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公开(公告)号：CN101734706B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910200963.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～20小时；然后将所得产物离心分离，水洗；然后在30～40℃下低温烘干；最后进行煅烧，煅烧温度为300～1200℃，即可制得菱形片状氧化铈。本发明的制备方法制得的片状菱形氧化铈在化学机械抛光、汽车尾气催化净化、燃料电池、紫外光吸收等诸多高新技术领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101935596A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010281508.5
申请日：2010-09-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种相变材料抛光后清洗液，包括至少两种氧化剂、表面活性剂、金属防腐抑制剂、酸性介质和去离子水；以清洗液总重量为基准，上述组分的重量百分比为：氧化剂总量0.01-10wt％，表面活性剂0.01-4wt％，金属防腐抑制剂0.0001-20wt％，酸性介质0.2-30wt％，余量为去离子水。本发明提供的抛光后清洗液，通过采用两种以上氧化剂的协同作用，大大提高了硫系化合物相变材料GexSbyTe(1-x-y)的抛光后清洗效率，其残留去除速率大大提高，可达9-70nm/min。
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公开(公告)号：CN101299453B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200810038906.7
申请日：2008-06-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及纳米复合相变材料以及其制备方法。其特征在于：(1)纳米复合相变材料中具有相变能力的区域被不具备相变能力的稳定功能材料分散成尺寸为纳米量级的微小区域。(2)纳米复合相变材料中功能材料和相变材料层交替生长，功能材料层将各层相变材料层分隔开，形成多层结构。本发明还包含了纳米复合材料的制备方法与纳米加工的方法。功能材料的分散作用有效地限制了相变存储器件中相变材料的可逆相变区域，有效降低了晶粒尺寸；功能材料的存在又降低了复合材料的电导率和热导率，从而提高了器件的加热效率，降低了器件的功耗，并提升了数据保持能力和疲劳特性等。
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公开(公告)号：CN101734706A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910200963.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明属于无机纳米材料制备技术领域，具体涉及一种菱形片状氧化铈的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将硝酸铈铵，沉淀剂和硅烷偶联剂溶于水中，搅拌均匀至完全溶解后，进行加热回流反应，反应温度为70～100℃，时间为1～20小时；然后将所得产物离心分离，水洗；然后在30～40℃下低温烘干；最后进行煅烧，煅烧温度为300～1200℃，即可制得菱形片状氧化铈。本发明的制备方法制得的片状菱形氧化铈在化学机械抛光、汽车尾气催化净化、燃料电池、紫外光吸收等诸多高新技术领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101604666A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910053513.8
申请日：2009-06-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/00 , H01L21/304 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，公开了一种蓝宝石衬底及其抛光方法与应用，本发明的蓝宝石衬底表面抛光，且抛光表面具有随机无序的凹陷图案结构。本发明的蓝宝石衬底表面只有局部平坦化。这样的蓝宝石衬底大大降低了加工成本，增加了抛光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101462730A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810204997.7
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/32
Abstract: 本发明公开了一种超纯硅溶胶生产原料用水玻璃的制造方法，以石英砂或石英粉及碱为原料，经煅烧法或湿法生成水玻璃，其中，石英砂或石英粉中，二氧化硅摩尔数与杂质阴离子摩尔数之比大于100；碱中，将氧化钠与氧化钾的摩尔数之和与杂质阴离子的摩尔数之比大于100。本发明的工艺制得的水玻璃可用作生产超纯硅溶胶的原料，有效降低了超纯硅溶胶的生产成本。
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公开(公告)号：CN101462729A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810204996.2
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/32
Abstract: 本发明公开了一种用作超纯硅溶胶生产原料的水玻璃生产方法，包括下列步骤：在加有去离子水的容器中，加入水可溶性碱溶解，然后加入工业硅粉，常压下逐渐升温，反应温度控制在40－100℃，随反应产生的气体排出的水蒸汽经冷却回流至反应容器内，反应结束后，冷却，经过滤或沉降后获得水玻璃水溶液。本发明的工艺制得的水玻璃可用作生产超纯硅溶胶的原料，有效降低了超纯硅溶胶的生产成本。
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公开(公告)号：CN101462728A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200810204986.9
申请日：2008-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/32
Abstract: 本发明涉及一种水玻璃的制备方法，它以普通硅溶胶为原料，通过净化、阴阳树脂交换，加碱溶解得到成品，采用该方法可以对水玻璃的外观、杂质离子的种类与含量实行控制，其目的是用作生产超纯硅溶胶(金属元素与二氧化硅的质量之比小于1000ppm)的原料。以本方法生产的水玻璃为原料用于超纯硅溶胶生产具有成本低的特点。
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公开(公告)号：CN1722462A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510026541.2
申请日：2005-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L27/105 , H01L27/24 , H01L21/336 , H01L21/8239
Abstract: 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10－100nm的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的集成，可有效提高相变存储器的集成度。
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公开(公告)号：CN118995056A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411129604.6
申请日：2024-08-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含有二维材料的碳化硅抛光液，其中磨料包括α‑氧化铝和二维材料或仅为二维材料。本发明通过在磨料中引入二维材料，使得抛光液的抛光质量(包括结晶性能)、抛光速率和抛光表面亦获得很大提升，具有良好的应用前景。
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