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公开(公告)号：CN115083921A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210570829.X
申请日：2022-05-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/34 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面依次生长氧化镓外延层、氧化镍层、介质层；基于预设斜面图形对介质层进行刻蚀处理，直至露出氧化镍层，得到梯形状斜面结构；在氧化镍层的上表面和梯形状斜面结构的内侧制备阳极；在衬底的下表面制备阴极，通过上述方法制备的氧化镓肖特基二极管，其梯形状斜面结构可以调制器件沟道的电场分布，使耗尽区沿着场板方向向外扩展，显著增大了肖特基结边缘处的曲率，缓解了肖特基结边缘处的电场集中效应。采用该方法制备的氧化镓肖特基二极管，可有效降低峰值电场，降低器件漏电，提高器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN112614900B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202011357725.8
申请日：2020-11-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L31/0203 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供了一种光导开关封装结构，属于半导体光导开关器件技术领域，包括内部设有密封空间的壳体，壳体的内底面间隔设置第一台面和第二台面，第一台面的上端面和第二台面的上端面均设有引出端口，光导开关的两端分别搭接于第一台面和第二台面上，并分别通过接触电极与两个引出端口电连接；密封空间内填充有绝缘介质，绝缘介质包裹于光导开关的四周。本发明提供的一种光导开关封装结构，两个台面相互隔离，可以避免沿面击穿，向壳体内的密封空间内填充绝缘材料，使绝缘材料能够借助第一台面和第二台面之间的间隔完全包裹在光导开关的四周，使绝缘材料与光导开关表面充分接触，对光导开关实现全面的保护，避免光导开关放电打火而发生损坏，提高了器件的工作电压。
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公开(公告)号：CN114744047A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470918.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在n型氧化镓沟道层上的源电极、漏电极和栅电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内设有多个周期排布的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向漏电极侧延伸；其中，栅电极还覆盖所述鳍状台面的上表面和两个侧壁，形成FinFET结构。本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以进一步提高器件的击穿特性。
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公开(公告)号：CN114744026A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470865.9
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种氧化镓场效应晶体管器件及其制备方法。该器件包括：衬底，设于衬底上的n型氧化镓沟道层，设于n型氧化镓沟道层上的漏电极和源电极，设于漏电极和源电极之间的栅介质层，设于栅介质层上的栅电极；n型氧化镓沟道层对应于漏电极和源电极之间的部分包括第一沟道和至少一个鳍式沟道；第一沟道偏向源电极一侧；鳍式沟道设于漏电极与第一沟道之间；鳍式沟道的横截面呈指向源电极方向的对称阶梯状，阶梯个数大于等于2；栅电极在n型氧化镓沟道层上的垂直投影覆盖鳍式沟道与第一沟道的连接区域。本发明能够通过鳍式沟道结构，使栅电极具有更高的表面积、增加了阈值电压；鳍式沟道的尺寸减小，减小了尖峰电场，提升了器件击穿电压。
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公开(公告)号：CN114743875A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470510.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/02 , H01L29/06
Abstract: 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种氧化镓二极管器件及其制备方法，该制备方法包括：在氧化镓外延层上制备预设图案的介质掩膜层；以水平面为基准，将氧化镓衬底分别向两个相反的方向旋转第一倾斜角度和第二倾斜角度，对位于介质掩膜层覆盖的的氧化镓外延层进行刻蚀，第一倾斜角度和第二倾斜角度均小于90°；在氧化镓外延层和介质掩膜层上制备预设形状的聚酰亚胺层；去除介质掩膜层，在氧化镓外延层上与介质掩膜层对应的区域，以及在所述聚酰亚胺层上靠近所述介质掩膜层的区域上表面形成NiO层；在NiO层上形成第一电极层；在氧化镓衬底下表面形成第二电极层。本申请能够较容易实现氧化镓正磨角终端结构，提升器件耐压性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114743874A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470509.7
申请日：2022-04-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管，该方法包括在衬底的上表面外延生长n型的氧化镓沟道层；在氧化镓沟道层上制备掩膜层；对掩膜层的第一预设区域进行刻蚀处理，以露出氧化镓沟道层；在氧气氛围中，对露出的氧化镓沟道层进行多个预设温度下的退火处理，得到氧化层；在氧化层上制备第一光刻图形；在第一光刻图形上生长P型介质层，并且去除掩膜层；在衬底的下表面制备阴极电极并在P型介质层和氧化镓沟道层远离衬底的一侧制备阳极电极，通过先热氧化再沉积P型介质的方法制备氧化镓肖特基二极管，能够使二极管注入稳定的P型介质，有效抑制大功率器件的浪涌电流，增加器件击穿电压和可靠性。
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公开(公告)号：CN113628967A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110677351.6
申请日：2021-06-18
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L29/778
Abstract: 本发明适用于氮化物材料制备方法技术领域，提供了一种用于氮化物外延衬底的原位处理方法及衬底。其中处理方法包括：提供一衬底，衬底设于MOCVD反应室内；生长氮化物薄膜：在第一预设温度下，向反应室内通入氢气、MO源和氨气，在衬底的第一表面上生长岛状的氮化物薄膜，当生长的氮化物薄膜达到第一预设厚度时，关闭MO源和氨气；刻蚀氮化物薄膜：在第一预设时间内，将温度升高到第二预设温度，持续通入的氢气对氮化物薄膜的表面进行刻蚀，岛与岛结界处的氮化物分解；循环进行生长氮化物薄膜和刻蚀氮化物薄膜的步骤，形成具有开孔的图形化掩膜层，图形化掩膜层用于生长氮化物外延。本申请提供的氮化物外延材料的生长方法简单，可有效减少位错密度。
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公开(公告)号：CN112993054A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110161027.9
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/872 , H01L29/207 , H01L29/06 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种GaN太赫兹二极管、倍频单片、倍频器及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括高阻硅衬底、外延生长于高阻硅衬底上的金刚石薄膜层、外延生长于金刚石薄膜层上的N+GaN层、外延生长于N+GaN层上的N‑GaN层、欧姆接触电极，以及肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管利用金刚石材料介电常数低、热导率高的特性，能够提升器件散热能力，降低寄生电容和内部结温，从而提升器件的耐功率水平。本发明提供的倍频单片和倍频器均采用了上述GaN太赫兹二极管。
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公开(公告)号：CN112993042A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110160011.6
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/861 , H01L29/207 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供了一种倍频单片、GaN太赫兹二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，GaN太赫兹二极管包括N面上外延生长有氮化铝中间层的外延GaN层、外延生长于氮化铝中间层上的金刚石衬底层、依次外延生长于外延GaN层的Ga面上的高掺杂N型GaN层和低掺杂N型GaN层，以及欧姆接触电极和肖特基接触电极。本发明提供的GaN太赫兹二极管采用金刚石衬底层作为器件衬底结构，能够提高GaN太赫兹二极管的散热性能，降低器件内部结温和内部寄生电容，提升GaN太赫兹二极管的耐功率水平。本发明提供的倍频单片采用了上述GaN太赫兹二极管。
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公开(公告)号：CN108414120B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810168893.9
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L41/04
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种Si基GaN压力传感器的制备方法，该方法包括：在第一硅片中制备凹槽；将形成所述凹槽后的所述第一硅片键合在第二硅片上，形成密封腔体；将GaN晶圆与所述密封腔体键合，其中，所述GaN晶圆包括衬底、衬底上表面的GaN缓冲层和所述GaN缓冲层上表面的势垒层，所述衬底与所述密封腔体的第一硅片的表面接触；在键合后的所述GaN晶圆上制备压力敏感单元。本发明能够实现高质量的气密性封装，极大地提升传感器的可靠性。
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