- 专利标题: 一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法
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申请号: CN202210910315.4申请日: 2022-07-29
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公开(公告)号: CN115407110A公开(公告)日: 2022-11-29
- 发明人: 徐达 , 李劲劲 , 钟青 , 王雪深
- 申请人: 中国计量科学研究院
- 申请人地址: 北京市朝阳区北三环东路18号
- 专利权人: 中国计量科学研究院
- 当前专利权人: 中国计量科学研究院
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北三环东路18号
- 代理机构: 北京华进京联知识产权代理有限公司
- 代理商 吴迪
- 主分类号: G01R19/00
- IPC分类号: G01R19/00 ; G01R15/20 ; G01R33/035 ; G01R33/00 ; H01L39/22 ; H01L39/24
摘要:
本申请涉及一种一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法。一个第一环路电极、一个第一约瑟夫森结构与一个第二约瑟夫森结构形成的SQUID环路。通过负极连接结构与正极连接结构连接相邻的两个SQUID环路,形成SQUID阵列。通过环路电极将第一约瑟夫森结构与第二约瑟夫森结构连接,使得SQUID环路中形成串联电感结构。因此,通过一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列,采用一阶梯度简单结构,耦合结构简单,有效抵消外界磁场干扰。SQUID环路与输入线圈和反馈线圈的耦合方式均采用上下重叠耦合方式,且SQUID环路通过串联电感的方式,增大了与输入线圈和反馈线圈的耦合面积。
公开/授权文献
- CN115407110B 一阶梯度串联型SQUID电流传感器阵列及制备方法 公开/授权日:2024-09-17