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公开(公告)号：CN105088262B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201410211364.4
申请日：2014-05-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种光电化学冶金提取半导体元素的方法，特别是指碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋等半导体元素的光电化学提取，属于湿法冶金技术领域。本发明在电解沉积池内，往阴极引入照射光，通过光电化学沉积，在阴极上得到半导体；电解所用电解液为含半导体元素的导电液体；所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋中的至少一种；所述照射光中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子。本发明具有流程短、能耗低、生产效率高、回收率高、成本低、环境友好等优势，便于大规模工业化生产和应用。
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公开(公告)号：CN104591265B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410830894.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法，该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水，得到混合金属盐溶液；将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应，直到底液中沉淀完全，过滤分离，得到铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒；所得铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒经过煅烧后，进行硫化热处理，高产率得到纯度高，形貌好，结构疏松、无团聚现象的铜锌锡硫纳米粒子；该制备方法反应条件温和、成本低、流程和操作简单，满足工业化生产。
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公开(公告)号：CN105088262A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410211364.4
申请日：2014-05-19
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02P20/135
Abstract: 本发明涉及一种光电化学冶金提取半导体元素的方法，特别是指碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋等半导体元素的光电化学提取，属于湿法冶金技术领域。本发明在电解沉积池内，往阴极引入照射光，通过光电化学沉积，在阴极上得到半导体；电解所用电解液为含半导体元素的导电液体；所述半导体元素包括碲、锗、硒、硅、锡、锑和铋中的至少一种；所述照射光中含有能量大于或者等于所沉积半导体带隙宽度的光子。本发明具有流程短、能耗低、生产效率高、回收率高、成本低、环境友好等优势，便于大规模工业化生产和应用。
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公开(公告)号：CN104591265A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410830894.7
申请日：2014-12-26
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C01G19/00 , B82Y30/00 , C01P2004/64
Abstract: 本发明公开了一种制备铜锌锡硫纳米粒子的方法，该方法是将铜盐、锌盐和锡盐在络合剂的存在下溶于水，得到混合金属盐溶液；将所得混合金属盐溶液和碱溶液同时加入到含分散剂的底液中搅拌反应，直到底液中沉淀完全，过滤分离，得到铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒；所得铜锌锡复合氢氧化物纳米颗粒经过煅烧后，进行硫化热处理，高产率得到纯度高，形貌好，结构疏松、无团聚现象的铜锌锡硫纳米粒子；该制备方法反应条件温和、成本低、流程和操作简单，满足工业化生产。
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