-
公开(公告)号：CN107293612A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201610193042.0
申请日：2016-03-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/18
Abstract: 一种太阳能电池发射结制备方法，包括步骤：(1)准备n型硅衬底，所述衬底具有正面和背面，在所述衬底的背面沉积保护层；(2)在所述衬底的正面形成尺寸大小为10-500nm的纳米孔或1-20μm的微米凹坑；(3)在腐蚀后的衬底的正面刷铝浆，烘干并烧结形成p型层。以及一种依据上述方法制备的太阳能电池发射结和包含该发射结的太阳能电池。所述制备方法中通过在衬底的正面采用丝网印刷形成发射结，成本相比于其他技术大为降低，并且易于大规模生产，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN104975293B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
-
公开(公告)号：CN105140364A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510446424.5
申请日：2015-07-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种GaN发光器件及其制备方法，GaN发光器件包括基片、上电极层及下电极层，上电极层形成在基片的上方，下电极层形成在基片的下方，其中，基片自下而上包括正金字塔结构层、缓冲反射层、发光层、透明导电氧化物层。正金字塔结构层包括周期性排列的多个正金字塔结构。本发明能得到高质量的外延GaN，并能制造出低成本、高效的发光二极管。
-
公开(公告)号：CN104975293A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510266643.5
申请日：2015-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅衬底及其制备方法，由晶体硅构成，其表面为晶体硅的(100)晶面，硅衬底包括基底以及在基底之上形成的多个周期性排布的正金字塔结构。本发明成功制备出具有周期性正金字塔结构的硅衬底，为硅衬底器件提供了一种新的衬底结构，为硅基电力电子器件的制备提供了一种新的方法，周期性排布的正金字塔结构相对于倒金字塔结构更适合在硅衬底上进行外延。
-
公开(公告)号：CN104393108A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410583508.9
申请日：2014-10-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1864 , H01L31/18 , H01L31/186
Abstract: 一种用于高效纳米偶极子太阳能电池的强极化装置，包括：一下电极；一对象薄膜，该对象薄膜制作在下电极上；一绝缘薄膜，该绝缘薄膜制作在对象薄膜上；一上电极，该上电极制作在薄膜上；一高压直流电源，其一端与下电极连接，另一端与上电极连接。本发明具有结构简单，退火工艺参数方便控制，适宜大面积处理和规模化流水线生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110336028A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910365768.1
申请日：2019-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/58 , H01M10/0525
Abstract: 一种电池负极材料及其制备方法、锂电池，其中电池负极材料的制备方法，包括：在一导电晶体衬底之上外延生长高质量氮化镓薄膜得到一外延结构；以及将外延结构通过电化学腐蚀进行改性，在高质量氮化镓薄膜的表面形成孔洞，使得该孔洞贯穿该外延结构，形成作为电池负极材料的晶体氮化镓材料。首次将晶体氮化镓材料作为电池负极材料并直接在锂电池中作为电极使用，该制备方法克服了晶体氮化镓材料的制备技术与传统电极技术路线不兼容的技术挑战，通过采用高导电性的同质衬底，外延生长不同性质和结构的氮化镓材料，结合电化学腐蚀工艺对材料进行改性，从而得到高质量的氮化镓电极材料，兼具良好的循环稳定性和高容量的特性，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110010864A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910219791.X
申请日：2019-03-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525 , C01B32/182 , C01B32/184
Abstract: 一种硅-石墨烯电池负极材料及其制备方法、锂电池。该制备方法包括：采用金属阳离子辅助刻蚀硅片得到硅纳米线阵列；以及采用化学气相沉积法在硅纳米线表面包覆石墨烯，得到石墨烯包覆的硅纳米线。通过采用金属阳离子辅助刻蚀的手段，在Si纳米线表面形成大量氧化活性位点，避免传统Si材料需要形成氧化层之后再生长石墨烯的不便，采用CVD实现石墨烯包覆结构，通过气体扩散和输运将甲烷裂解的源附着到Si纳米线表面，更易于形成均匀的包覆结构；制备得到的电池负极材料的充放电应力释放优于传统碳材料，提高一维结构在充放电过程中的稳定性。该锂电池具有较高的储锂容量和稳定的循环特性，为发展高性能锂电池提供新的选择，具有良好的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110010461A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910288379.3
申请日：2019-04-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 一种用于各向同性腐蚀氮化物材料的湿法腐蚀方法，该方法首先在GaN表面涂敷光刻胶，并光刻腐蚀图形；再在光刻的衬底上蒸镀一层金属；然后进行金属剥离，再去除剩余光刻胶；接着将处理后的GaN放入腐蚀性溶液中进行腐蚀；最后将腐蚀完的外延片样本浸入稀释的硝酸溶液，去除表面金属。本发明的方法刻蚀速率快，刻蚀成本低，工艺简单，刻蚀出的GaN表面平整，刻蚀的图形可根据需要自行调控。
-
公开(公告)号：CN108258119A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810021993.9
申请日：2018-01-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0003 , H01L51/4226
Abstract: 本公开提供了一种无机卤化铋钙钛矿电池，其包括：透明导电衬底；电子传输层，形成于透明导电衬底上；钙钛矿吸光层，形成于电子传输层上，钙钛矿吸光层的材料为Cs2XBiY6，其中X＝Ag、Na、K或Rb，Y＝Cl、Br或I；空穴传输层，形成于钙钛矿吸光层上；以及电极，形成于空穴传输层上。进一步提供该无机卤化铋钙钛矿电池的制备方法，该制备方法简单、易重复。本公开利用物理化学性质稳定的全无机钙钛矿吸光层，替换了传统钙钛矿吸光层中有毒的铅组分，不仅提高钙钛矿电池在空气中的稳定性，而且有利于高效稳定安全的钙钛矿电池的工业化生产。
-
公开(公告)号：CN106952856A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710063306.5
申请日：2017-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683 , H01L33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法，包括：刻蚀硅衬底，得到图形化硅衬底；在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层；对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构，进行腐蚀去除图形化硅衬底，得到氮化物纳米带。本发明对Si衬底的晶向没有苛刻的要求，在Si(100)和Si(111)衬底上皆可进行降低生产成本，采用图形化衬底生长氮化物，生长氮化物的尺寸可控。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
31
records
(took 0.026 seconds)
