-
公开(公告)号：CN111137846B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201911348036.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于标准物质制备技术领域，提供了一种微米级台阶高度标准样块的制备方法，该方法包括：获取第一硅晶圆片，在第一硅晶圆片上生长二氧化硅氧化层，并在二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品；对第一样品上的第二硅晶圆片进行减薄处理以及抛光处理，获得第二样品；其中，减薄后的第二硅晶圆片的厚度与预设标称高度相同；对第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出二氧化硅氧化层，获得第三样品；在第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块。本发明的微米级台阶高度标准样块的制备方法，制备成本相对较低，可以在获得预设标称高度的微米级台阶高度标准样块的同时，获得较好的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN112903145B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110348365.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明提供了一种高低温探针台在片温度参数的校准方法及装置，属于半导体测量技术领域，校准方法包括：将在片温度传感器放置在高低温探针台的控温平台上，并将控温平台推进高低温探针台的微室内；通过高低温探针台的显微镜进行观察，调节直流探针的位置以使直流探针与在片温度传感器的焊垫接触；将直流探针和电测仪器进行连接；设定标准温度，对高低温探针台的温度参数进行校准；对校准完成后的测量结果进行不确定度评定。技术效果：上述校准方法能够很好地模拟实际测量时的工作状况，更易于提高校准精度，并且，在完成温度参数的校准之后，还对测量结果进行不确定度评定，能够判断测量结果的准确性，实现有效的校准效果。
-
公开(公告)号：CN111024017B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911226757.1
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于仪器校准技术领域，提供了一种膜厚样片及膜厚样片的制备方法，所述膜厚样片包括：样片载体和至少两个样片本体，其中，各样片本体的薄膜厚度和/或薄膜类型不同，所述样片载体上开设有凹槽，各样片本体衬底朝下镶嵌在所述凹槽内，所述样片载体上设有用于指示各样片本体的薄膜厚度和薄膜类型的样片标识。本发明能够在对椭偏仪进行校准时，可以直接移动样片载体实现不同样片本体的替换，而无需取出样片、更换样片，从而增加了校准时的便捷程度，提高了对椭偏仪校准的效率。
-
公开(公告)号：CN110112079B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910353879.0
申请日：2019-04-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，属于半导体器件测试技术领域，包括计算台阶样块的高度d；计算台阶样块的外尺寸a和内尺寸b；计算台阶样块的侧面倾斜角θ；设定参数ε评价刻蚀工艺水平，利用参数与台阶侧面倾斜角的关系式计算参数ε。本发明提供的台阶样块的刻蚀工艺参数评价方法，能够准确测量台阶样块的高度及内外尺寸，进而确定台阶样块侧面倾斜角，对台阶样块的刻蚀工艺水平进行准确评价。
-
公开(公告)号：CN109444473B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201811582064.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01Q30/20
Abstract: 本发明适用于显微镜校准技术领域，提供了一种线宽标准样片及线宽标准样片中标准线条的循迹方法，所述方法包括：在所述线宽标准样片中查找循迹箭头；根据所述循迹箭头指示的预设方向，查找定位标记，所述预设方向为所述循迹箭头指示的标准线条所在区域的方向；根据所述定位标记，延着所述预设方向移动直至观察到指示标尺；根据所述指示标尺和预设标尺‑线条对应关系，查找待寻标准线条。本发明通过循迹箭头、定位标记和指示标尺一步步对标准线条进行定位指示，能够在线宽标准样片中快速的找到纳米级别的标准线条，实现扫描电子显微镜的快速校准。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112903145A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110348365.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01K15/00
Abstract: 本发明提供了一种高低温探针台在片温度参数的校准方法及装置，属于半导体测量技术领域，校准方法包括：将在片温度传感器放置在高低温探针台的控温平台上，并将控温平台推进高低温探针台的微室内；通过高低温探针台的显微镜进行观察，调节直流探针的位置以使直流探针与在片温度传感器的焊垫接触；将直流探针和电测仪器进行连接；设定标准温度，对高低温探针台的温度参数进行校准；对校准完成后的测量结果进行不确定度评定。技术效果：上述校准方法能够很好地模拟实际测量时的工作状况，更易于提高校准精度，并且，在完成温度参数的校准之后，还对测量结果进行不确定度评定，能够判断测量结果的准确性，实现有效的校准效果。
-
公开(公告)号：CN111137846A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911348036.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于标准物质制备技术领域，提供了一种微米级台阶高度标准样块的制备方法，该方法包括：获取第一硅晶圆片，在第一硅晶圆片上生长二氧化硅氧化层，并在二氧化硅氧化层上键合第二硅晶圆片，获得第一样品；对第一样品上的第二硅晶圆片进行减薄处理以及抛光处理，获得第二样品；其中，减薄后的第二硅晶圆片的厚度与预设标称高度相同；对第二样品上的第二硅晶圆片的预设区域进行刻蚀，直至露出二氧化硅氧化层，获得第三样品；在第三样品上表面溅射金属保护层，获得微米级台阶高度标准样块。本发明的微米级台阶高度标准样块的制备方法，制备成本相对较低，可以在获得预设标称高度的微米级台阶高度标准样块的同时，获得较好的表面粗糙度。
-
公开(公告)号：CN109855572A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811589071.4
申请日：2018-12-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: G01B11/30
Abstract: 本发明提供了一种用于校准光学轮廓仪粗糙度的线距样板及制备方法，属于标准件技术领域，包括基板，基板上并列设有多条线条，线距周期为线条宽度的两倍，线条的深度与样板的标称粗糙度对应，基板为硅片。本发明提供的用于校准光学轮廓仪粗糙度的线距样板，以不透明硅片为衬底，提高反射率，在硅片上采用反应离子刻蚀工艺制备多线条样板，这种利用刻蚀工艺制备的多线条样板，能够准确控制样板上的线条的深度和线条的宽度，提高标准样件的精度，进而提高光学轮廓仪校准的准确性。
-
公开(公告)号：CN109444472A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811555401.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明提供了一种扫描电子显微镜校准图形样片及制备方法，属于半导体技术领域，包括基板、仪器放大倍率校准图形和快速寻迹标志图形，仪器放大倍率校准图形设置于基板上，用于对图形进行校准；快速寻迹标志图形设置于仪器放大倍率校准图形的旁侧，用于寻迹所述仪器放大倍率校准图形。本发明提供的扫描电子显微镜校准图形样片，利用快速寻迹标志图形，可以快速准确判断仪器工作状态是否正常，以便及时校准，从而保证扫描电子显微镜的测量精度，提高了校准效率和扫描电镜的测量准确性。
-
公开(公告)号：CN109346421A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811150014.6
申请日：2018-09-29
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种线距标准样片的定值方法，该方法包括：获取电子束斑漂移不确定度；获取标定不确定度；确定所述线距标准样片的均匀性不确定度；确定所述线距标准样片的稳定性不确定度；确定所述线距标准样片的重复性不确定度；根据所述电子束斑漂移不确定度、所述标定不确定度、所述均匀性不确定度、所述稳定性不确定度和所述重复性测量不确定度确定所述线距标准样片的扩展不确定度。本发明能够实现对微纳米线宽尺寸测量类仪器的校准。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.035 seconds)
