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公开(公告)号：CN111286703B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202010245239.0
申请日：2020-03-31
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材中铂的含量为21～31%原子百分比，镍铂溅射靶材溅射面的（111）面的取向率大于30%，（200）面的取向率小于（111）面且大于20%。所述制备方法包括以下步骤：以4N5镍和铂为原料，配制成铂的含量为21～31%的合金，将合金放入熔炼炉中进行熔炼，待原料熔化后置于浇铸模具中进行浇铸获得铸锭；再将铸锭采用温轧轧制形成坯料后再结晶退火，最后加工成型获得靶材。本发明制备获得了成品率高，稳定性好的含铂为21～31原子%的NiPt合金溅射靶材，通过控制晶粒取向改善了靶材的成膜速率和薄膜性能稳定性，获得了沉积速率和膜厚均匀性较好的NiPt薄膜，大大提高了生产效率，极大节约了成本。
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公开(公告)号：CN111270210B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186065.5
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10μm，氧含量100 ppm以内；所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10μm的钌粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得钌溅射靶材性能优异，高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN111304608B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材含镍为1~23.5wt%或30~99wt%，余量为铂，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~50μm，其中含镍为1~23.5wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3；含镍为30~99wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN104018128B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410231799.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶中，铂的含量为0～5原子％，靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米，靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合，且单个方向上的衍射峰强度不大于50％，靶材的透磁率(PTF)在大于40％且在各个不同方向上测量的数值差别在5％以内。所述的镍铂合金溅射靶材，能减少溅蚀现象发生，具有较长的使用寿命，使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性；本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法。
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公开(公告)号：CN104014767A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410246797.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备NiV合金靶材的方法，涉及使用特殊的熔铸方法制备高纯度、晶粒细小的NiV合金靶材产品。通过采用氧化硼作为覆盖剂对合金熔体实施净化以提高合金靶材的纯度，采用循环液态金属冷却的铜模进行浇铸实现合金熔体的快速凝固，从而获得纯度高、晶粒细小、无偏析、相结构单一的NiV合金靶材产品，提高了效率和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
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公开(公告)号：CN117733168A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311669319.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN117568765A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544328.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用镍靶材的制备方法，该方法采用真空感应熔炼法制备高纯镍锭，随后在合适工艺条件下进行热变形加工和冷变形加工处理，再对镍靶材坯料进行真空退火处理，最后进行机械加工，得到微观结构及磁学性能均符合要求的高性能镍靶材。采用上述制备方法制备得到的镍靶材纯度≥99.995％，平均晶粒尺寸≤50μm，晶粒粒径分布均匀，靶材溅射面存在(111)晶面择优取向，磁透率在30～45％范围内可控。在后续溅射镀膜过程中，镍靶材的溅射成膜效果和靶材使用寿命都有明显提升。
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公开(公告)号：CN115533447A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN114318255B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202111500588.3
申请日：2021-12-09
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种由易氧化金属镀膜保护制备的高致密NiV合金溅射靶材及其制备方法，所述溅射靶材之基材原料由纯度≥99.99wt％的Ni和V金属组成，其中V：5~8wt％，Ni：92~95wt％；所述基材表面有易氧化金属保护镀膜，其膜层厚度≤5μm；溅射靶材致密度≥99.5%，且表面无肉眼可见的缺陷，氧含量低于30ppm，靶材的晶粒尺寸均匀，其平均晶粒尺寸为10~30μm；所述溅射靶材之表层机加工处理的去除深度≤0.5mm。其制备方法由基材铸锭与清洗处理、基材镀膜、坯材轧制、再结晶处理和机加工处理工艺实现。本发明基于“控氧+优先保护”原理，降低基材氧含量，基材表面优先溅射易氧化金属保护镀层，抑制“夹生”脆性氧化物，提高了靶材优材率，降低了表层去除深度，减少靶材浪费，节约成本。
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