一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法

    公开(公告)号:CN115407110A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210910315.4

    申请日:2022-07-29

    摘要: 本申请涉及一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法。一个第一环路电极、一个第一约瑟夫森结构与一个第二约瑟夫森结构形成的SQUID环路。通过负极连接结构与正极连接结构连接相邻的两个SQUID环路,形成SQUID阵列。通过环路电极将第一约瑟夫森结构与第二约瑟夫森结构连接,使得SQUID环路中形成串联电感结构。因此,通过一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列,采用一阶梯度简单结构,耦合结构简单,有效抵消外界磁场干扰。SQUID环路与输入线圈和反馈线圈的耦合方式均采用上下重叠耦合方式,且SQUID环路通过串联电感的方式,增大了与输入线圈和反馈线圈的耦合面积。

    一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法

    公开(公告)号:CN115407108A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202210907765.8

    申请日:2022-07-29

    摘要: 本申请涉及一种一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法。两个约瑟夫森结结构间隔设置于环路电极,形成一个SQUID环路。每个环路电极形成一个封闭环路。每个SQUID环路中两个约瑟夫森结结构之间,形成了并联电感结构,可减小SQUID环路电感,使得SQUID工作时的临界电流范围更广,可以有效抵消外界磁场干扰。一个环路电极、一个第一约瑟夫森结结构与一个第二约瑟夫森结结构形成的一个SQUID环路采用一阶梯度简单结构,有利于减弱外界磁场干扰。一个环路电极对应的负极连接结构与相邻一个环路电极对应的正极连接结构连接,使得多个SQUID环路串联连接,形成了一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列。

    超导量子干涉仪及其制备方法
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114709326A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210262323.2

    申请日:2022-03-17

    摘要: 本发明涉及一种超导量子干涉仪及其制备方法,所述超导量子干涉仪包括:衬底;地线层,形成于衬底的表面;第一绝缘层,形成于地线层远离衬底的表面;约瑟夫森结,包括依次层叠的第一超导层、第二绝缘层和第二超导层,作为底电极;第三绝缘层,覆盖裸露的第一绝缘层及约瑟夫森结,第三绝缘层内设有第三通孔及第四通孔,第三通孔暴露出第一超导层,第四通孔暴露底电极;电阻,形成于第三绝缘层远离第一绝缘层的表面;第三超导层,覆盖第三绝缘层填满第三通孔和第四通孔,作为顶电极;第三超导层内设置有开口,开口将第三超导层分隔为通过电阻连接的两部分。通过增设地线超导层,使钉扎的磁通量子限制在第一通孔中,从而降低磁通钉扎的影响。

    约瑟夫森结阵电压输出方法、装置、设备和存储介质

    公开(公告)号:CN112632894B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN202011608023.2

    申请日:2020-12-30

    IPC分类号: G06F30/367

    摘要: 本申请涉及一种约瑟夫森结阵电压输出方法、装置、设备和存储介质。该方法包括:在目标工作频率下,获取与目标电压值对应的约瑟夫森结阵的结数,得到目标结数;获取二进制或三进制中的至少一种数值序列,并对至少一种数值序列进行插值处理,得到结阵组合值集;将结阵组合值集中的每一结阵组合值与目标结数作差,得到结阵差值集,并将结阵差值集中的最小差值对应的结阵组合值,确定为目标组合值;用最小差值替换目标结数,返回执行,直到最小差值小于或等于结阵组合值集中的最小结阵组合值,获取已确定的至少一个目标组合值;在预设频率范围内调节目标工作频率,以使约瑟夫森结阵输出目标电压值。从而能够精确地输出期望的电压值。

    约瑟夫森结阵量子台阶确定方法、装置、设备和存储介质

    公开(公告)号:CN112668270A

    公开(公告)日:2021-04-16

    申请号:CN202011618425.0

    申请日:2020-12-30

    IPC分类号: G06F30/367 G01R19/165

    摘要: 本申请涉及一种约瑟夫森结阵量子台阶确定方法、装置、设备和存储介质。该方法包括:获取约瑟夫森结阵在目标频率下的电压值序列;其中,目标频率为约瑟夫森结阵对应的微波辐照的频率;将电压值序列中出现频数最高的三个电压值,确定为约瑟夫森结阵量子台阶对应的三个目标台阶;在以目标台阶为中心的预设范围内进行扫描,得到目标电压值和对应的目标电流值;根据目标电压值确定出约瑟夫森结阵量子台阶的台阶位置,根据目标电流值确定出约瑟夫森结阵量子台阶的台阶宽度。从而无需确定约瑟夫森结阵中是否存在超导短路状态的约瑟夫森结,也无需确定确切的约瑟夫森结数,便可确定出约瑟夫森结阵量子台阶的台阶位置和台阶宽度。

    基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法

    公开(公告)号:CN112289920A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011181251.6

    申请日:2020-10-29

    摘要: 本申请涉及一种基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法。每个第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第一端。每个第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第二端。环路结构为具有第一端和第二端的不封闭环路。通过环路结构将第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构与第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构连接,使得SQUID环路中形成串联电感结构。从而,当获得一个磁通的时候,SQUID环路的变化为磁通量子Ф0的整数倍,不会对V‑Ф0曲线(周期是Ф0)有任何改变,进而能有效避免SQUID环路的相位偏移,解决了并联型电感结构导致的相位偏移问题。

    超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器

    公开(公告)号:CN111640854A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010418817.6

    申请日:2020-05-18

    摘要: 本申请涉及一种超导转变边沿探测器多层超导薄膜制备方法及探测器,采用溅射沉积的方式,并根据金属合金靶材的本身热扩散程度较小的特点,设置溅射气压设置、溅射功率,可以使得第一薄膜层成膜密度更高、成膜均匀性更好。由于第一薄膜层为金属合金层,原子间不易扩散,使得本身热扩散程度较小,进而避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散,使得超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面,进而有助于超导效应的发挥,保证了超导转变边沿探测器的长期稳定性。由于避免了金属合金层和超导薄膜层的相互热扩散,制备时不会受到热处理等步骤的影响,仍然可以确保超导薄膜层与金属合金层形成的界面为比较清晰的界面。

    一种高温超导量子电压噪声温度计

    公开(公告)号:CN118424494A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410635759.0

    申请日:2024-05-22

    IPC分类号: G01K7/30 G01K15/00

    摘要: 本发明公开一种高温超导量子电压噪声温度计,包括探测器电阻、高温超导量子电压赝噪声源、开关转换电路、两路放大滤波电路、数据采集处理电路;开关转换电路的输入端分别与探测器电阻、高温超导量子电压赝噪声源的输出端电连接,输出端依次与放大滤波电路、数据采集处理电路电连接;数据采集处理电路包括两个模数转换器和互关联数据处理电路,每个模数转换器的输入端与一路放大滤波电路输出端电连接。本发明采用基于脉冲驱动的高温超导约瑟夫森阵列的高温超导量子电压噪声源器件作为参考噪声源,可工作在液氮温区,制冷成本低,体积小,制冷时间短且功耗低,可实现特殊环境下的温度原位校准。

    二阶梯度交叉耦合型SQUID电流传感器以及制备方法

    公开(公告)号:CN112305293B

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202011033999.1

    申请日:2020-09-27

    IPC分类号: H10N60/80 G01R19/00

    摘要: 本申请涉及一种二阶梯度交叉耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。多个环路电极(SQUID环路的一部分)依次包围间隔设置。多个第一连接结构将多个环路电极并联连接。多个输入环路与多个环路电极依次间隔设置,形成由中心点依次向外间隔设置的结构。多个输入环路串联连接,形成输入线圈。输入线圈与环路电极之间的相互交叉结构,使得SQUID环路与输入线圈形成交叉耦合结构,可以减小寄生电容。并且,通过第一电极结构、第二电极结构、第三电极结构、第四电极结构、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构形成的二阶梯度并联电感结构的SQUID环路,可有效抵消外界磁场干扰。

    二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法

    公开(公告)号:CN113809226A

    公开(公告)日:2021-12-17

    申请号:CN202110975488.X

    申请日:2021-08-24

    IPC分类号: H01L39/22 H01L39/02 H01L39/24

    摘要: 本申请涉及一种二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器以及制备方法。反馈线圈与输入线圈均绝缘设置于第一环路电极(SQUID环路的一部分)表面,形成了上下重叠耦合结构,使得输入线圈与SQUID环路的耦合更加匹配,增大了耦合系数。第一环路电极、第二环路电极、第三环路电极、第四环路电极、第一约瑟夫森结结构、第二约瑟夫森结结构之间并联连接,形成了二阶梯度并联电感结构的SQUID环路,可有效抵消外界磁场干扰。因此,通过二阶梯度重叠耦合型SQUID电流传感器,重叠耦合结构耦合系数大,有利于减弱外界磁场干扰,有利于输入线圈与SQUID环路的耦合匹配。