于所述结构晶圆中的纳米铜层表面，得到预处理晶圆，其中，所述纳米铜浆料包括纳米铜粉、还原剂、固化剂以及有机溶剂；在还原性气氛中，将另一所述结构晶圆与所述预处理晶圆倒装热压贴合，经热处理固化后冷却静置，完成晶圆级铜铜凸点互连结构的键合。所述键合方法无需引入除铜之外的其他金属就可以实现铜凸点之间的稳定键合，显著提高键合的可靠性，保证良好的导电效果。
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公开(公告)号：CN116425110A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310686427.0
申请日：2023-06-12
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种具有差分结构的高温光电压力传感芯片的晶圆级制造方法，采用微电子深刻蚀方法，直接在单晶硅晶圆上制造垂直方向的法珀腔，同时在硅晶圆上制造水平方向的光束传输的硅基条形波导，形成硅基法珀式压力传感器，器件具有单侧结构，具有进一步放大压力信号的功能。制造方法与微电子工艺完全兼容，可以满足大规模批量化生产的需求，且可以实现电‑光‑传感的晶上系统集成。此外，本发明的器件结构和制造工艺中没有易受温度影响的硅基掺杂工艺和金属化工艺，可以在接近硅基材料弹性形变极限温度的高温环境中工作。
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公开(公告)号：CN115323470A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211239595.7
申请日：2022-10-11
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及晶圆封装领域，尤其涉及一种实现多片晶圆电镀的装置，包括电镀槽，放置在电镀槽内的设置成多层结构的晶圆底座，与所述晶圆底座配合设置的并联连接的电极结构，以及与晶圆位置对应的阳极金属条。本发明利用晶圆底座分层结构，实现多片晶圆同时电镀，既节约电镀时间，又可以有效避免电镀溶液的污染与浪费；利用环形电极阵列，实现电镀沉积，既可以稳定晶圆，又可以保证电镀质量，提高电镀晶圆表面的均匀性；利用晶圆底座的稳定，可以实施与传统方式不同的电镀方法，将晶圆表面保持水平状态，针对大尺寸晶圆电镀，可以有效节省电镀溶液，节约成本。
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公开(公告)号：CN114823594B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210738227.0
申请日：2022-06-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/373 , H01L23/498 , H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种基于二维材料界面的混合键合结构及方法，对待键合的芯粒下表面的绝缘层进行凹陷化处理；对待键合的半导体晶圆上表面键合区域的绝缘层进行凹陷化处理，凹陷处设置二维材料层，再将芯粒下表面与半导体晶圆上表面键合，利用二维材料薄层覆盖绝缘层，有效消除绝缘层表面的悬挂键，使键合界面达到原子级平整，有效降低键合的压力和温度，提升键合良率；此外，二维材料键界面可以降低键合界面缺陷密度，减少电迁移的发生，并通过热导率较高的二维材料界面，可以均匀化芯粒向晶圆的散热，从而提高键合的可靠性。
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公开(公告)号：CN114899185A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210812604.0
申请日：2022-07-12
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L25/18 , H01L25/16 , H01L21/60 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种适用于晶圆级异质异构芯粒的集成结构和集成方法，包括异质异构芯粒、硅转接板、晶圆基板以及芯粒配置基板，硅转接板上表面具有异构的微凸点用于键合异质异构芯粒，与一组异质异构芯粒键合形成标准集成件，硅转接板下表面具有统一标准化的微焊盘，与晶圆基板上表面的标准集成区域连接，标准及城区通过重布线层和统一标准化的微凸点阵列形成，晶圆基板利用其底部硅通孔与芯粒配置基板连接，芯粒配置基板为有机材料制作，其底部完成大型功率器件以及接插件的集成。本发明解决了因晶圆厂晶圆制备过程中光罩图案无法频繁更换的工艺流程的问题，从而为晶圆级的异质异构芯粒拼装集成提供高效可行的技术保障。
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