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公开(公告)号：CN115574942A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211224131.9
申请日：2022-10-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01J4/04
Abstract: 本发明提供一种偏振放大系统、制备方法及偏振分析方法，涉及半导体光电探测器及其制备技术领域。该偏振放大系统包括偏振探测器、参考电阻和晶体管，其中：偏振探测器包括第一硅片基底，以及从左至右依次位于第一硅片基底上的第一有源层、第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极均为金属材料；晶体管包括第二硅片基底，以及从左至右依次位于第二硅片基底上的第二有源层、第二源电极、第二漏电极、介电层和栅电极，第二源电极、第二漏电极和栅电极均为金属材料；偏振探测器的第一漏电极与参考电阻电连接，并共同连接至晶体管的栅电极；其中，第一有源层和第二有源层均为二维半导体材料，偏振探测器的探测波段为可见光至近红外波段。
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公开(公告)号：CN114582993A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210206059.0
申请日：2022-02-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及了一种光电传感器及其制备方法、图像传感器中的应用。一种光电传感器包括：衬底；绝缘层，设置于衬底上；探测及成像层，设置于绝缘层上；至少一组源电极和漏电极，设置于探测及成像层上并一个延伸方向上依次设置，源电极和漏电极延伸出探测及成像层的部分与绝缘层接触；其中，探测及成像层的导电率响应于入射的可见光发生变化。通过机械剥离在衬底上得到二维正交相磷化硅纳米带作为探测及成像层，将掩膜覆盖至二维正交相磷化硅表面并沉积源电极和漏电极，构建二维正交相磷化硅光电探测器，实现对可见光的高敏感度探测，并利用这一性质应用于光图像传感器，实现对物体的成像。
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公开(公告)号：CN113823552A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111168077.6
申请日：2021-09-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02 , H01L31/072 , H01L31/109 , H01L33/00 , H01S5/32
Abstract: 本发明提出一种二维半导体异质结的制备方法，包括将反应前驱体置于反应容器中，反应前驱体包括一种硫属元素粉末及两种四族金属化合物粉末，硫属元素粉末置于第一位置，四族金属化合物粉末置于第二位置，两种四族金属化合物粉末熔点差不超过第一值；将衬底置于反应容器第三位置；密封反应容器并通入运载气体；加热反应容器使反应前驱体反应生成反应生成物且沉积到衬底上；自然冷却至室温，停止通入运载气体，反应生成物在衬底上完成沉积，得到异质结。本发明操作简单，可重复性好，可实现快速大批量生长；工艺可控，可实现厚度可控的大面积生长；解决了机械堆叠构筑异质结中干法转移或湿法转移得到二维半导体异质结时带来的材料厚度不均匀的问题。
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公开(公告)号：CN111463299A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010309213.8
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/102 , H01L31/18 , H01L27/146 , B82Y30/00
Abstract: 一种基于氧化镓日盲紫外偏振光的直接探测器、其制备方法及偏振成像装置，该直接探测器包括IC插座台面，其上设有IC插座针脚；硅片，其设置在IC插座台面上，其上附有二氧化硅层；以及源电极、漏电极和半导体层，均设置在硅片的二氧化硅层上，半导体层位于源电极和漏电极之间，源电极和漏电极分别通过引线与IC插座针脚连接。本发明提供的基于宽禁带半导体氧化镓的日盲区紫外偏振光直接成像，其像元为纳米级的纳米带且氧化镓的光响应时间为微秒级别，可实现高分辨且快速的扫描目标。
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公开(公告)号：CN110257916A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910519508.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C30B29/46 , C30B25/00 , H01L29/24 , H01L31/032
Abstract: 一种锰铟硒晶体、其制备方法、二维磁性半导体材料、光探测器及场效应晶体管，该锰铟硒晶体的制备方法，包括将锰粉、铟粒、硒粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到锰铟硒晶体。本发明的二维磁性半导体材料具有对于可见光的优异光响应性质，同时在温度为2K时表现出铁磁性；锰铟硒晶体采用高温管式炉制备，晶体结晶质量高，可实现大规模制备，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN117210937A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311061427.8
申请日：2023-08-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种二维AsSbO3纳米片的制备方法及利用该二维AsSbO3纳米片制成的日盲紫外光探测器，该二维AsSbO3纳米片的制备方法包括：以As2O3粉末和Sb2O3粉末为原料，采用化学气相输运法生长AsSbO3单晶；采用机械剥离法解理AsSbO3单晶，得到二维AsSbO3纳米片。本发明公开的二维AsSbO3纳米片具有超宽带隙，将其应用于日盲紫外光探测器，能够实现日盲紫外光的有效探测。
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公开(公告)号：CN115132879A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210729763.4
申请日：2022-06-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种单晶纳米线偏振光探测器的制备方法，包括：生长锑铋硫单晶材料；剥离锑铋硫单晶材料，将锑铋硫单晶材料剥离成锑铋硫单晶纳米线并转移至衬底上；在锑铋硫单晶纳米线两端制备电极，得到单晶纳米线偏振光探测器。本发明将具有各向异性的锑铋硫单晶纳米线作为偏振光探测元件，由于锑铋硫单晶纳米线的各向异性，对不同方向的线偏振光具有不同的吸收特性，锑铋硫单晶纳米线自身就能够对线偏振光进行探测，无需额外的光学元件，使光探测器的结构更加简单。
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公开(公告)号：CN113629158A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110898961.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/113 , H01L31/18 , G01J3/02 , G01J3/28
Abstract: 本发明提供一种宽光谱偏振光探测器及其制备方法，宽光谱偏振光探测器包括基底层以及偏振层；基底层具有一成型面；偏振层设于所述成型面上，包括由左至右依次设置的源电极、有源层以及漏电极；其中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯。在本发明提供的技术方案中，有源层为N型二维层状半导体材料磷硫化钯，结构具有各向异性，有利于敏感的偏振光探测；作为N型半导体，其费米能级靠近导带，提高了包括电子从价带到导带的宽能带以及导带内近邻能带的跃迁频率，实现了电子的多通道跃迁，拓宽了光电探测器的光谱探测范围，从日盲区到近红外区。
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公开(公告)号：CN113488552A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110779857.8
申请日：2021-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , B82Y40/00 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种偏振光探测器及其制备方法，其中，该偏振光探测器包括：衬底；源电极和漏电极，设置于衬底上；一维硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线，作为偏振光探测器的有源层，设置于衬底上的源电极和漏电极之间，其中，硒硫化锑(Sb2(SxSe1‑x)3)合金纳米线中组分比例可调节，x介于0～1之间。
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公开(公告)号：CN109950364B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201910261491.8
申请日：2019-04-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供了一种基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，属于二维半导体成像技术领域。该基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件制备方法，包括：制备二维硒化亚锗单晶；将所二维硒化亚锗单晶剥离成二维硒化亚锗纳米片并转移到有二氧化硅氧化层的硅片衬底上，得到二维硒化亚锗纳米片薄层；将所述二维硒化亚锗纳米片薄层制备成二维硒化亚锗两端器件，得到基于二维硒化亚锗光电探测器的成像元件；所述二维硒化亚锗两端器件即为所述二维硒化亚锗光电探测器。本发明通过将二维硒化亚锗纳米片制备为二维硒化亚锗两端器件，替代原来的电荷耦合元件，可以实现尺寸小，利于加工和集成的效果。
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