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公开(公告)号：CN111834489B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201910302110.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/107 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法，所述的制备方法包括：S1、提供Si衬底；S2、在所述Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、第一Al1‑mGamN纳米柱、第二Al1‑xGaxN纳米柱、以及第三Al1‑zGazN纳米柱，其中，0≤m≤1，0≤x＜0.8，0≤z＜0.8；根据实际需要，还可以在所述S2步骤之后依次叠层生长第四Al1‑aGaaN纳米柱和第五AlN纳米柱，其中，0≤a＜0.8。本发明提供的雪崩二极管的制备方法，一方面利用AlN纳米柱显著减弱浅紫外光的干扰，提高晶体质量，从而能够提高探测器的准确性与灵敏度；另一方面硅衬底能够简化器件的制作工艺流程，易于后期的集成加工，十分有利于降低成本。
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公开(公告)号：CN110653375B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201810700931.0
申请日：2018-06-29
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种层状复合材料，包括合金层和镍铜合金层，所述合金层和所述镍铜合金层通过压制和烧结工艺冶金结合，所述合金层背离所述镍铜合金层的一侧表面通过渗硼工艺形成渗硼层。本发明还公开了如上所述的层状复合材料的制备方法及其在锅具中的应用。本发明提供的层状复合材料解决了现有复合材料中存在的抗氧性差、脆性大、硬度不高、结合力差等问题。
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公开(公告)号：CN103247638B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201310153381.2
申请日：2013-04-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层，构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+公共接触层、第二量子点有源区、第二N+中间接触层的叠层结构；在所述衬底和第一N+中间接触层之间，设有P+下接触层，在所述第二N+中间接触层上，设有P+上接触层，各接触层上设有对应的引出电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗可见光致盲和抗辐照功能。
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公开(公告)号：CN104716238A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310675320.2
申请日：2013-12-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L33/06 , H01L31/0352 , H01L31/035209 , H01L31/075 , H01L31/18 , H01L33/0062
Abstract: 本发明公开了一种双色光电器件，包括p型GaAs衬底，形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱，以及形成于GaInP/AlGaInP有源区量子阱上的n型GaAs接触层，所述双色光电器件为单片集成的单个器件。本发明还公开了一种双色光电器件的制作方法。由于本发明的双色光电器件为单片集成的单个器件，成本低，利于小型化设备的制造。
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公开(公告)号：CN103305809A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310258291.X
申请日：2013-06-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 一种温度连续可调的喷淋头，用于进行金属有机化学沉积反应，包括：进气单元；反应室上盖；连接于进气单元和反应室上盖的喷淋管；其特征在于，还包括：调温盘组件，调温盘组件包括调温盘及分设两边的入口通道和出口通道，调温盘内设有供冷却介质流通的空腔，相对密封的空腔与入口通道和出口通道与空腔连通，调温盘上还对应喷淋管设有通孔，喷淋管穿插于通孔中，高温盘可上下移动连接于反应室上盖和进气单元之间；位移装置，用于调节调温盘组件上下移动。本发明可通过改变调温盘与反应室上盖的距离来调整反应室内顶端空间的温度，在生长HEMT器件、LED行业广泛应用，不仅可以解决反应室内温度梯度的有效控制问题，还能提高源的使用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103247638A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310153381.2
申请日：2013-04-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种抗辐照和抗可见光致盲的双色量子点红外探测器，包括衬底、第一量子点探测结构、第二量子点探测结构，所述第一量子点探测结构与第二量子点探测结构共用一N+公共接触层，构成第一N+中间接触层、第一量子点有源区、N+公共接触层、第二量子点有源区、第二N+中间接触层的叠层结构；在所述衬底和第一N+中间接触层之间，设有P+下接触层，在所述第二N+中间接触层上，设有P+上接触层，各接触层上设有对应的引出电极，所述各层依次叠合连接构成一体结构。该探测器的五个电极和差分放大电路互连，分别测量两个量子点红外探测器产生的电子电流和空穴电流，具有双色探测、抗可见光致盲和抗辐照功能。
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公开(公告)号：CN101859731A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010165560.4
申请日：2010-05-07
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/782 , H01L41/22
Abstract: 本发明揭示了一种纳米线压电器件的制作方法，利用直接干法转移将预制的纳米线在聚酰亚胺薄膜上形成平行排列的纳米线阵列；再采用微米级或纳米级光刻法，在上述纳米线阵列上制备压电器件的源极和漏极；最后在源极和漏极一侧添设连接用的接点及引线，并对压电器件表面采用聚二甲基硅氧烷封装。本发明制作方法具有制作工艺简单、适用范围广泛、节省成本等优点，极大地提高了压电器件的产品率；其应用实施后制得的纳米线压电器件，能实现大量纳米线同时工作产生电能，并结合封装工艺提高了该压电器件的稳定性和输出功率。
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公开(公告)号：CN111816711B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202010877959.9
申请日：2020-08-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/96 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。
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公开(公告)号：CN111834489A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910302110.6
申请日：2019-04-17
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/107 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法，所述的制备方法包括：S1、提供Si衬底；S2、在所述Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、第一Al1-mGamN纳米柱、第二Al1-xGaxN纳米柱、以及第三Al1-zGazN纳米柱，其中，0≤m≤1，0≤x＜0.8，0≤z＜0.8；根据实际需要，还可以在所述S2步骤之后依次叠层生长第四Al1-aGaaN纳米柱和第五AlN纳米柱，其中，0≤a＜0.8。本发明提供的雪崩二极管的制备方法，一方面利用AlN纳米柱显著减弱浅紫外光的干扰，提高晶体质量，从而能够提高探测器的准确性与灵敏度；另一方面硅衬底能够简化器件的制作工艺流程，易于后期的集成加工，十分有利于降低成本。
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公开(公告)号：CN111785786A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010878088.2
申请日：2020-08-27
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/88 , H01L21/329 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种共振隧穿二极管，包括衬底以及在衬底上形成的外延部，外延部包括依序层叠在衬底上的第一势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层和第二势垒层均由AlN材料制成，势阱层由GaN材料制成。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有的共振隧穿二极管的功率较低的问题。
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