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公开(公告)号：CN108257942B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201611239029.0
申请日：2016-12-28
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 林静
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底；位于所述基底上的第一金属层；位于所述第一金属层上的第一阻挡层；位于所述第一阻挡层上的中间介质层；位于所述中间介质层上的第二阻挡层；位于所述第二阻挡层上的第二金属层。本发明改善了半导体结构中MIM电容器的漏电问题。
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公开(公告)号：CN110391299A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201810366488.8
申请日：2018-04-23
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 林静
IPC: H01L29/78 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极；在所述栅极侧壁上形成阻挡层；对所述阻挡层进行掺杂处理，所述掺杂处理采用的掺杂离子为刻蚀抑制离子；对所述阻挡层进行掺杂处理后，刻蚀所述栅极两侧的所述基底，在所述基底内形成凹槽；形成填充满所述凹槽的应力层。本发明能够改善所述阻挡层对于所述栅极侧壁的保护效果，防止栅极侧壁表面受到损伤或污染，从而改善半导体结构的性能。
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公开(公告)号：CN109935518A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711376358.4
申请日：2017-12-19
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
Abstract: 一种半导体器件及其金属栅极的形成方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有凹槽，且在所述凹槽内形成有高K介质层以及位于所述高K介质层表面的功函数层；在所述功函数层的表面形成无定形硅；对所述无定形硅进行氧化处理，以在所述无定形硅的表面生成氧化层；在所述氧化层的保护下，对所述功函数层进行退火处理；在所述凹槽内填充金属，以形成所述金属栅极。本发明方案可以在高温退火的过程中，提高无定形硅对功函数层的保护作用。
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公开(公告)号：CN109727864A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201711033862.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
Inventor： 林静
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构的侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙内具有逸散离子；在所述第一侧墙的侧壁形成保护层，所述保护层用于阻挡逸散离子的逸散；在栅极结构、第一侧墙和保护层两侧的基底内分别形成轻掺杂区；形成所述轻掺杂区之后，在所述保护层的侧壁形成第二侧墙。所述方法形成的第一侧墙的性能较稳定。
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公开(公告)号：CN107180750A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201610133526.6
申请日：2016-03-09
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/51
CPC classification number: H01L29/401 , H01L29/42364 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：形成基底；在所述基底上形成栅介质层；在所述栅介质层上形成功函数层，所述功函数层中含有氧原子；在所述功函数层上形成栅极。其中，所述功函数层含有氧原子，并且功函数层的功函数随所述功函数层中氧原子含量的变化而变化。因此，所述形成方法可以通过调节所形成的功函数层中氧原子的含量对功函数层的功函数进行调节，从而对半导体结构的阈值电压进行调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104141169A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201310165713.9
申请日：2013-05-07
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于锗硅外延生长的反应室、方法及半导体制造设备，涉及半导体技术领域。本发明提供的用于锗硅外延生长的反应室包括：反应腔体；设置于所述反应腔体内部的位置可调的支撑平台；其中，所述反应腔体被分成至少两个不同的反应区域，每个所述反应区域均相应设置有加热器，以保证在进行锗硅外延生长时在不同的所述反应区域形成不同的反应温度；所述支撑平台用于支撑和固定进行锗硅外延生长的晶圆，其可以被调节至任何一个所述反应区域。该反应室可以使晶圆在每个反应阶段被快速调节至具有所需温度的区域，提高了锗硅外延生长的效率。本发明的半导体制造设备以及用于锗硅外延生长的方法，使用了上述的反应室，同样具有上述优点。
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公开(公告)号：CN102376884B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010267466.X
申请日：2010-08-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变存储器相变材料的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。本发明的相变存储器相变材料的制作方法通过降低化学机械抛光时抛光面的光照度，有效避免了光致腐蚀现象对相变层的影响，减少了相变层表面凹陷，产品良率也得以提高。
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公开(公告)号：CN103035479A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110298518.4
申请日：2011-09-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种半导体结构形成方法，包括：提供衬底，所述衬底正面形成有半导体结构；采用酸性溶液清洗所述衬底背面的含金属离子或原子的残留；清洗后，对所述衬底的背面进行氧化处理，修复酸洗造成的缺陷。本发明在采用酸性溶液清洗所述衬底背面之后，对所述衬底背面进行氧化处理，所述氧化处理可以修复衬底背面的缺陷，比如将衬底背面的硅-硅断键氧化，形成硅-氧键。因为衬底背面的缺陷被修复，所以衬底背面不容易吸附环境中的颗粒物质，从而避免了在后续工艺中，将所述衬底背面的颗粒物质吹拂到衬底正面的半导体结构表面。
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公开(公告)号：CN102931058A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201110226347.4
申请日：2011-08-08
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体结构形成方法，以及一种PMOS晶体管形成方法，本发明所提供的PMOS晶体管形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成有凹槽；在所述凹槽表面形成硅锗种子层；形成所述硅锗种子层后，将锗源气体和选择性气体的流量同步逐渐增加，直至形成第一硅锗渐变层；在所述第一硅锗渐变层表面形成硅锗体层，且所述硅锗体层表面低于半导体衬底表面，或者与所述半导体衬底表面齐平，并在栅极结构两侧的硅锗体层内分别形成源、漏极。利用本发明可以提高PMOS晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN102376884A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201010267466.X
申请日：2010-08-24
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种相变存储器相变材料的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介电层，所述介电层中形成有金属电极，所述金属电极分别位于半导体衬底的P型区域与N型区域上，所述介电层中还具有露出所述金属电极的通孔；在所述介电层与金属电极上形成相变材料，所述相变材料填充满所述介电层中的通孔；对所述半导体衬底进行化学机械抛光，移除所述介电层上的相变材料，所述化学机械抛光过程中，抛光面的光照度低于100勒克斯。本发明的相变存储器相变材料的制作方法通过降低化学机械抛光时抛光面的光照度，有效避免了光致腐蚀现象对相变层的影响，减少了相变层表面凹陷，产品良率也得以提高。
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