公开(公告)号：CN105088262B

公开(公告)日：2019-02-01

申请号：CN201410211364.4

申请日：2014-05-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  顾鄂宁 ,  杨佳 ,  蒋良兴 ,  唐定 ,  李劼

IPC: C25B1/00 ,  C25C1/22

Abstract: 本发明涉及一种光电化学冶金提取半导体元素的方法，特别是指碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋等半导体元素的光电化学提取，属于湿法冶金技术领域。本发明在电解沉积池内，往阴极引入照射光，通过光电化学沉积，在阴极上得到半导体；电解所用电解液为含半导体元素的导电液体；所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋中的至少一种；所述照射光中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子。本发明具有流程短、能耗低、生产效率高、回收率高、成本低、环境友好等优势，便于大规模工业化生产和应用。

公开(公告)号：CN105088262A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410211364.4

申请日：2014-05-19

Applicant: 中南大学

Inventor： 刘芳洋 ,  顾鄂宁 ,  杨佳 ,  蒋良兴 ,  唐定 ,  李劼

IPC: C25B1/00 ,  C25C1/22

CPC classification number: Y02P20/135

Abstract: 本发明涉及一种光电化学冶金提取半导体元素的方法，特别是指碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋等半导体元素的光电化学提取，属于湿法冶金技术领域。本发明在电解沉积池内，往阴极引入照射光，通过光电化学沉积，在阴极上得到半导体；电解所用电解液为含半导体元素的导电液体；所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋中的至少一种；所述照射光中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子。本发明具有流程短、能耗低、生产效率高、回收率高、成本低、环境友好等优势，便于大规模工业化生产和应用。