公开(公告)号：CN106340570A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610975301.5

申请日：2016-10-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘正新 ,  孟凡英 ,  石建华

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明提供一种用于制作透明导电氧化物TCO）薄膜的镀膜设备及镀膜方法，其中，所述镀膜设备在同一台真空设备中同时集成有离子镀膜源及溅射镀膜源。本发明结合离子镀膜和溅射镀膜的特点，把两种镀膜有效地融合，针对器件中对TCO薄膜的不同需求，可以在不暴露大气的条件下，连续制备具有不同光学性质和电学性质的TCO薄膜，获得高速的沉积速率，同时降低薄膜沉积过程中对衬底和器件表面所引起的损伤。本发明尤其适合高效率薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池的正面和背面连续、低损伤制备TCO薄膜以及各种薄膜太阳电池中连续制备不同TCO薄膜，且本发明的设备和方法可适用于多种具有不同性能的TCO材料。

公开(公告)号：CN209104182U

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201822212411.3

申请日：2018-12-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 石建华 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

Abstract: 本实用新型提供一种非晶硅/晶体硅异质结太阳电池，包括非晶硅/晶体硅异质结结构，其上表面和下表面分别包括中心区及包围中心区的边缘区；透明导电氧化物薄膜覆盖中心区，且至少显露非晶硅/晶体硅异质结结构的上表面和下表面中的一面的边缘区；金属电极；覆盖薄膜，覆盖薄膜至少覆盖被显露的边缘区。本实用新型通过氮化硅、氧化硅及氮氧化硅的化学惰性及光学折射率可控的特点，使非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性最大化，同时减反射效果最优化，从而达到提高非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的稳定性和光电转化效率的双重目的，且具有低成本、高稳定性的优势。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207282509U

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201720645616.3

申请日：2017-06-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘正新 ,  孟凡英 ,  张丽平 ,  石建华 ,  俞健 ,  刘金宁 ,  刘毓成

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本实用新型提供一种双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池，包括：n型硅衬底；窗口层，包括具有宽光学带隙的本征非晶硅或者微晶硅以及n型掺杂的非晶硅或者微晶硅；背场层，包括本征非晶硅或者微晶硅以及p型掺杂的非晶硅或者微晶硅；第一透明导电薄膜；第二透明导电薄膜；第一电极；以及第二电极。本实用新型的双面受光太阳电池使用具有宽光学带隙、低缺陷密度的本征非晶硅或者微晶硅以及n型非晶硅或者微晶硅薄膜叠层作为窗口层，有效降低窗口层的缺陷密度，减少对太阳光的吸收损失，提高太阳电池和光伏组件的光电转换效率和发电功率输出。与现有的HIT电池相比，本实用新型具有更宽的工艺窗口，有利于大批量生产的工艺控制和管理。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN210711711U

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201921135980.0

申请日：2019-07-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 石建华 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/50

Abstract: 本实用新型提供一种用于制作透明导电氧化物薄膜的镀膜设备，镀膜设备包括阴极镀膜源及载盘，载盘包括追盘部件及承载台阶；通过阴极镀膜源，在同一真空腔内、无需翻转的情况下进行双面镀膜；通过追盘部件，遮挡多个载盘之间的缝隙，实现阴极镀膜源的隔离式布局，避免阴极镀膜源的相互影响；通过承载台阶承载待镀膜件并对待镀膜件进行遮挡，避免透明导电氧化物薄膜的导通，避免引起SHJ太阳电池的短路；通过加固部件，防止载盘的变形，提高产品质量。本实用新型实现了“无应力”双面同位连续镀膜，减小镀膜设备的占地面积、避免待镀膜件的翻转、提高产品质量、具有低成本、高稳定性、广泛的应用前景和经济价值。

公开(公告)号：CN209328935U

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201920287323.1

申请日：2019-03-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 石建华 ,  孟凡英 ,  刘正新

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  C23C14/35 ,  C23C14/16 ,  C23C14/08

Abstract: 本实用新型提供一种镀膜设备，所述镀膜设备包括：至少两个射频磁控溅射源，以形成第一缓冲层及第二缓冲层；至少两个直流磁控溅射源，以在第一缓冲层上制备第一主导层及在第二缓冲层上制备第二主导层；具有低成本、高稳定性、方法兼容的特点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利