-
公开(公告)号：CN103531482B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201310533063.9
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种石墨烯场效应管的制作方法,包括：提供表面形成有二氧化硅层的半导体衬底；形成浮动电势交流介电泳结构：至少一第一子电极的第一电极部、至少包括一第二子电极和子电极连接线的第二电极部和至少一第三子电极的第三电极部，所述子电极连接线贯穿连接所有所述第二子电极，第二子电极和第三子电极的顶端分别一一相对；形成碳纳米管悬浮液；利用交流介电泳工艺使得每一相对的第二子电极和第三子电极之间连接一碳纳米管；固定所述碳纳米管；利用溅射工艺形成金属层；去除所述金属，形成石墨烯纳米带。本发明成批量实现单根碳纳米管的精确对准，将单壁碳纳米管裁剪成石墨烯纳米带，使之呈现出典型的半导体特性。
-
公开(公告)号：CN103400859B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310352264.9
申请日：2013-08-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯或石墨烯纳米带；所述带状石墨烯的宽度大于100nm；所述石墨烯纳米带的宽度范围为1~100nm。本发明通过在底层石墨烯及顶层石墨烯之间引入绝缘阻挡层，这样底层石墨烯及顶层石墨烯中载流子浓度可以分别通过加在底栅电极和顶栅电极上的电压进行调节，从而实现器件的较高的开关比。同时顶栅电极和底栅电极可以进行精确的单元选址，实现大规模器件集成运用。
-
公开(公告)号：CN103774113B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201410062801.0
申请日：2014-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/34
Abstract: 本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：先制备铜镍合金箔作为衬底，将所述衬底置于压强为20～5000Pa的化学气相沉积腔室中，使所述衬底的温度保持在950～1090℃，并通入温度为50～100℃的源物质，同时通入保护气体生长10分钟～3小时，从而在所述铜镍合金箔衬底表面制备形成六方氮化硼薄膜。该方法通过控制生长参数可以在铜镍合金衬底上制备不同尺寸六方氮化硼晶畴以及不同厚度的连续膜。制备的六方氮化硼晶畴边长最大可达上百微米，而且结晶性好，制备条件简单、成本低，生长所需条件参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼薄膜在石墨烯器件等领域的广泛应用打下了基础。
-
公开(公告)号：CN103943512A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410189193.X
申请日：2014-05-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/66045 , H01L29/41
Abstract: 本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜，；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退火，使所述金属催化层团聚形成催化颗粒，所述氢气沿着所述催化颗粒的边缘与石墨烯及BN反应，在石墨烯及BN表面形成锯齿状结构的孔洞；形成源、漏金属电极、栅介质层以及栅极。本发明采用金属催化层刻蚀石墨烯，在氢气氛围下退火的过程中，金属催化层团聚形成小的颗粒，氢气沿着颗粒的边缘刻蚀BN/石墨烯表面，形成具有Zigzag边缘结构的孔洞，并能与随后沉积的源、漏金属电极形成极强的化学键，使金属电极与石墨烯接触更好。
-
公开(公告)号：CN103646855A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310713413.X
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/04
CPC classification number: H01L21/7813 , H01L21/2007 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供一种石墨烯器件的制作方法，所述石墨烯器件的制作方法至少包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成PVA层；在所述PVA层上形成PMMA层；在所述PMMA层上形成石墨烯器件；将所述第一衬底、所述PVA层、所述PMMA层和所述石墨烯器件放入去离子水中，以溶解所述PVA层，使得所述PMMA层和所述石墨烯器件与所述第一衬底脱离；将所述PMMA层和所述石墨烯器件转移第二衬底上。本发明采用PMMA做支撑层，同时利用PVA作为牺牲层，然后，再通过去除PVA，使得形成在PMMA层上的石墨烯器件连同所述PMMA层一同脱离第一衬底，再与第二衬底（本实施例中为聚酰亚胺衬底）黏结，从而实现将石墨烯器件形成在第二衬底上。这样可以扩大石墨烯器件的应用范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112837993B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201911165270.7
申请日：2019-11-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种面内呈60°夹角的镍铜(111)孪晶薄膜及其制备方法，所述方法包括：S1、在蓝宝石基片的晶面Al2O3(0001)上沉积金属薄膜，得到依附在所述蓝宝石基片上的前躯镍铜薄膜；S2、将所述前躯镍铜薄膜放置在加热炉内，在氩气和氢气的混合气氛中进行退火处理，得到具有面外方向是111择优取向的镍铜孪晶薄膜，所述镍铜孪晶薄膜面内晶畴间呈60°夹角。本发明制备出的镍铜孪晶薄膜具有较强的催化性能，能够极大提高石墨烯的生长速度，降低批量化制备石墨烯单晶晶圆的成本。
-
公开(公告)号：CN115465856A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202110645459.7
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184 , C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种图形化石墨烯的制备方法，采用碳化硅基体作为固态碳源，在高温和催化剂的作用下，分解碳化硅，以在绝缘衬底上直接生长石墨烯，且通过容纳通道中第一图形化沟槽及第二图形化沟槽，可直接控制形成的石墨烯的形貌，从而本发明可在绝缘衬底上精确定位图形化石墨烯的位置，无需再次转移石墨烯，避免了对石墨烯的污染以及其结构的破坏，无需通过光刻、离子刻蚀等工艺对石墨烯进行加工，即可获得图形化石墨烯，避免了对石墨烯的损伤和破坏，可以制备图形复杂、大尺寸、高质量的石墨烯，解决了以往石墨烯图形化过程中成本高、易受污染，质量差等问题。
-
公开(公告)号：CN110921637B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN201811102112.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环境内同时通入含氮气体及保护气体，含氮气体与含硼固态催化剂进行反应以于衬底表面形成多层六方氮化硼薄膜。本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法可以在衬底表面制备横向尺寸达英寸级且厚度在几纳米至几百纳米之间的六方氮化硼薄膜；本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法的制备条件简单、成本低廉、对环境友好、生长参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼在二维材料器件领域的应用奠定良好的基础。
-
公开(公告)号：CN113832432A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111067884.9
申请日：2021-09-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C14/08 , C23C14/58 , C23C16/40 , C23C16/56 , C30B25/00 , C30B29/02 , C30B29/40 , C30B29/46 , C30B33/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种二维化合物半导体薄膜的制备方法。该方法包括：绝缘衬底表面沉积金属氧化物薄膜，预退火；催化衬底表面制备单层二维层状材料连续薄膜；构建限域空间制备表面载有垂直异质结构的绝缘衬底，置于加热装置中，通入载气及反应所需前驱体，加热条件下限域空间内进行化学反应。该方法具有一定普适性，可有效解决薄膜制备过程中存在的三维生长及晶粒尺寸较小的问题，从而实现多种二维化合物半导体薄膜的大面积制备，同时单层二维层状材料连续薄膜作为封装层，可有效保证二维化合物半导体薄膜的本征性能。
-
公开(公告)号：CN110921637A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811102112.2
申请日：2018-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环境内同时通入含氮气体及保护气体，含氮气体与含硼固态催化剂进行反应以于衬底表面形成多层六方氮化硼薄膜。本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法可以在衬底表面制备横向尺寸达英寸级且厚度在几纳米至几百纳米之间的六方氮化硼薄膜；本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法的制备条件简单、成本低廉、对环境友好、生长参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼在二维材料器件领域的应用奠定良好的基础。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.034 seconds)
