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公开(公告)号：CN101311105A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810033916.1
申请日：2008-02-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。
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公开(公告)号：CN1821725A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610006554.8
申请日：2006-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01G19/03
Abstract: 本发明涉及一种高速车辆超重测量系统，其特征在于它是由若干个现场敏感器件与信号放大器及控制器组成多路分布，并通过多路通路并行A/D转换将其产生的模拟信号输入到信号中央处理器，信号中央处理器根据各路发送的信号，通过特定的算法，进行车辆载重情况的识别，并发送探测信息和告警信息；本发明采用基于振动和形变的间接测量方式，通过特定算法实现自适应高速动态测量，原理新颖；系统不安装在道路表面，不需要开挖道路，安装方便，不会对交通产生任何影响；采用小型化、模块化设计，系统安装方便，配置灵活，可制成便携式系统。对允许通过的最高车速没有限制，不需要人工干预，可以实现24小时不间断在线测量。
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公开(公告)号：CN1786718A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510030947.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/02
Abstract: 本发明涉及一种悬臂梁－质量块结构的吸合时间式数字加速度传感器其特征在于(1)质量块由悬臂梁支撑，组成悬臂梁－质量块结构，通过锚点与衬底连接；在质量块两侧对称分布了一对左、右驱动电极和一对左、右敏感电极；所述传感器用纯数字电路制作接口电路；(2)所述的悬臂梁－质量块结构在X－Y平面内绕锚点运动；(3)质量块与敏感电极接触为状态A，质量块不与敏感电极接触为状态B。状态A与B可以用数字电路中的0和1(或者1和0)表示；本发明提供的是一种纯数字式传感器，接口电路易于制又可实现超微小型化而灵敏度和非线性与传流电容或传感器相当。
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公开(公告)号：CN115813353B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211467963.3
申请日：2022-11-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，传感器阵列包括至少4个压力传感器，各压力传感器沿第一方向排列，所述第一方向与桡动脉的延伸方向呈夹角设置，中医紧脉特征识别方法包括：获得各压力传感器在同一时刻的脉搏压力值；得到多个压力采样点，将各压力采样点连成包络曲线；获得同一脉搏周期内的多条包络曲线选取最大的纵坐标最大值所对应的包络曲线作为该脉搏周期的压力分布曲线，在各压力分布曲线中取一标识点代表该压力分布曲线的位置，统计各标识点的横坐标的变化量；将变化量与紧脉判定阈值比较，得到紧脉特征识别结果。本发明的基于传感阵列测脉搏波横向位置变化的紧脉特征识别方法，能够识别紧脉等复杂脉象。
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公开(公告)号：CN111792621B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010640709.3
申请日：2020-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109734046B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201811597857.0
申请日：2018-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种真空封装工艺，包括以下步骤：提供硅圆片和玻璃圆片；在硅圆片和玻璃圆片中的一个上制作需要真空封装的结构或器件，在硅圆片和玻璃圆片中的另一个上制作敞开的凹槽，在凹槽内制作用于局域氧化的金属层；硅圆片和玻璃圆片通过阳极键合形成微腔体结构，该微腔体结构具有由凹槽形成的气密腔，金属层位于该气密腔的内部，阳极键合产生的氧气进入气密腔的内部；射频激发气密腔的内部的氧气形成氧等离子体，金属层与氧等离子体发生氧化反应以持续消耗氧气直至氧气无法启辉形成氧等离子体为止。本发明提供的真空封装工艺，利用硅‑玻璃阳极键合产生氧气以及金属薄膜在氧等离子体中持续氧化的特性，最终实现真空封装。
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公开(公告)号：CN111792621A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010640709.3
申请日：2020-07-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械封装技术领域，特别涉及一种圆片级薄膜封装方法及封装器件，包括：获取芯片圆片；刻蚀部分所述牺牲层，在所述衬底与所述外壳之间形成横向钻蚀孔；采用蒸发或溅射工艺在所述横向钻蚀孔处沉积第一金属层，所述第一金属层具有纳米尺度的通孔；在所述第一金属层上沉积第二金属层；通过所述牺牲层释放孔释放所述牺牲层，得到待封装器件；加热所述待封装器件，加热温度介于所述第二金属层的熔点与所述第一金属层的熔点之间，使得所述第二金属层熔融铺展，从而密封所述牺牲层释放孔。通过在封装结构上设置横向钻蚀孔，横向钻蚀孔用以在金属层上形成自对准通孔，通过在通孔处沉积少量低熔点的封口金属就可以实现封口。
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公开(公告)号：CN106915723B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510998013.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于激光结合各向异性腐蚀的梁‑质量块结构的制备方法，包括以下步骤：1）提供（111）硅片；2）采用激光加工工艺在所述（111）硅片背面形成第一深槽；3）在所述（111）硅片正面形成第二深槽；4）在所述（111）硅片表面、所述第一深槽及所述第二深槽侧面及底部形成第一氧化层；5）在所述（111）硅片正面形成第三深槽；6）在所述第一氧化层表面及所述第三深槽的侧面及底部形成第二氧化层；7）采用反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺释放梁。采用激光加工工艺结合反应离子刻蚀工艺及各向异性腐蚀工艺形成梁‑质量块结构，可降低整个工艺的成本；梁结构的厚度由从（111）硅片正面进行的深反应离子刻蚀决定，工艺精度高。
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公开(公告)号：CN105785073B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201410815643.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法，该传感器的改进点在于敏感结构部分，敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁，每个敏感梁上设一个力敏电阻；四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁，将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度，从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响，获得高灵敏度和高优值；敏感梁靠近质量块中线位置，其挠曲较小，可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘，其力臂长，可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低，表面无氧化层，可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁，可实现应力集中，从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号：CN106772752B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201710040989.2
申请日：2017-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。
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