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公开(公告)号：CN109904082B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910243738.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种基板埋入型三维系统级封装方法及结构，所述方法包括：获取待埋入器件的高度信息、或者安装要求信息；根据高度信息、或者安装要求信息确定将待埋入器件通过芯层工艺埋入并制作形成第一基板，或者采用基板积层工艺制作第二基板，然后在第二基板上通过表贴工艺表贴待埋入器件；通过采用基板层压工艺将至少两个第一基板、或至少两个第二基板、或者第一基板与第二基板压合形成封装基板；在封装基板上制作通孔、覆盖绿油、开窗形成基板埋入型三维封装结构。本发明能够有效的在表面节省大部分空间，提高封装集成度，实现小型化；还能够在封装结构中形成天然的电磁屏蔽和隔离结构，有效的改善系统的电磁干扰性能。
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公开(公告)号：CN108649019A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810458158.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/66 , H01L23/522 , H01Q1/22 , H01Q15/14
Abstract: 本申请提供了一种扇出型封装结构。该扇出型封装结构包括：线路板；至少两个电接触结构，设置在线路板的表面上；再布线层，设置在电接触结构的表面上，再布线层通过电接触结构与线路板电连接；微带天线，设置在再布线层内或者设置在再布线层的表面上；天线馈线，设置在再布线层内或者设置在再布线层的表面上，天线馈线与微带天线电连接；天线反射平面，设置在线路板的表面上或者设置在再布线层的表面上，微带天线和天线反射平面隔离设置，天线反射平面为人工磁导体结构；介质层，设置在再布线层的表面上；射频芯片，设置在介质层中，通过再布线层与微带天线电连接。该扇出型封装结构采用人工磁导体结构作为天线反射平面，能够获得更宽的频带宽度。
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公开(公告)号：CN108649019B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201810458158.1
申请日：2018-05-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/31 , H01L23/66 , H01L23/522 , H01Q1/22 , H01Q15/14
Abstract: 本申请提供了一种扇出型封装结构。该扇出型封装结构包括：线路板；至少两个电接触结构，设置在线路板的表面上；再布线层，设置在电接触结构的表面上，再布线层通过电接触结构与线路板电连接；微带天线，设置在再布线层内或者设置在再布线层的表面上；天线馈线，设置在再布线层内或者设置在再布线层的表面上，天线馈线与微带天线电连接；天线反射平面，设置在线路板的表面上或者设置在再布线层的表面上，微带天线和天线反射平面隔离设置，天线反射平面为人工磁导体结构；介质层，设置在再布线层的表面上；射频芯片，设置在介质层中，通过再布线层与微带天线电连接。该扇出型封装结构采用人工磁导体结构作为天线反射平面，能够获得更宽的频带宽度。
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公开(公告)号：CN109904082A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910243738.3
申请日：2019-03-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种基板埋入型三维系统级封装方法及结构，所述方法包括：获取待埋入器件的高度信息、或者安装要求信息；根据高度信息、或者安装要求信息确定将待埋入器件通过芯层工艺埋入并制作形成第一基板，或者采用基板积层工艺制作第二基板，然后在第二基板上通过表贴工艺表贴待埋入器件；通过采用基板层压工艺将至少两个第一基板、或至少两个第二基板、或者第一基板与第二基板压合形成封装基板；在封装基板上制作通孔、覆盖绿油、开窗形成基板埋入型三维封装结构。本发明能够有效的在表面节省大部分空间，提高封装集成度，实现小型化；还能够在封装结构中形成天然的电磁屏蔽和隔离结构，有效的改善系统的电磁干扰性能。
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