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公开(公告)号：CN101437368A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810239869.6
申请日：2008-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种印刷电路板中多芯片共用供电/接地结构，属于电路板噪声抑制技术领域。所述供电/接地结构是在一个多层印刷电路板中构造其中某三层为“金属－介质－金属”的典型电容器结构，其中介质是高介电常数介质；大面积供电或接地金属平面分别按所需供电芯片个数分割成相同数目的区域，每个区域在被供电芯片的正下方。本发明通过埋入技术，即整个供电/接地结构是电路板中的一部份，这样连线短，寄生参数小，能够工作于高频，大大地扩展了滤波器的高频性能。
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公开(公告)号：CN101382623A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710121503.4
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及光纤通信技术领域，公开了一种带光纤定位槽的斜面接收光电探测器的制作方法，在斜面接收光电探测器SVPD的制作过程中增加光纤定位槽腐蚀工艺，在SVPD的相对一侧朝向SVPD有源区的方向上腐蚀半导体衬底形成用于容纳对准光纤的光纤定位槽，将光纤定位槽与SVPD集成为一体，位于光纤定位槽的光纤的中心精确对准SVPD的有源区中心。本发明同时公开了一种带光纤定位槽的斜面接收光电探测器阵列的制作方法。利用本发明，使光纤和SVPD的对准精度在微米量级，克服了定位精度的漂移问题，提高了定位精度的可靠性，并降低了光纤对准定位的难度，降低了光纤对准定位的成本。
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公开(公告)号：CN109904082A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910243738.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种基板埋入型三维系统级封装方法及结构，所述方法包括：获取待埋入器件的高度信息、或者安装要求信息；根据高度信息、或者安装要求信息确定将待埋入器件通过芯层工艺埋入并制作形成第一基板，或者采用基板积层工艺制作第二基板，然后在第二基板上通过表贴工艺表贴待埋入器件；通过采用基板层压工艺将至少两个第一基板、或至少两个第二基板、或者第一基板与第二基板压合形成封装基板；在封装基板上制作通孔、覆盖绿油、开窗形成基板埋入型三维封装结构。本发明能够有效的在表面节省大部分空间，提高封装集成度，实现小型化；还能够在封装结构中形成天然的电磁屏蔽和隔离结构，有效的改善系统的电磁干扰性能。
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公开(公告)号：CN104045056B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410318509.0
申请日：2014-07-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法。包括：准备事先制备的纳米线；将所述纳米线悬浮在溶剂中，形成均匀的悬浊液；将所述悬浊液装入离心管；所述悬浊液进行高速离心沉淀，所有的纳米线沉淀在管底，形成有序堆积的纳米线沉淀；移除上清液，将有序堆积的纳米线沉淀进行烘干并从离心管管底剥离，完成制造有序堆积的纳米线膜/体。本发明提供的纳米线膜/体的制造方法不需要生长种子层就能获得致密的纳米材料，且不受材料和制备方法的限制。
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公开(公告)号：CN104459420A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410841720.0
申请日：2014-12-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103311214A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310176368.9
申请日：2013-05-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73204
Abstract: 本发明披露了一种用于叠层封装的基板，所述基板的表面包含凹陷的腔体，所述腔体包含一个以上。本发明提供的用于叠层封装的基板，在基板的一侧或两侧设置有凹陷的腔体，该腔体用来组装芯片。由于腔体内部与基板边缘存在一定的高度差，互连焊球设置基板边缘上，可以允许采用窄节距、小直径的互连焊球，从而能够提高两层封装单元之间的互连密度。
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公开(公告)号：CN103296009A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210043664.7
申请日：2012-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种带有EBG的屏蔽结构、3D封装结构及其制备方法，所述带有EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。所述制备带有EBG屏蔽结构的方法包括制备至少一层金属平面；制备中间绝缘层；制备至少一层带有周期性EBG结构的金属平面。所述一种3D封装结构，包括带有EBG的屏蔽结构、裸芯片、互联基板；所述裸芯片键合在所述互联基板上，所述裸芯片与所述屏蔽结构连接。还提供一种3D封装的制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。
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公开(公告)号：CN103199086A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310087268.9
申请日：2013-03-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/552 , H01L23/48 , H01L23/473 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅基转接板，该硅基转接板包括具有电磁屏蔽功能的微流道结构，且在该微流道结构的侧壁形成有电磁带隙结构。本发明通过调整微流道结构的位置和在微流道结构的侧壁形成电磁带隙结构，使得微流道结构既具有散热的作用，又能起到提高电性能，减少衬底损耗的作用。因此，本发明提供的硅基转接板，由于微流道结构的存在，不但具有互连和散热的功能，同时还具有电磁屏蔽的功能。
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公开(公告)号：CN102856304A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110175505.8
申请日：2011-06-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/1533 , H01L2924/15331
Abstract: 公开了一种半导体芯片封装结构，包括至少一个芯片封装基板和/或至少一个插入板；所述芯片封装基板上设有电磁带隙；所述插入板设有电磁带隙。本发明提供的一种半导体芯片封装结构，可以实现封装中在覆盖低频频带的超宽频带范围内的芯片电源噪声隔离屏蔽，同时兼顾超宽频带范围内的对芯片电源噪声产生的抑制。
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公开(公告)号：CN102856303A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110174980.3
申请日：2011-06-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/64 , H01L23/00 , H01L23/485
Abstract: 公开了一种半导体芯片，包括：一半导体衬底以及若干穿透半导体衬底的导电硅通孔；所述半导体衬底上设有平板电容结构。本发明通过提高芯片上电源分配网络超宽带退耦能力，在超宽频带范围增强半导体芯片抑制电源噪声的产生和互扰，以及抵御外来电源噪声干扰的能力，从而提高半导体芯片性能。
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