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公开(公告)号：CN101488558B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910046633.5
申请日：2009-02-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种用于相变存储器的M-Sb-Se相变薄膜材料，其组分为(SbxSe1-x)1-yMy，y为0.2％-15％原子比，x为50％-95％原子比，掺杂元素M为钨元素、铝元素、铟元素、银元素、铜元素、镍元素、镓元素、钛元素、锡元素、氧元素及氮元素中的一者或两者。本发明所提供的M-Sb-Se相变薄膜材料比常用的Ge2Sb2Te5材料具有更快的结晶速度，可以有更快的读写速度，有着更好的数据保持特性，有着比SbSe两元材料更好的热稳定性。同时该材料不含元素Te，是一种环境友好材料，与CMOS工艺兼容性好。
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公开(公告)号：CN101807545A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010130588.4
申请日：2010-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/8222 , H01L21/329 , H01L21/324 , H01L21/82
Abstract: 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。
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公开(公告)号：CN101794808A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010127295.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/763
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。
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公开(公告)号：CN101661992A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200810042218.8
申请日：2008-08-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储单元器件结构。其特点在于：1.相变存储单元下方有一个面积较小的加热电极和一个或多个面积较大的引流电极；2.可逆相变区域被严格控制在较小的电极周围；3.可逆相变区域外的相变材料处于结晶与稳定状态，呈现稳定和较高的电导率；4.整个相变存储单元的相变材料除电极外被高密度的SiO 2 等介质材料包覆。优势在于：减小相变存储单元的热扩散，提高加热效率，降低操作电流，减小功耗；防止原子扩散，保证相变材料成分稳定；提高可逆相变区域材料的成核生长速率，提高存储速度，提高其与小电极接触的有效性与可重复性；解决相变材料与顶层金属粘附性差的问题；简化工艺步骤，提高工艺的可集成性。
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公开(公告)号：CN100581984C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200710173680.7
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于电镀工艺的微机械测试探卡及制作方法。其特征在于在硅片上，利用电镀金属镍制作形成悬臂与探针针尖；探针针尖制作在硅片的(111)斜面上，且每个探针针尖由一个或两个探针悬臂与陶瓷基板相链接；探针悬臂与探针针尖采用等应力梁结构；倒装焊列基板上的探针在两个方向密集排布。制作特征在于首先利用(100)硅片的上表面作为电镀工作面，电镀形成低应力镍层的探针悬臂，随后利用各向异性腐蚀产生的深槽(111)斜面作为工作面，电镀形成低应力镍层的探针针尖，再采用倒装焊的工艺将探针链接到封装基板上，最后采用将硅片腐蚀去除的方法释放探针结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101586005A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910054391.4
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种SiSb基相变材料用化学机械抛光液，包括如下组分：0.2-30wt％含氧化物抛光颗粒、0.01-5wt％氧化剂、0.01-4wt％表面活性剂、0.01-3wt％有机添加剂，其余为pH调节剂和水性介质。利用本发明的化学机械抛光液对SiSb基相变材料速率可控、表面质量好且低损伤的抛光，可满足制备纳电子相变存储器中CMP工艺的需要。通过该化学机械抛光浆液，SiSb基相变材料的抛光速率可控制在5～2000nm/min，同时表面粗糙度降低到了0.7nm以下。
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公开(公告)号：CN101510584A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910047721.7
申请日：2009-03-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供的电阻变化显著的多态相变存储器单元器件及其制备方法，包括：下电极层；处于下电极层表面且为导电材料的加热电极层；处于加热电极层表面的组合层，组合层包括自层表面向层内扩散成第一锥状和自第一锥状锥底部处继续向层内收缩成第二锥状的相变材料区、及和相变材料区组合形成层结构的绝缘材料区，其中，第一锥状和第二锥状的锥顶部的宽度都处于加热电极层宽度的0.01倍至0.03倍之间；处于组合层表面的上接触电极层；处于上接触电极层表面的上电极层。而制备方法包括：首先在半导体衬底上制备下电极通孔，并往所述下电极通孔内沉积导电材料以形成金属栓塞，接着溅射沉积相变材料，并化学机械抛光表面，最后再沉积导电材料以形成金属塞。
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公开(公告)号：CN101486901A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200910046243.8
申请日：2009-02-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种检测卤代烃的传感材料，其特征在于：中心为二价铂，与铂配位的两个配体为2－苯基吡啶，同时苯基上还存在芳基取代基。传感材料包括铂、2－苯基吡啶配体和苯基上的芳基或由芳基进一步构建成的寡聚物和聚合物。所述的芳基包括进一步构建成的寡聚物或聚合物，还包括芳基的衍生物。所述的检测方法是利用荧光手段通过检测发光材料的荧光强度的变化实现的。所提供的发光材料应用于易挥发的卤代烃的检测。
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公开(公告)号：CN101465383A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810205004.8
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/82
Abstract: 本发明揭示一种多晶硅肖特基二极管及其制造方法、电阻转换存储器的制造方法。多晶硅肖特基二极管包括多晶硅半导体层、及与多晶硅形成肖特基接触的金属层。所述半导体层为通过金属诱导法、或气相沉积法、或准分子激光脉冲法制备得到的多晶硅材料。所述金属层与多晶硅层之间形成稳定的肖特基接触，所述金属层为金属单质、或为合金。本发明通过多晶硅的沉积辅助以退火处理，使其与特定金属形成肖特基接触制造肖特基二极管，成本上具有竞争力，更有望在三维的立体电阻转换存储电路中得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101459129A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200810207298.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种采用自对准法制造肖特基二极管阵列的方法，此方法用较少的工艺步骤制造二极管阵列，有效节省了光刻次数，采用特定的金属与半导体，使两者之间形成稳定的肖特基接触，用于肖特基二极管的形成，进而对存储器件进行选通。作为本发明的一部分，还包括基于自对准肖特基二极管阵列的电阻转换存储器的制造方法。
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