发明公开
- 专利标题: 一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法
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申请号: CN202210907765.8申请日: 2022-07-29
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公开(公告)号: CN115407108A公开(公告)日: 2022-11-29
- 发明人: 徐达 , 李劲劲 , 曹文会 , 王雪深
- 申请人: 中国计量科学研究院
- 申请人地址: 北京市朝阳区北三环东路18号
- 专利权人: 中国计量科学研究院
- 当前专利权人: 中国计量科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北三环东路18号
- 代理机构: 北京华进京联知识产权代理有限公司
- 代理商 贾卿芸
- 主分类号: G01R19/00
- IPC分类号: G01R19/00 ; G01R15/20 ; G01R33/035 ; G01R33/00 ; H01L27/18 ; H01L39/24 ; H01L39/02 ; H01L39/06
摘要:
本申请涉及一种一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列以及制备方法。两个约瑟夫森结结构间隔设置于环路电极,形成一个SQUID环路。每个环路电极形成一个封闭环路。每个SQUID环路中两个约瑟夫森结结构之间,形成了并联电感结构,可减小SQUID环路电感,使得SQUID工作时的临界电流范围更广,可以有效抵消外界磁场干扰。一个环路电极、一个第一约瑟夫森结结构与一个第二约瑟夫森结结构形成的一个SQUID环路采用一阶梯度简单结构,有利于减弱外界磁场干扰。一个环路电极对应的负极连接结构与相邻一个环路电极对应的正极连接结构连接,使得多个SQUID环路串联连接,形成了一阶梯度并联型SQUID电流传感器阵列。