公开(公告)号：CN102383192A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110215672.0

申请日：2011-07-29

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  薛忠营 ,  曹共柏 ,  张峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/08

Abstract: 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。

公开(公告)号：CN1655321A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200410093369.8

申请日：2004-12-22

Applicant: 上海新傲科技有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈志君 ,  张峰

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于(1)注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；(2)离子注入的能量范围是15～80keV，相应剂量范围是1.0×1017～6.0×1017m－2；(3)在1200～1375℃范围内退火，退火时间1～24个小时，退火气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0％～20％。(4)去除二氧化硅保护层。采用本发明的工艺制备的绝缘体上的硅锗材料埋氧层连续，晶格质量好，锗含量高，全释放，满足实用要求。

公开(公告)号：CN102383192B

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201110215672.0

申请日：2011-07-29

Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 魏星 ,  薛忠营 ,  曹共柏 ,  张峰 ,  张苗 ,  王曦

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/08

Abstract: 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。

公开(公告)号：CN1564323A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410017239.6

申请日：2004-03-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 林志浪 ,  张峰 ,  程新利 ,  董业民 ,  陈猛 ,  王曦

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明涉及了一种双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途。其特征在于：具有双埋层结构，下埋层为连续的绝缘埋层，上埋层为不连续的图形化绝缘埋层。在存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.05～0.4μm，而在不存在上埋层的SOI局部区域，顶层硅的厚度为0.6～20μm，制备方法是以注氧隔离技术制备的具有连续埋层的SOI材料为衬底，硅气相外延生长获得较厚的单晶硅层，再采用图形化SIMOX工艺得到不连续的上埋层结构，或再结合反应离子刻蚀技术以及硅选择性外延工艺将上埋层结构的连续状况转变为不连续的。所制备的材料为SOI光电子器件的单片集成提供了衬底材料。