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公开(公告)号:CN118538755A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202310153162.8
申请日:2023-02-21
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/335 , H01L29/778 , H01L27/085
Abstract: 本申请涉及一种氮化镓半导体器件及其制备方法。该氮化镓半导体器件包括:基底;第一氮化镓层,设于所述基底上;第一介质层,设于所述第一氮化镓层上;第一栅极,设于所述第一介质层上。本申请提供的氮化镓半导体器件及其制备方法,通过在第一栅极和第一氮化镓层之间设置第一介质层,这样,一方面,第一介质层和第一氮化镓层由于极化效应产生高浓度的二维电子气可以消耗第一栅极所在区域的空穴,从而提高器件的阈值电压;另一方面,相较于未设置第一介质层的氮化镓半导体器件,在保证器件增强型的前提下,本申请可以使第一栅极下方的第一氮化镓层的厚度更厚,进而减小器件的导通电阻,提高器件的输出电流。
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公开(公告)号:CN118379943A
公开(公告)日:2024-07-23
申请号:CN202410445814.X
申请日:2024-04-15
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种Mini‑LED分区背光显示屏幕的最大光晕测量的方法与系统。具体包括如下步骤:首先搭建暗环境下光晕测量装置,其次采用最优显示白盒尺寸寻优方法找到显示白盒获得最大亮度时对应的显示白盒尺寸,然后采用最优显示白盒位置寻优模块找到显示白盒获得最大光晕宽度时对应的显示白盒位置,再对找到的最大光晕效应情况在暗环境下进行测量,最后模拟复现二维光晕场分布得到光晕效应对应的最大光晕亮度和最大光晕宽度。采用本发明方法后,可对任一款Mini‑LED显示屏找寻到最大光晕情况并进行测量,同时对静态光晕进行量化分析,从而有效提高Mini‑LED显示屏光晕效应测试的精密度和准确性。
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公开(公告)号:CN117740336A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311835239.6
申请日:2023-12-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明公开了一种Mini‑LED显示屏的动态光晕测量方法及系统,系统包括由底板、高速相机及其固定轴系组件构成的硬件部分,以及控制高速相机运动和光晕计算显示的软件部分。被测显示屏幕置于大理石底板表面,摆放位置确定后控制轴系运动使得被测屏幕完整出现在高速相机的视野中。随后在被测显示屏幕中播放预制测试动画,通过相机拍摄后经软件分析显示屏幕的灰度分布进而获得光晕分布。本发明可对被测产品动态显示过程中任意像素点的光晕分布进行测量,从而为Mini‑LED屏幕显示效果的评价及改进提供数据支撑。本发明通用性强,可适应多种尺寸的显示屏幕。
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公开(公告)号:CN117405363A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311715129.6
申请日:2023-12-14
Applicant: 东南大学 , 广东聚华新型显示研究院 , 新型显示与视觉感知石城实验室
IPC: G01M11/02 , G02F1/13357 , G01J1/00
Abstract: 本发明公开了一种Mini‑LED分区背光显示器的光晕表征方法及系统,包括如下步骤:对暗室环境下的Mini‑LED背光显示器进行光晕测量,获取暗室环境下光晕亮度分布;对光晕进行模拟复现,并按照光晕可视敏感度进行分级;根据光晕可视敏感度和光晕影响因素构建暗室环境下Mini‑LED背光显示器光晕可视敏感度的通用和具体表征公式;选取不同型号的Mini‑LED背光显示器,在暗室环境下对该Mini‑LED背光显示器进行光晕测量,计算得到暗室环境下Mini‑LED背光显示器光晕可视敏感度的数值,完成光晕表征。本发明实现光晕可视敏感度的客观表征,便于为显示设备制造厂家提供改善光晕的具体指标。
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公开(公告)号:CN116202620A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310220382.8
申请日:2023-03-09
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种表征空间光环境亮度的方法。通过设计和建立不同典型的光环境空间及其光源类型和主要物体表面材质等,利用亮度计算中所涉及到的各种物理参数和计算方法,根据各种参数之间的关系推导亮度计算方程,并且对亮度计算方程提出计算方法。通过人眼视觉感知分析光线在空间中与物体表面的交互的过程,从光源的光线出发,经过物体表面发生多次反射、折射最终到达人眼的物理过程,并结合亮度计算方程,将建立好的光环境空间明暗感知的亮度计算方法,利用软件程序平台优化实现。因此,本发明提出的方法将有助于光环境设计人员更好设计出舒适合理的光环境,同时有助于科研人员进一步研究人眼视觉亮度与光环境之间的关系。
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公开(公告)号:CN119714803A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411817576.7
申请日:2024-12-11
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
IPC: G01M11/02 , G01J1/00 , H04N13/332 , H04N13/133 , G02B27/01
Abstract: 本发明公开了一种AR眼镜及其显示的感知亮度表征方法及系统。本发明利用市场主流AR眼镜作为显示器件,通过基于人眼的视觉结构、视觉特性以及对亮度的感知过程,提出了AR显示在不同环境光下显示亮度感知表征方法。利用客观测量和评价来量化显示器件显示的感知亮度与显示器件的物理亮度、显示器件所处环境光的亮度分布、人眼瞳孔直径以及显示器件与观察者的空间位置的关系。首先,通过亮度计和照度计等仪器设备,对空间中客观参量进行采集;其次,通过各类测试图像给观察者观察,在不同环境光下利用眼动仪采集观察者瞳孔直径大小并请观察者评价显示器件的感知亮度级别;本发明可以应用到AR显示技术中去,给用户提供相对舒适的显示亮度。
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公开(公告)号:CN119648669A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411779954.7
申请日:2024-12-05
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 东南大学
Abstract: 本发明公开一种基于光学检测的Mini LED背光功能测试方法及系统。包括如下步骤:在实验环境下控制工业相机CMOS拍摄Mini LED背光灯珠高分辨率灰度图像;通过连通区域标记算法对输入灰度图像中拍摄抓取的背光灯珠目标进行标记,同时提取目标像素位置、外接矩形尺寸、平均灰度等特征信息,并获取平均亮度特征信息;根据标记提取的目标集合与目标特征信息,结合异常判断阈值处理判断,提取出亮度异常的目标;采用目标自适应定位算法,对异常Mini LED灯珠目标进行定位输出;采用基于像素空间和目标对象的双标签检测修正算法,检测出LED Open/Short并进行定位输出。本发明可针对任一款大尺寸背光灯珠阵列的Mini LED背光板实现快速的背光灯珠光学质量检测,提高检测效率与检测精度。
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公开(公告)号:CN119630155A
公开(公告)日:2025-03-14
申请号:CN202411724431.2
申请日:2024-11-28
Applicant: 新型显示与视觉感知石城实验室 , 南京信息工程大学 , 东南大学
Inventor: 潘江涌 , 陆佳 , 沈润杰 , 丁文浩 , 高正浩 , 魏宇炀 , 陈名湛 , 汪丽茜 , 吕俊鹏 , 苏志成 , 张宇宁 , 苏玉民 , 沈忠文 , 苏中方 , 周玮琦 , 梅泽 , 何乃龙
IPC: H10H29/30 , H10H29/851 , H10K59/90 , H10K59/80 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明公开了一种基于界面修饰的钙钛矿量子点Micro‑LED及其制备方法。Micro‑LED的结构包括分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED和CMOS集成电路基板。GaN蓝光发光单元由多个蓝光LED像素点组成,并集成在CMOS集成电路基板上。量子点色转换单元从下至上依次包含玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜,用于将蓝光转换为所需颜色,实现更广泛的色域。其中,在电子传输层上添加了双官能团醚进行优化。本研究不仅能够解决传统技术中存在的多个问题,还可显著提升器件的发光效率和环境稳定性,为下一代高性能Micro‑LED的开发提供了新颖而有前景的技术解决方案。
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公开(公告)号:CN118798104B
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202310701433.9
申请日:2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法,所述模型包括:基础模型,包括GaN HEMT器件模型,所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻;子模型,包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路,第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2,第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1,第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3;子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题,预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险,大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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公开(公告)号:CN119359977A
公开(公告)日:2025-01-24
申请号:CN202411427755.X
申请日:2024-10-14
Applicant: 东南大学 , 立讯精密科技(南京)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于增强现实显示设备测量对比敏感度的方法,可以通过测量增强现实显示设备使用时的人眼对比敏感度函数曲线,得到在不同环境照度下,不同空间频率的虚拟图像恰能被分辨时的对比度阈值,优化对比敏感度可以确保用户在不同光照条件和视觉环境下都能获得清晰、准确的视觉体验。本发明提供的一种基于增强现实显示设备测量对比敏感度的方法,为增强现实显示设备的显示质量的提升提供参考,提高用户使用时的沉浸感与舒适度。
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