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公开(公告)号：CN105785073B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201410815643.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法，该传感器的改进点在于敏感结构部分，敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁，每个敏感梁上设一个力敏电阻；四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁，将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度，从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响，获得高灵敏度和高优值；敏感梁靠近质量块中线位置，其挠曲较小，可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘，其力臂长，可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低，表面无氧化层，可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁，可实现应力集中，从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号：CN105785073A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410815643.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明提供一种压阻式加速度传感器及其制作方法，该传感器的改进点在于敏感结构部分，敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁，每个敏感梁上设一个力敏电阻；四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁，将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度，从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响，获得高灵敏度和高优值；敏感梁靠近质量块中线位置，其挠曲较小，可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘，其力臂长，可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低，表面无氧化层，可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁，可实现应力集中，从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号：CN204330809U
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201420837962.8
申请日：2014-12-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国电子科技集团公司第四十九研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本实用新型提供一种压阻式加速度传感器，该传感器的改进点在于敏感结构部分，敏感结构中的质量块左右两侧对称设有相互独立的各四个敏感梁，每个敏感梁上设一个力敏电阻；四个敏感梁的两侧各设一个用于支撑质量块的支撑梁，将力敏电阻制作在独立的敏感梁上可减小敏感梁的宽度，从而显著减小敏感梁对结构倔强系数的影响，获得高灵敏度和高优值；敏感梁靠近质量块中线位置，其挠曲较小，可减小旁轴灵敏度。支撑梁靠近质量块边缘，其力臂长，可更好地抑制旁轴加速度引起的质量块扭转。支撑梁上表面较低，表面无氧化层，可减小氧化层应力引起的结构挠曲。敏感梁厚度大于支撑梁，可实现应力集中，从而提高灵敏度和优值。
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公开(公告)号：CN115919270B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202211370489.2
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61B5/02
Abstract: 本发明提供一种基于密集柔性传感阵列的中医脉体软度判定方法，利用传感器阵列获取脉体随指压变化而产生的形变特征变化，以获得脉体软度判定结果；所述传感器阵列于一维阵列上包括的压力传感器个数≥5；本发明方法包括：将脉体的切脉过程根据施加压力由小到大，划分为若干个不同阶段；利用所述传感器阵列采集不同阶段的脉体压力分布曲线；基于所述脉体压力分布曲线，构建脉体的形变特征，并获取于各阶段的形变特征值；根据各所述形变特征值，获取脉体于所述切脉过程的总变化特征值；检测所述总变化特征值是否满足预设的脉体软度判定条件，根据检测结果获取脉体的软度判定结果，有效地提高了脉体软度判定的准确性。
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公开(公告)号：CN118258524A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410387844.X
申请日：2024-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种谐振式压力传感器及其制备方法，包括以下步骤：提供一衬底，于衬底上表层形成间隔设置的拾振电阻及驱动电阻；于衬底上表层形成至少一包括谐振梁及振动间隙的谐振结构，谐振梁包括相连接的第一梁、第二梁及中间梁，驱动电阻及谐振电阻分别位于第一梁、第二梁上表层，振动间隙包括环绕谐振梁的刻蚀槽及位于谐振梁下方并与刻蚀槽相连通的底部空腔；于衬底上表面形成覆盖振动间隙开口及谐振梁上表面且边缘与振动间隙开口间隔第一预设距离的牺牲层、覆盖牺牲层的密封壳；于谐振结构正下方形成自衬底底面开口的凹槽且底部与振动间隙底部间隔第二预设距离；密封壳与振动间隙合围形成密封腔。本发明的压力传感器的制备方法降低了生产成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114152266B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202010935517.5
申请日：2020-09-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS陀螺正交误差校正系统，包括：MEMS陀螺敏感模态电极，用于生成位移信号；预处理组件，与所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于将所述位移信号转换为数字电压信号；数字解调组件，与所述多位量化器和所述MEMS陀螺敏感模态电极相连，用于根据所述数字电压信号生成同相1比特脉宽密度调制信号和正交相1比特脉宽密度调制信号，并反馈至所述MEMS陀螺敏感模态电极。本发明的MEMS陀螺正交误差校正系统能够在不增加特定校正电极的前提下，解决现有技术中对MEMS陀螺正交误差抑制能力和校正实时性不强的问题，有效提高了MEMS陀螺的精度。
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公开(公告)号：CN116929983A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310831419.0
申请日：2023-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种气体吸附仪，所述气体吸附仪包括：气体输送装置、测试腔、悬臂梁以及频率获取装置；气体输送装置与测试腔连通设置，用于向测试腔内输送目标气体；悬臂梁设置在测试腔内，悬臂梁能够在测试腔内振动；悬臂梁上设置有待测材料，待测材料能够与悬臂梁同步振动；频率获取装置，用于获取悬臂梁的振动频率；其中，悬臂梁的振动频率与待测材料对目标气体的吸附量关联；本申请通过将悬臂梁设置在测试腔内，并将待测材料设置在悬臂梁上，进一步可以通过对附加有待测材料的悬臂梁的振动频率的测试，快速的计算出待测材料对目标气体的吸附量，提高测试效率，且还可以实时检测到待测材料对目标气体的吸附变化量，提高测试的灵敏度。
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公开(公告)号：CN111039251B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201811197406.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种压电微型超声换能器及其制备方法，所述超声换能器包括单晶硅片和阵列排列在所述单晶硅片单面的多个超声换能器单元，所述超声换能器单元至少包括腔体结构以及悬空支撑在所述腔体结构上方的多层复合膜结构，各个超声换能器单元的腔体结构之间通过至少一条腐蚀通道连通，所述多层复合膜结构自下而上依次包括弹性层、绝缘层以及压电敏感层，所述腐蚀通道可以加快芯片的结构释放速率，提高器件敏感结构的占空比。本发明的超声换能器是通过在一块单晶硅片的同一面进行表面硅微机械工艺制作而成，另一面并不参与工艺制作，避免了传统双面对准/曝光和键合工艺，大大降低芯片尺寸，减少制作成本，且与IC工艺兼容，可实现大批量制作。
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公开(公告)号：CN115552216A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180035092.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N5/04
Abstract: 一种原位实时程序升温分析方法，包括：将待测样品滴加在至少一个测试传感器(1)的样品涂覆区；将测试传感器(1)在第一预设温度范围内进行程序升温以获得基线；基线为通过记录测试传感器(1)在程序升温过程中的谐振频率变化数据得到；将测试传感器(1)在第二预设温度范围内进行程序升温以获得测量曲线；测量曲线为通过记录测试传感器(1)在程序升温过程中的谐振频率变化数据得到；根据基线和测量曲线得到程序升温分析曲线。采用自身集成有加热和数据采集功能的测试传感器(1)对待测样品进行程序升温分析，减少了检测结果的滞后性，且精确度高、反应灵敏，简化了程序升温分析方法，实现对样品的精确定量化分析。
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公开(公告)号：CN112461312B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011332943.6
申请日：2020-11-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热堆式气体质量流量传感器及其制造方法，包括：(111)单晶硅衬底；与衬底相连接的隔热薄膜，且共同围成隔热腔体；加热元件；一对呈“<>”状且对称分布于加热元件两侧的热电堆，每个热电堆尖端处两条轮廓线的夹角为120°，热电堆由至少一对悬挂于隔热薄膜下表面的单晶硅热偶臂和位于隔热薄膜上表面的多晶硅热偶臂组成的单晶硅‑多晶硅热偶对构成，两个热偶臂及热电堆与加热元件之间通过隔离槽隔离。本发明选择塞贝克系数较大的单晶硅及多晶硅，且可在有限的尺寸下将热偶臂的等效长度做的更长，提高传感器的灵敏度；另外还可增大单晶硅‑多晶硅热偶对热端与单晶硅加热元件之间的间距，调整传感器量程和测量精度，满足不同应用需求。
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