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公开(公告)号：CN102832339A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210335059.7
申请日：2012-09-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料，所述Al-Ge-Te相变材料的化学通式为Al100-x-yGexTey，其中50＜x+y＜100，0.25＜x/y＜4。Al-Ge-Te相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换。基于Al-Ge-Te相变材料的相变存储器在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。并且Al-Ge-Te基相变存储器在循环擦写103次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。
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公开(公告)号：CN102664236A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210154750.5
申请日：2012-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，所述环形电极结构包括：基底，具有金属层及绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；导电薄膜材料，沉积于浅槽结构的表面，形成环形电极结构；绝热材料，填充于环形电极结构中并与绝缘层的上表面共平面；相变材料，覆盖于绝缘层的上表面及绝热材料上。本发明提供的低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以及现有提高器件热效率的手段与传统的CMOS工艺不兼容等问题。
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公开(公告)号：CN102593355A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210076491.9
申请日：2012-03-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: G11C13/0004 , C23C14/3414 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料及其制备。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。当为Ti-Sb2Te3相变存储材料时，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有分相。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。
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公开(公告)号：CN102544361A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010619461.9
申请日：2010-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示了一种可用于相变存储的相变材料及调节其相变参数的方法，所述相变材料为锡、锑、碲三种元素组成的存储材料。所述存储材料中，锡的原子百分比含量为0.1–90％，碲的原子百分比含量为0.1–90％；进一步对相变材料SnxSbTey进行掺杂，掺杂剂量原子百分含量在0-90％之间。所述相变材料在外部能量作用下具有可逆变化；在相变存储中，相变存储器的低阻态对应所述相变材料全部或部分结晶，相变存储器的高阻态对应所述相变材料的非晶态。本发明提出的可用于相变存储的相变材料，具有反复相变的能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109935688B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910233385.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100‑x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100‑x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100‑x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100‑x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100‑x层取代所述GexTe100‑x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100‑x非晶态。
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公开(公告)号：CN110828664A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911132175.7
申请日：2019-11-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本申请提供一种相变材料、相变材料的制备方法和相变存储器，该相变材料是由碳、铋、锑和碲四种元素组成，相变材料的通式为CxBi0.5Sb1.5Te3，其中0.01
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公开(公告)号：CN109935688A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201910233385.9
申请日：2019-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变薄膜结构、相变存储单元及其制备方法及相变存储器，相变薄膜结构包括：Cr层；GexTe100-x层，其中，0＜x＜100；所述Cr层与所述GexTe100-x层依次交替叠置。本发明的相变薄膜结构在升温过程中能够连续发生两次相变，在升温初期所述GexTe100-x层由非晶态到多晶态相变，并伴随产生可逆的高阻态与低阻态的转变；继续升温，所述Cr层与所述GexTe100-x层的界面处生成Cr2Ge2Te6层，即在高温诱导下部分Cr通过界面扩散作用进入所述GexTe100-x层取代所述GexTe100-x层中的部分Ge元素，并伴随可逆的低阻态到高阻态的转变；温度继续升高则能够回到高阻态的GexTe100-x非晶态。
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公开(公告)号：CN109839296A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711213560.5
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明提供一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，至少包括：首先提供金属探针，将金属探针的顶端针尖削平形成平台；然后在平台表面制备相变存储器器件，包括下电极层、相变层、以及上电极层；接着在上电极层表面淀积保护层；再以保护层为掩膜，刻蚀所述相变存储器器件，在平台两侧缘形成薄片；最后对薄片进行分割，形成多个独立的透射电镜样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本，加快了新型高密度存储相变材料研发，为其可逆相变行为及界面相变行为的研究提供了快捷的手段。
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公开(公告)号：CN102664236B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201210154750.5
申请日：2012-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，所述环形电极结构包括：基底，具有金属层及绝缘层，绝缘层中具有一深度直达金属层的凹槽；钨材料，填充于凹槽内，其厚度小于凹槽的深度至一预设范围值，以使凹槽形成一底部为钨材料、侧壁为绝缘层的浅槽结构；导电薄膜材料，沉积于浅槽结构的表面，形成环形电极结构；绝热材料，填充于环形电极结构中并与绝缘层的上表面共平面；相变材料，覆盖于绝缘层的上表面及绝热材料上。本发明提供的低功耗相变存储器用环形电极结构及制备方法，解决了现有技术中相变存储器的相变材料中能量利用率低以及现有提高器件热效率的手段与传统的CMOS工艺不兼容等问题。
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