一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构

    公开(公告)号:CN104377252B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201410679914.5

    申请日:2014-11-24

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构,由下至上依次为柔性基底、铜基硫属半导体薄膜吸收层、缓冲层和窗口层,其中,窗口层是由石墨烯层和通过掺杂、加氢、光刻或边缘修饰改性处理的改性石墨烯层组成的复合层;该柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构以石墨烯复合层替换包括高阻本征ZnO薄膜和低阻透明导电氧化物的脆性窗口层,可有效解决柔性太阳电池抗弯折性差的问题,并且避免了现有溅射法制备窗口层时给底层薄膜带来物理损伤,同时大大降低了太阳电池的成本,满足工业大规模生产要求。

    制备铜锌锡硫纳米粒子的方法

    公开(公告)号:CN104591265B

    公开(公告)日:2016-12-07

    申请号:CN201410830894.7

    申请日:2014-12-26

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法,该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水,得到混合金属盐溶液;将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应,直到底液中沉淀完全,过滤分离,得到铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒;所得铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒经过煅烧后,进行硫化热处理,高产率得到纯度高,形貌好,结构疏松、无团聚现象的铜锌锡硫纳米粒子;该制备方法反应条件温和、成本低、流程和操作简单,满足工业化生产。

    一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104362222B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410709406.7

    申请日:2014-11-28

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法,该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜,再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中,进行光化学沉积,得到铜铟镓硒薄膜;该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中,可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌,制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控,有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题,且该方法原料利用率高,成本低,可大规模推广生产。

    一种光电化学冶金提取半导体元素的方法

    公开(公告)号:CN105088262A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201410211364.4

    申请日:2014-05-19

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: Y02P20/135

    Abstract: 本发明涉及一种光电化学冶金提取半导体元素的方法,特别是指碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋等半导体元素的光电化学提取,属于湿法冶金技术领域。本发明在电解沉积池内,往阴极引入照射光,通过光电化学沉积,在阴极上得到半导体;电解所用电解液为含半导体元素的导电液体;所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋中的至少一种;所述照射光中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子。本发明具有流程短、能耗低、生产效率高、回收率高、成本低、环境友好等优势,便于大规模工业化生产和应用。

    一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构

    公开(公告)号:CN104377252A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201410679914.5

    申请日:2014-11-24

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: H01L31/02167

    Abstract: 本发明公开了一种柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构,由下至上依次为柔性基底、铜基硫属半导体薄膜吸收层、缓冲层和窗口层,其中,窗口层是由石墨烯层和通过掺杂、加氢、光刻或边缘修饰改性处理的改性石墨烯层组成的复合层;该柔性铜基硫属半导体薄膜太阳电池窗口层结构以石墨烯复合层替换包括高阻本征ZnO薄膜和低阻透明导电氧化物的脆性窗口层,可有效解决柔性太阳电池抗弯折性差的问题,并且避免了现有溅射法制备窗口层时给底层薄膜带来物理损伤,同时大大降低了太阳电池的成本,满足工业大规模生产要求。

    一种芳香氧化膦类化合物的制备方法

    公开(公告)号:CN113512064A

    公开(公告)日:2021-10-19

    申请号:CN202110477852.X

    申请日:2021-04-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明涉及有机合成领域,具体涉及一种芳香氧化膦类化合物的制备方法。该制备方法包括:将P(O)‑H化合物、氟代芳烃类化合物、碱试剂加入至有机溶剂混合,搅拌反应后冷却获得混合溶液;经洗涤、萃取获得有机相,并将所述有机相进行干燥、蒸馏后进行柱层析获得芳香氧化膦类化合物。该反应操作方法简单,只需加入适量的碱,无需配体、催化剂、添加剂等特殊反应条件,反应简单高效,具有较好的工业应用前景。

    一种膦酸酯类化合物及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN110903316B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201911231702.X

    申请日:2019-12-05

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明提供了一种膦酸酯类化合物及其制备方法与应用,所述方法包括如下步骤:在氮气氛围下,将P(O)‑H化合物、芳基三氟甲烷磺酸酯类化合物、碱试剂与有机溶剂混合,在80~130℃下搅拌反应15~24h,反应结束后经冷却、洗涤和萃取,得到有机相;对所得有机相进行干燥和蒸馏,得到膦酸酯类化合物;其中,P(O)‑H化合物、芳基三氟甲烷磺酸酯类化合物与碱试剂的摩尔比为1~3:1:2~3。该方法具有原料简单易得、反应条件简单、官能团兼容性广、产率高、适用性广的优点,所得膦酸酯类化合物的结构式如式(Ⅰ)所示,将其应用在锂离子萃取领域的萃取率在53%以上。

    制备铜锌锡硫纳米粒子的方法

    公开(公告)号:CN104591265A

    公开(公告)日:2015-05-06

    申请号:CN201410830894.7

    申请日:2014-12-26

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: C01G19/00 B82Y30/00 C01P2004/64

    Abstract: 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法,该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水,得到混合金属盐溶液;将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应,直到底液中沉淀完全,过滤分离,得到铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒;所得铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒经过煅烧后,进行硫化热处理,高产率得到纯度高,形貌好,结构疏松、无团聚现象的铜锌锡硫纳米粒子;该制备方法反应条件温和、成本低、流程和操作简单,满足工业化生产。

    一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104362222A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201410709406.7

    申请日:2014-11-28

    Applicant: 中南大学

    CPC classification number: Y02P70/521 H01L31/18 C23C14/06

    Abstract: 本发明公开了一种基于光化学沉积制备铜铟镓硒薄膜的方法,该方法是先在导电基体上镀一层Se或S薄膜,再将镀有Se或S薄膜的导电基体置于含有铟离子、镓离子、硒离子、铜离子中的至少两种和光电子释放剂的溶液体系中,进行光化学沉积,得到铜铟镓硒薄膜;该方法成功地将光化学沉积方法运用到铜铟镓硒薄膜制备过程中,可以有效控制光化学沉积铜铟镓硒薄膜的生长情况及形貌,制备的铜铟镓硒薄膜表面形貌好、致密度高、成分可控,有效解决传统光化学沉积中存在的沉积过程可控性差、成膜不均匀的问题,且该方法原料利用率高,成本低,可大规模推广生产。

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