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公开(公告)号：CN117148027A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311424364.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/00
Abstract: 本申请涉及一种电迁移测试装置及方法。电迁移测试装置包括金属连接体、样品及电流表。样品的背面与金属连接体连接，正面与电源的负极电性连接，金属连接体与电源的正极电性连接。将电迁移测试装置放置于高温箱中，同时施加电压，使得金属连接体中的金属离子在电势以及温度的共同作用下发生迁移，即从样品的背面向样品的正面迁移。由于电流表串联于金属连接体、样品、正极以及负极连接形成的电路中，这样电流表能够检测漏电流，当漏电流达到预设值时，表示样品失效，此时失效时间为该条件下样品的电迁移寿命，以此来评估电迁移的情况。该电迁移测试装置更贴合于实际工况下的金属连接体中的金属离子电迁移方式的评估手段，有利于提高评估的可靠性。
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公开(公告)号：CN113514492B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110616270.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种测量界面热阻的方法和装置。包括：获取第一材料和第二材料的本征热阻、测量端和所述第一材料的接触热阻、所述测量端和所述第二材料的接触热阻，所述测量端包括热端和冷端；获取第一热阻和第二热阻；根据所述本征热阻、所述接触热阻、所述第一热阻和所述第二热阻，确定第一材料和第二材料之间的界面热阻。本公开测量结果准确可靠，并且，可以不需要在材料的内部开孔，不影响材料本身的性能；热电偶和热流计的均可安装于统一位置，如测量端，不会因测量材料的不同而改变位置。
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公开(公告)号：CN114689183A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210277542.8
申请日：2022-03-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01J5/48
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件温度校准装置，包括：箱体，所述箱体设有密闭空间，所述箱体用于放置待测半导体器件；加热装置，所述加热装置设置于所述箱体内壁上，所述加热装置用于对所述箱体内空气进行均匀加热。通过加热装置对所述箱体内空气进行均匀加热，能够实现对放置于箱体密闭空间内的待测半导体器件的均匀加热，使其温度达到符合要求的校准值，提高了对带有非平面型散热结构的待测半导体器件进行温度校准的准确性，便于分析半导体器件的散热结构性能、使用性能，指导半导体器件热设计、安全工作区设计以及失效分析。
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公开(公告)号：CN114563675A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
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公开(公告)号：CN109342914B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201811275513.8
申请日：2018-10-23
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种IGBT结温监控方法、装置及计算机设备，其中，IGBT结温监控方法包括以下步骤：获取与待测IGBT器件的集电极电流对应的饱和导通压降；集电极电流为加热大电流或恒定小电流；基于结温和饱和导通压降拟合曲面，获取对应饱和导通压降的当前结温；在当前结温小于设定结温时，增大输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且未到达预设加热工作时间时，减小输入待测IGBT器件的集电极的加热大电流；在当前结温大于设定结温，且到达预设加热工作时间时，向待测IGBT器件的集电极输入恒定小电流，并冷却待测IGBT器件。本发明实施例能够实现对待测IGBT器件结温的实时监控，提高了IGBT结温监控精度，以及提高了IGBT结温监控可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114323818A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111363334.1
申请日：2021-11-17
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷气密封元器件内部气氛取样方法及应用。包括以下步骤：获取待测陶瓷气密封元器件，所述待测陶瓷气密封元器件的封装壳的表面设有检测区域；对所述检测区域进行磨削，使磨削后的所述检测区域的封装壳的厚度值为0.04mm～0.06mm；对磨削后的所述检测区域进行清洗；于清洗后的所述检测区域进行穿刺取样。通过将待测陶瓷气密封元器件的封装壳磨削至特定的厚度值，能够易于进行穿刺取样且穿刺时非检测区域的封装壳不碎裂和漏气，保证了后续取样的可靠性，相较于传统陶瓷气密封元器件内部气氛取样方法操作简便，并且不受尺寸的限制，应用范围广。
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公开(公告)号：CN110600390B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201910703529.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备；所述方法包括在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；在初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；在当前漏电流满足失效判据时，获取电源设备调节电压的总时长，并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间，实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能，实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。
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公开(公告)号：CN113670975A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110764063.4
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请涉及硅通孔技术领域，具体公开一种硅通孔复合结构的测试系统及测试方法。系统包括温度变化箱、真空箱、温度监控装置和观测装置，温度变化箱内部温度循环变化；真空箱设置于温度变化箱内，真空箱内用于放置硅通孔复合结构的待测样品；温度监控装置连接真空箱和温度变化箱，用于监测待测样品的温度变化范围，并控制温度变化箱调节内部温度的循环变化状态，以使待测样品的温度在目标温度变化范围内变化；观测装置用于当待测样品的温度在目标温度变化范围内循环变化时，对待测样品的界面状态进行观测。确保待测样品可以在目标温度变化范围内变化，提高测试的准确性。
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公开(公告)号：CN109297627B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201811250428.6
申请日：2018-10-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本申请涉及一种TSV成品界面残余应力测试方法及界面梁结构试样制作方法。TSV成品界面残余应力测试方法包括：获取悬臂梁结构试样的长度和第一翘曲量；悬臂梁结构试样为截断界面梁结构试样得到；获取在悬臂梁结构试样的固定端上去除预设尺寸的材料层时、悬臂梁结构试样的第二翘曲量；根据悬臂梁结构试样的长度、第一翘曲量、第二翘曲量和预设尺寸，得到对应材料层的残余应力，从而本申请TSV成品界面残余应力测试方法通过在取自TSV成品的悬臂梁结构试样上去除不同尺寸的材料层后所产生对应的翘曲量，来实现准确测量界面梁结构试样不同位置的残余应力，准确地测量TSV成品的不同位置的残余应力，进而为改进TSV成品的TSV工艺，提高良率和可靠性提供良好支持。
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公开(公告)号：CN110600390A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910703529.2
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/66
Abstract: 本申请涉及一种TSV结构电击穿寿命测试方法、装置、系统和控制设备；所述方法包括在第一个温度循环周期内，通过信号采集设备采集待测TSV矩阵晶圆样品在初始电压下的初始漏电流；第一个温度循环周期为控制温度调节设备调节待测TSV矩阵晶圆样品的测试环境温度循环变化的第一个周期；在初始漏电流小于或等于预设值时，控制电源设备以初始电压为起点逐渐增大施加在待测TSV矩阵晶圆样品上的电压，并通过信号采集设备实时采集待测TSV矩阵晶圆样品的当前漏电流；在当前漏电流满足失效判据时，获取电源设备调节电压的总时长，并将总时长确认为待测TSV矩阵晶圆样品的失效时间，实现高效准确地测试TSV结构的寿命性能，实现高效准确地测试TSV结构的电击穿可靠性。
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